专利名称：应变检测元件及使用它的压力变换器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体应变检测元件及使用该元件的压力变换器，更详细地说，涉以使用化学汽相淀积(CVD)法，在结构变形部分的衬底上，形成具有补偿所述衬底应变量温度系数那样温度特性的半导体压敏电阻应变计的应变检测元件及使用了该元件的压力变换器。
迄今已有种种制造半导体应变计的方法。例如有用真空蒸镀法或溅射法等形成薄膜应变计的方法、或者有把结晶硅切出细长的薄片状以获得半导体应变计的方法等。
用这些方法所获得的薄膜应变计或半导体应变计贴附、粘结或蒸镀在变形部分(例如，金属板、膜盒、金属膜片等)上作为应变检测元件，而且用贴附等方法把灵敏度温度补偿用的电阻部分附设在应变部分附近或应变检测元件外部，将该灵敏度温度补偿用的电阻部分与所述应变检测元件的输入级串联或并联、又与晶体管和固定电阻同时插入，或者插入所述应变检测元件输出级放大器的反馈电路，改变放大系数，进行灵敏度的温度补偿。
另外，通过在单晶衬底内选择性地扩散杂质、形成与衬底不同型的半导体应变计电桥，作为应变检测元件，另外在单晶衬底内进行扩散，形成灵敏度温度补偿电阻区，在与上述相同位置中插入灵敏度温度补偿用的电阻区，从而进行灵敏度的温度补偿。
图12和图13是表示现有技术扩散型压力传感器的变形部分的图，标号91是构成衬底的硅片，在该硅片91的中央部分形成凹陷部分，构成膜片部分92。然后，在上述膜片部分92上形成扩散型压敏电阻元件93，再进一步形成为进行灵敏度温度补偿用的扩散型灵敏度温度补偿部分94。
可是，用现有技术的真空蒸镀法或溅射法或者单晶切割等三种方法的应变检测元件，就电阻和应变率来说，虽具有温度系数小而且使用温度范围广这些优点，但由于切割方法和杂质浓度弥散等原因，必须进行灵敏度的温度补偿，因此，要用灵敏度电阻等进行外部或内部补偿。
另外，在压力变换器中使用备有这种单晶切割型压敏元件的膜片部分时，由于膜片部分制造时就要与接合部件进行一体化处理，特别使膜片部分的制作与应变计形成等很花费工夫，因此招致成本增高这样的缺点。
再说，接合部分必须根据压力变换器的安装地点等各种变更，如按以前那样使压力传感器部分与接合部件成为一体的话，制造时需要化费时间，而且还有不能根据需要迅速作出相应处理的缺点。
而且，通常将设置于接合部件的螺栓紧固后，往往由此产生的变形会波及膜片，从而对压力传感器产生外扰作用的弊病。
再者，以前安装于压力变换器上的信号处理装置还存在使接合部件的轴向大而突出的缺点。
另外，对于使用扩散型压敏电阻元件的应变检测元件，电阻及应变率的灵敏度温度系数分别为2000PPm/℃、-1000PPm/℃，都很大，有必要用外加或同时形成的晶体管等有源元件或者灵敏度补偿电阻进行温度补偿。
这样用另一途径来设置灵敏度温度补偿手段，不仅造成制作工序的复杂化而且会由于元件点数增加而引起可靠性下降和响应性能恶化等问题。
本发明是鉴于上述情况而立题研究的，其目的在于消除上述问题，提供一种构成变形部分的衬底的应变量温度系数具有补偿作用的温度特性的半导体压敏电阻计，以及使用了该元件的压力变换器。
为实现上述目的，本发明的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件是在构成变形部分的衬底上，形成具有补偿该衬底应变量温度系数那样温度特性的压敏电阻应变计，并用该压敏电阻应变计构成惠斯登电桥而构成的。
另外，所述应变检测元件的压敏电阻应变计，是使用掺杂用气体和氢化硅气体，用CVD法生成而构成的。
还有，配备有所述应变检测元件的压力变换器，其压力传感器部分与所述接合部件是用各自独立的部件构成的。
再者，所述压力传感器部分和输入压力用金属管收在接合部件中形成的收纳开口之内，该压力传感器部分的压力输入口和输入压力用金属管的一端，以及输入压力用金属管的另一端与接合部件是分别粘合而构成的。
