表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统与流程

本发明涉及拉曼散射芯片技术领域，尤其是涉及一种表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统。

背景技术：

拉曼光谱技术近年来成为研究分子结构和材料表面界面性质的常用光谱技术之一。拉曼光谱是一种研究分子振动能级的光谱技术，可广泛应用于分子识别领域，类似于指纹，拉曼光谱技术和红外光谱技术是仅有的几种能够给出分子结构代表信息的表征手段之一。然而，常规的拉曼技术所得到的光谱信号比较弱，灵敏度很低，荧光信号对光散射信号的影响非常大，大大降低了拉曼光谱技术的实用性。上世纪70年代发现了吡啶分子在粗糙银表面的拉曼信号要比溶液中的单个吡啶分子的拉曼信号大约强百万倍这一现象，开启了拉曼技术的新时代，这种不寻常的拉曼增强散射称为表面增强拉曼散射(surfaceenhancedramanscattering)效应，简称sers。sers光谱由于具备极高的灵敏度，可在分子水平上研究物质的结构信息并实现对单分子的检测，成为一个极具前途的表面光谱技术。

目前，以银、金、铜等金属为主的物质，具有较高sers活性，且与金属材料的尺寸、结构以及支持基底表面形貌相关。因此，为了制备高sers性能的基底，对于金属纳米颗粒的形貌、结构调控以及对支持基底材料的选择和表面修饰是很有必要的。要使基底上待测物分子的信号增强，一方面要提高金属材料对拉曼信号的增强，另一方面要使待测物分子最大程度地聚集在金属材料表面。从增强拉曼信号的角度看，设计并制备一种局域光场放大能力强的金属材料结构基底是一条必由之路，比如构造“热点”和针尖结构；从捕获待测物分子角度看，对待测物分子的捕获能力越强，拉曼信号增强效果越好。但是现有采用激光刻蚀等物理方法得到的周期性等离子结构不仅不易制作、代价高昂，而且难以大规模、大范围制作，而化学法制备的金属纳米颗粒在基底上自组装成特定的结构也困难重重。

有鉴于此，特提出本发明。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供之一在于提供一种表面增强拉曼散射微纳芯片，该微纳芯片通过纳米金属棒阵列、纳米金属棒的尖端结构及负载的二氧化钼量子点相互协同，能够有效增强基底上的待测物分子信号，显著提高拉曼光谱检测精度。

本发明的目的之二在于提供上述表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其制备工艺简单，成本低廉，适用于大规模和大范围制作。

本发明的目的之三在于提供上述表面增强拉曼散射微纳芯片在痕量检测中的应用。

本发明的目的之四在于提供一种拉曼光谱测试系统，以满足痕量检测高精度的要求。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片，包括基底，所述基底上设置有纳米金属棒阵列，所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构，所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点。

进一步的，所述二硫化钼量子点为单层结构；

优选地，所述二硫化钼量子点的厚度为0.7-1.2nm；

优选地，所述二硫化钼量子点的尺寸为2-4nm。

进一步的，所述纳米金属棒的长径比为2-8。

进一步的，所述纳米金属棒的材质选自金、银、铝或铜中的至少一种，优选为金；

和/或，

所述基底为硅片或玻璃。

进一步的，所述二硫化钼量子点的制备方法包括如下步骤：

将二硫化钼、丹宁酸和离子液体混合，获得混合液，将混合液依次进行研磨处理、超声处理和加热处理，得到二硫化钼量子点；

优选地，重复交替进行超声处理和加热处理。

本发明的目的之二在于提供上述表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供固定有纳米金属棒阵列的基底，其中，纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，纳米金属棒的两端均具有尖端结构；

(b)将固定有纳米金属棒的基底浸没于二硫化钼量子点分散液中，使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上，得到表面增强拉曼散射微纳芯片。

进一步的，二硫化钼量子点分散液为二硫化钼量子点的水分散液；

优选地，二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.4-0.6g/ml；

优选地，通过搅拌使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离基底的一端的尖端结构上，

优选地，搅拌速度为400-1000rpm；

优选地，搅拌时间为2-8h。

进一步的，固定有纳米金属棒阵列的基底按照如下方法制备得到：将纳米金属棒分散液滴加到基底上，进行干燥，

得到固定有纳米金属棒阵列的基底；

优选地，所述干燥为蒸发干燥，进一步优选地，蒸发干燥的时间为12-36h；

优选地，基底先依次进行清洗、亲水性处理以及硅烷化处理后，再在基底上滴加纳米金属棒分散液；

优选地，清洗所用试剂为乙醇和丙酮的混合液，进一步优选地，清洗时间为10-30min；

优选地，亲水性处理所用的试剂为食人鱼洗液，进一步优选地，亲水性处理的时间为0.5-2h；处理完后，表面对水接触角为15-30度。

优选地，硅烷化处理所用试剂为(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液，进一步优选地，硅烷化处理的时间为2-4h，更进一步优选地，所述(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的含量为0.8-1.2wt％。