另外，压力传感器部分是粘合在接合部件上所设置的突起部分上而构成的。
而且，备有所述应变检测元件的压力变换器还备有有膜片的压力传感器部分、支撑该压力传感器部分同时对该压力传感器部分输入压力的接合部件，以及环抱住处理来自所述压力传感器信号的信号处理装置并与所述接合部件相连结的外壳，所述压力传感器部分是把膜片支撑在筒状台座部分一端而形成的，所述信号处理装置是在沿与所述接合部件的轴向正交的方向延伸而同时围绕所述压力传感器部分的衬底上形成的，所述外壳覆盖所述衬底形成扁平的形状，所述接合部件和所述外壳是对所述筒状台座部分的另一端进行连接而构成。
本发明利用化学汽相淀积装置在氢化硅气体中通入掺杂用气体，通过改变其反应条件等来控制压敏电阻应变计的灵敏度温度系数，对形成了该压敏电阻应变计的衬底的应变温度系数进行补偿。
另外，本发明的压力传感器部分与接合部件和外壳都是自成单体的，是分别单独制成后再予以结合而形成整体化的。
再者。由于压力传感器部分与接合部件可以在分开的情况下进行其性能检查、校正和选择，接合部件也可以单独制造，准备各种的规格品种，由此不仅便于制造、可降低成本，并有可能根据各种需要迅速地得到相应的处理。
又由于信号处理装置是延展在与所述接合部件的轴向正交的方向同时围绕压力传感器部分的衬底上形成的，所述外壳环抱住所述衬底形成扁平的形状，所述接合部件和所述外壳对所述筒状台座部分的另一端进行连接，使压力变换器沿接合部件的轴向尺寸变短，而且使整体趋于小形化。
因为膜片与接合部件之间介入有筒状台座部分，彼此相对是间接进行连接的，所以在既定部位安装压力变换器时加在接合部件上的力，由于筒状台座部分的缘故而有所缓和，可防止其直接传达到膜片。由此，变形部分就不会发生有害的信号。
还有，流体的压力变成通过接合部件和筒状台座部分的空腔才作用到膜片上。
下面根据图1至图8中示出的实施例对本发明进行详细的说明。附图中图1是按照本发明的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件的横剖侧视图，图2是图1的平面图，图3是制造本发明应变检测元件的电容耦合型等离子体CVD装置的简图，图4是展示有关构成本发明膜片的衬底的杨氏弹性模量的温度特性曲线图，图5是展示图4衬底的应变量的温度特性曲线图，图6是展示本发明的应变检测元件的应变-电阻特性曲线图，图7和图8是有关本发明的压敏电阻应变计的应变率的温度特性曲线图。其中图7是以衬底温度作为参量的特性曲线图，以及图8是以氢化硼温度为参量的特性曲线图。
在图1或图2中，标号1是金属性衬底，该衬底1，例如，可以是用不锈钢整体成型而制成的，在该衬底1的下部由于形成凹陷部分的缘故形成圆形薄板部1a，作为受压膜片22，并用该膜片22构成了变形部分。
所述衬底1的上面经研磨以后，在其上面例如，由等离子体CVD法形成层间绝缘用的氧化硅薄膜(SiO2膜)2，更进一步，在该氧化硅薄膜2上用等离子体CVD法使其析出含有硅的薄膜(以下简称为硅薄膜)。
然后，在所述硅膜上施行光刻技术，如图1和图2所示，留下部分硅薄膜而将其余部分全予除去，用留下的硅薄膜形成压敏电阻应变计3。
再进一步给压敏电阻应变计3真空蒸镀金之类的金属形成电极，用超声波焊接给电极装上引线。然后对电极和引线进行适当的连接，构成惠斯登电桥，就用该惠斯登电桥来测定直接压力。
接着在衬底1上析出氧化硅薄膜2，更进一步为使该氧化硅薄膜2上析出硅薄膜所用的等离子体CVD法是CVD法中的一种，其他还有减压CVD法，光CVD法和激光CVD法，等等。作为一实施例仅就等离子体CVD装置加以说明。
等离子体CVD装置中，有电感耦合方式和电容耦合方式(详细可参照营野卓雄编著的《半导体等离子加工技术》一书)。
此处描述使用电容耦合型等离子体CVD装置的情况。
图3是电容耦合型等离子体CVD装置的一个实施例，在反应室11内部相对配置了圆形衬底电极12和高频电极13。
同时，在反应室11外侧区附近，设有为连通真空泵(图上未示出)的通路14，形成了14，用所述真空泵就构成了反应室11内的排气环境。