本发明提供了上述表面增强拉曼散射微纳芯片在痕量检测中的应用。

本发明还提供了一种拉曼光谱测试系统，包括本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片。

与现有技术相比，本发明提供的表面增强拉曼微纳芯片及制备方法和拉曼光谱测试系统具有如下有益效果：

本发明提供的表面增强拉曼微纳芯片通过纳米金属棒阵列、纳米金属棒的尖端结构及负载的二氧化钼量子点相互协同，能够有效增强基底上的待测物分子信号，显著提高了拉曼光谱的检测精度，为痕量检测提供了手段，可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。

本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法工艺简单，成本低廉，适用于大规模和大范围制作。

本发明提供的拉曼光谱测试系统采用本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片进行待测物分子信号检测，显著提高了拉曼光谱的检测精度，为痕量检测提供了手段，可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的表面增强拉曼散射微纳芯片的结构示意图；

图2(a)为本发明实施例2提供的表面增强拉曼散射芯片的sem侧视图；

图2(b)为本发明实施例2提供的表面增强拉曼散射芯片的sem俯视图；

图3为实施例2提供的表面增强拉曼散射微纳芯片第一次测试得到的拉曼光谱图和第五次测试得到的拉曼光谱图的对照图。

图标：1-基底；2-纳米金棒；3-二硫化钼量子点。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

根据本发明的一个方面，本发明提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片，包括基底，所述基底上设置有纳米金属棒阵列，所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构，所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点。

在本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片中，纳米金属棒阵列中，纳米金属棒平行设置，且纳米金属棒的轴线均垂直于所述基底平面。

在本发明中，纳米金属棒的两端均具有尖端结构，指的是纳米金属棒的两端均为针尖结构，以便于纳米金属棒阵列及针尖结构有效协同，增强待测物分子的拉曼信号，提高检测精度。二硫化钼量子点具有大比表面积，能够有效捕获并吸附待测物分子，提高待测物痕量检测精度。

本发明提供的表面增强拉曼微纳芯片通过纳米金属棒阵列、纳米金属棒的尖端结构及负载的二氧化钼量子点相互协同，能够有效增强基底上的待测物分子信号，显著提高了拉曼光谱的检测精度，为痕量检测提供了手段，可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。

在本发明的一种优选实施方式中，二硫化钼量子点为单层结构，以便于提高二硫化钼量子点对待测物分子的捕获能力和吸附能力，从而进一步提高待测物分子的痕量检测精度。

在本发明的进一步优选实施方式中，二硫化钼量子点的厚度为0.7-1.2nm，二硫化钼量子点的尺寸为2-4nm。

在本发明的该优选实施方式中，二硫化钼量子点为单层结构，其平面为圆形或类圆形，该二硫化钼量子点的尺寸指的是二硫化钼量子点的平面尺寸。

典型但非限制性的，二硫化钼量子点的厚度如为0.7、0.8、0.9、1、1.1或1.2nm，尺寸如为2、2.2、2.5、2.8、3、3.2、3.5、3.8或4nm，

在本发明的一种优选实施方式中，纳米金属棒的长径比为2-8。不同纳米金属棒的长径比，适应于不同的激发波长。在本发明的该优选实施方式中，通过控制纳米金属棒的长径比，以适应商业化拉曼光源激发波长的需要。

典型但非限制性的，纳米金属棒的长径比如为2、3、4、5、6、7或8。

在本发明的一种优选实施方式中，纳米金属棒的直径为50-200nm，如为50、100、120、150、180或200nm。

在本发明的一种优选实施方式中，纳米金属棒的材质选自金、银或铜中的一种或两种以上的复合材料，以提高sers活性，尤其是当纳米金属棒的材质为金，即纳米金属棒为纳米金棒时，sers稳定性更高。

在本发明的一种优选实施方式中，基底为硅片或玻璃，以使得纳米金属棒阵列能够稳定固定于基底上。

在本发明的一种优选实施方式中，二硫化钼量子点的制备方法为“液相剥离法”，包括如下步骤：

将二硫化钼、丹宁酸和离子液体混合，获得混合液，将混合液依次进行研磨处理、超声处理和加热处理，得到二硫化钼量子点。

通过采用丹宁酸和离子液体与二硫化钼混合后依次进行研磨、超声和加热，使得二硫化钼破碎的更为充分，得到尺寸分布均匀，厚度均一的二硫化钼量子点，以提高二硫化钼量子点对待测物分子的捕获能力和负载能力，提高检测精度。

典型但非限制性的，二硫化钼量子点的制备方法包括如下步骤：

将500mg的二硫化钼粉末和250mg的丹宁酸粉末置于研钵中，加入1g离子液体并在研钵中研磨15min；采用50mln-甲基吡咯烷酮稀释研磨浆料并转移至密闭玻璃容器，置于超声波清洗机中处理0.5h，随后转移至烘箱中在120℃下热处理2h，重复2次；将分散液在真空条件下蒸干，重新溶于50ml去离子水，得到二硫化钼量子点的水分散液。

在本发明的进一步优选实施方式中，重复进行超声处理和加热处理，以使得二硫化钼粉体进一步破碎，得到的二硫化钼量子点的尺寸更小，比表面积更大，对待测物分子的捕获能力更强。

在本发明的进一步优选实施方式中，二硫化钼量子点还可以通过化学修饰等方式，使得二硫化钼量子点表面负载功能团，以捕获某些特殊的待测物分子。

根据本发明的第二个方面，本发明提供了上述表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供固定有纳米金属棒阵列的基底，其中，纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，纳米金属棒的两端均具有尖端结构；

(b)将固定有纳米金属棒的基底浸没于二硫化钼量子点分散液中，使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上，得到表面增强拉曼散射微纳芯片。

本发明提供的表明增强拉曼微纳芯片的制备方法通过将固定有纳米金属棒的基底浸没于二硫化钼量子点分散液中，使得二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离基底的一端上，制备工艺简单，操作方便，无需特殊设备，成本低廉，适用于规模化大范围制作。

在本发明的一种优选实施方式中，步骤(b)中，采用搅拌的方式使得二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离基底的一端的尖端结构上，工艺简单，操作方便，更利于控制二硫化钼的负载量。

在本发明的一种优选实施方式中，搅拌为温和搅拌，搅拌速度为400-1000rpm，以使得二硫化钼量子点稳定负载于纳米金属棒远离基底的一端的尖端结构上。

典型但非限制性的，步骤(b)中的搅拌速度如为400、500、600、700、800、900或1000rpm。

在本发明的一种优选实施方式中，步骤(b)中的搅拌时间为2-8h，以提高二硫化钼量子点在纳米金属棒尖端结构上的负载率。

典型但非限制性的，步骤(b)中的搅拌时间如为2、3、4、5、6、7或8h。

在本发明的一种优选实施方式中，二硫化钼量子点分散液为二硫化钼量子点的水分散液，以减少有机溶剂的使用，提高作业安全。

在本发明的进一步优选实施方式中，二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.4-0.6g/ml，以利于二硫化钼量子负载于纳米金属棒的尖端结构上。典型但非限制性的，二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度如为0.4、0.45、0.5、0.55或0.6g/ml。

在本发明的一种优选实施方式中，固定有纳米金属棒阵列的基底按照如下方法制备得到：将纳米金属棒分散液滴加到基底上，进行干燥，使得纳米金属棒垂直自组装于基底上，且多个纳米金属棒形成纳米金属棒阵列，得到固定有纳米金属棒陈列的基底。

在本发明的一种优选实施方式中，干燥为蒸发干燥，以使得制备得到的纳米金属棒阵列更为规整，典型但非限制性的，蒸发干燥的时间如为12、15、18、20、22、25、28、30、32或36h。

在本发明的一种优选实施方式中，蒸发干燥在含有饱和k2so4溶液的密闭玻璃容器中进行，容器内的温度控制在25-35℃，湿度控制在90-100％，蒸发时间控制在12-36h，以使得生成的纳米金属棒陈列更加规整。典型但非限制性的，容器内的温度如为25、28、30、32或35℃，湿度如为90、92、96、98或100％。

在本发明的一种优选实施方式中，基底先依次进行清洗，亲水性处理以及硅烷化处理后，再在基底上滴加纳米金属棒分散液，以便于纳米金属棒阵列能够通过自组装方式与基底更牢固稳定的连接。

在本发明的一种优选实施方式中，清洗基底，以将基底上的杂质去除，避免杂质的存在影响拉曼光谱检测精度，优选采用乙醇和丙酮的混合液进行清洗，以使得基底清洗的更加彻底。

在本发明的进一步优选实施方式中，清洗的时间如为10、12、15、18、20、22、25、28或30min。

在本发明的一种优选实施方式中，亲水性处理所用的试剂为食人鱼洗液。采用食人鱼洗液对基底进行亲水性处理，以去除基底上有机物，并使得基底材料表面羟基化，使得基底的亲水性更佳，对水接触角达到15-30度。

在本发明中，食人鱼洗液又称食人鱼溶液或食人鱼刻蚀液，食人鱼洗液是浓硫酸和30％过氧化氢的混合物(体积比7:3)。

典型但非限制性的，亲水性处理的时间如为0.5、0.8、1、1.2、1.5、1.8或2h。

在本发明的一种优选实施方式中，硅烷化处理是以有机硅烷水溶液为主要成分对金属或非金属进行表面处理的过程。

在本发明的进一步优选实施方式中，硅烷化处理所用试剂为(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液，以使得基底表面富含巯基。典型但非限制性的，(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的含量如为0.8、0.9、1、1.1或1.2wt％。

本发明的该优选实施方式中，采用“种晶法”制备纳米金棒。

在本发明进一步优选实施方式中，纳米金棒分散液的制备方法包括如下步骤：

(a)制备金纳米单晶晶种溶液：

将氯金酸(haucl4)溶液、硼氢化钠(nabh4)溶液和十六烷基三甲基溴化铵(ctab)溶液混合均匀，制得棕色金纳米单晶晶种溶液。

(b)制备纳米金棒分散液

将haucl4溶液、ctab、油酸钠、硝酸银溶液和盐酸溶液混合后，再加入坏血酸，得到混合溶液；待混合溶液变为无色时，将步骤(a)得到的金纳米单晶晶种溶液加入到上述混合溶液中，混合均匀，于常温下陈化，得到纳米金棒，用去离子水洗涤3-5次后，用去离子水稀释纳米金棒得到纳米金棒分散液。

在本发明的一种优选实施方式中，纳米金棒分散液中还包括ctab，以利于纳米金棒以垂直自组装方式固定于基底上。

根据本发明的第三个方面，本发明提供了一种拉曼光谱测试系统，包括本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片。

本发明提供的拉曼光谱测试系统采用本发明提供的表面增强拉曼散射微纳芯片进行待测物分子信号检测，显著提高了拉曼光谱的检测精度，为痕量检测提供了手段，可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。

下面结合实施例和对比例对本发明提供的技术方案进行进一步的说明。

实施例1

图1为本发明实施例1提供的表面增强拉曼散射微纳芯片的结构示意图，如图1所示，本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片，包括基底1，基底1上设置有纳米金棒阵列，纳米金棒阵列由纳米金棒2垂直自组装而成，纳米金棒2的两端均具有尖端结构，纳米金棒2远离基底1的一端负载有二硫化钼量子点3。

实施例2

本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，包括如下步骤：

(a)制备纳米金棒分散液：

(a1)将氯金酸(haucl4)(25mm，100μl)、新鲜配制的冰的硼氢化钠(10mm，600μl)、十六烷基三甲基溴化铵(ctab)(0.2m，5ml)加入到20ml烧杯中，保持0.5h，制得棕色金纳米单晶晶种溶液；

(a2)将haucl4(1mm，250ml)，ctab(7g)，油酸钠(1.2468g)、硝酸银(4mm，18ml)，盐酸(12.1m，1.5ml)混合后，再加入抗坏血酸(64mm，1.25ml)，得到混合溶液，待混合溶液变为无色时，在连续搅拌下，将400μl上述所得金纳米单晶晶种溶液加入到上述的混合溶液中，于常温下陈化保持12h，得到纳米金棒。用去离子水洗涤若干次后，用去离子水分散纳米金棒得到纳米金棒分散液，同时在纳米金棒分散液中加入ctab，使得纳米金棒分散液中，纳米金棒的浓度为10nm，ctab的浓度为1mm。

(b)制备二硫化钼量子点的水分散液

(b1)将500mg的二硫化钼粉末和250mg的丹宁酸粉末置于研钵中，加入1g离子液体并在研钵中研磨15min；

(b2)采用50mln-甲基吡咯烷酮稀释研磨浆料并转移至密闭玻璃容器，置于超声波清洗机中处理0.5h，随后转移至烘箱中在120℃下热处理2小时，重复2次；将分散液在真空条件下蒸干，重新溶于50ml去离子水，得到二硫化钼量子点的水分散液。

(c)对载玻片进行清洗、亲水性处理以及硅烷化处理：

(c1)用乙醇、丙酮在超声清洗机中清洗15min，用去离子水冲洗干净，再浸没于新鲜的食人鱼洗液中1.5min进行亲水性处理；取出处理完的载玻片，用去离子水冲洗干净，转移至含1wt％(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的乙醇溶液中进行硅烷化处理，用去离子水重新干净，使载玻片表面富含巯基。

(d)制备固定有纳米金棒阵列的载玻片

将制备好的纳米金棒分散液滴加并平铺在载玻片表面，置于含有饱和的k2so4溶液的密闭玻璃容器中，容器内的温湿度分别控制在30℃和96％，蒸发过程时间控制在12-36h，得到固定有纳米金棒阵列的载玻片。

(e)制备表面增强拉曼散射微纳芯片

取1ml步骤(b)所制备的二硫化钼量子点的水分散液，稀释至20ml，得到二硫化钼量子点浓度为0.5mg/ml的二硫化钼量子点的水分散液；将步骤(d)制备得到的固定有纳米金棒阵列的载玻片垂直浸没于二硫化钼量子点的水分散液中，并转移至磁力搅拌器上在500rpm的转速下搅拌25min；取出载玻片，用去离子水冲洗干净，并用n2枪吹干，得到表面增强拉曼散射微纳芯片。

实施例3

本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其与实施例2的不同之处在于，步骤(e)中，浸没固定有纳米金棒阵列的载玻片的二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.4mg/ml。

实施例4

本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其与实施例2的不同之处在于，步骤(e)中，浸没固定有纳米金棒阵列的载玻片的二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.6mg/ml。

实施例5

本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其与实施例2的不同之处在于，步骤(e)中，磁力搅拌器在1000rpm的转速下搅拌15min。

实施例6

本实施例提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其与实施例2的不同之处在于，步骤(e)中，磁力搅拌器在400rpm的转速下搅拌30min。

对比例1

本对比例提供了一种拉曼散射微纳芯片，其与实施例2提供的微纳芯片的不同之处在于，纳米金棒远离载玻片一端的尖端结构上未负载二硫化钼量子点，其制备方法同实施例2中步骤(a)、(c)和(d)，在此不再赘述。

试验例1

将实施例2-6制备得到的表面增强拉曼散射微纳芯片采用扫描电子纤维镜(sem)进行观测，结果显示，实施例2-6制备得到的微纳芯片中，多个纳米金棒均垂直分布于载玻片上，形成纳米金棒陈列，其中，纳米金棒的两端均为尖端结构，且纳米金棒远离基底的一端的极端结构上负载有二硫化钼量子点，二硫化钼量子点为单层结构，其厚度为1nm左右，尺寸为3nm左右。

以实施例2制备得到的表面增强拉曼散射微纳芯片的sem图为例进行说明，其中，图2(a)为本发明实施例2提供的表面增强拉曼散射芯片的sem侧视图；图2(b)为本发明实施例2提供的表面增强拉曼散射芯片的sem俯视图。

从图2(a)和图2(b)可以看出，实施例2制备得到的表面增强拉曼芯片中，多个纳米金棒均垂直固定于载玻片上形成纳米金属棒阵列，纳米金棒的两端均为尖端结构，二硫化钼量子为单层结构，且硫化钼量子点负载于纳米金棒远离载玻片的一端的尖端结构上。

试验例2

将实施例2提供的表面增强拉曼散射微纳芯片进行染料孔雀绿的拉曼信号测定，具体按照如下步骤进行：将实施例2提供的表面拉曼散射微纳芯片浸没于浓度为10^-12m的孔雀绿溶液中1h，取出并用去离子水清洗干净，用n2枪吹干，然后用激光拉曼光谱测试仪对该芯片进行测试并得到拉曼光谱，重复上述测试过程五次，图3为实施例2提供的表面增强拉曼散射微纳芯片第一次测试得到的拉曼光谱图和第五次测试得到的拉曼光谱图的对照图；从图3可以看出，实施例2提供的表面增强拉曼散射微纳芯片第一次测定得到的拉曼光谱信号强度和第五次测定得到的拉曼光谱信号强度基本一致，这说明实施例2提供的表面增强拉曼散射微纳芯片进行痕量物质测定时具有很高的重复性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。