一方面，在所述衬底电极12的中心部分形成了气体输入通路15，从该气体输入通路15构成了输入氢化硅气体和氢化硼气体等反应气体的环境。
然后，用磁回转机构16构成了可回转的所述衬底电极12。
并且，在所述衬底电极12的下方配置了加热器17，用该加热器17构成了控制反应室11内基板电极12的温度条件。
下面根据上述装置说明关于在氧化硅薄膜2上析出硅薄膜的方法。
首先，将形成氧化硅薄膜2的衬底1配置在反应室11内的衬底电极12上，用所述真空泵对该反应室11内的空气进行排气。
然后，从气体输入通路15向反应室11内输入SiH4气体(H290%稀释)和作为掺杂用气体之一例的B2H6气体(1500ppm、H2稀释)，SiH4气体与B2H6气体的比例用克分子比为100∶0.01-100∶2，以此混合气体作为反应气体。用衬底电极12和高频电极13给该反应气体施加高频电场，利用其电能激活反应气体，在该等离子区中使衬底状物质发生反应而在氧化硅薄膜2的表面析出薄膜。
用针阀微调SiH4气体和B2H6气体的流量，例如，将B2H6气体的流量调整为30SCCM(20℃、在一大气压时平均每分钟的CM3)、60SCCM、90SCCM、120SCCM、150SCCM。
同时，将反应室11内的压力设定为大约1.0托。该压力是通过设置膜片真空计而测定的。
更进一步，将衬底温度(Ts)各自变为500℃、550℃、575℃、600℃、625℃、650℃、分别对压敏电阻应变计进行了调整。
下面，说明如上进行了调整的有关压敏电阻应变计3与构成不锈钢膜片的衬底1之间的关系。
将上述加在不锈钢膜片上的压力看成与圆周固定圆板的等分布荷重等价，设膜片的半径方向和圆周方向应力为σr，σθ，压力为p，膜片厚度为h，泊松比为γ，膜片半径为α，自中心的半径为r，则σr= 3/8 (pa2)/(h2) ［(1+γ)-(3+γ) (r2)/(a2) ］…(1)σθ= 3/8 (pa2)/(h2) ［(1+γ)-(1+3γ) (r2)/(a2) ］…(2)又。设半径方向和圆周方向的应变为εr、εθ，则εr= (σr)/(E) …(3)εr= (σθ)/(E) …(4)一方面，不锈钢的杨氏弹性模量的温度特性如图4所示，图中，横轴是周围温度T(℃)，纵轴表示杨氏弹性模量E(kgf/mm2)，另外，相对于周围温度T(℃)的应变量ε的变化如图5所示图中，横轴是周围温度T(℃)，纵轴表示应变量ε。图5所表示的曲线是由于在(3)、(4)式中杨氏弹性模量E是分母，并且，杨氏弹性模量E具有下降坡度的温度特性之故。
即，从图4至图5及(1)至(4)式，可以看出，如果不锈钢膜片的温度上升，则不锈钢膜片的应变量也增加，即，显然应变量温度系数具有正的趋势。
同时，图6展示用所述等离子体CVD法时，在对反应条件作各种变化的情况下，经调整的压敏电阻元件的应变ε对于表示电阻(R)的变化程度的电阻变化率(△R/R)之间的特性曲线。
如图6所示，该压敏电阻元件由于添加硼而呈现P型传导，电阻变化率(△R/R)相对于拉伸时增大，相对于压缩时减小。显然根据本发明制出的压敏电阻元件，相对于应变具有直线性的特性曲线。
下面，由上述压敏电阻元件构成的压敏电阻应变计3，其应变率G随周围温度T(℃)变化的情况示于图7。此处，应变率G可由下式表示。
G＝(△R/R)/(△l/l)式中，△l/l表示长度变化率，即变形ε。
从该图可清楚看到，在衬底温度约为550℃时所形成的应变率变化与周围温度具有正的依赖关系，同时在衬底温度约为575℃以上时所形成的应变率变化则具有负的周围温度依赖关系。
图7加图8展示以反应气体中氢化硼添加比例为参数的情况下，压敏电阻应变计3的应变率随周围温度T(℃)变化的特性曲线。
从该图中可清楚看到，通过控制氢化硼的添加比例，可获得所要求的应变率变化的压敏电阻应变计3。
就是说，依靠对氢化硼添加比例进行各种变化，可以使应变率G随着周围温度T(℃)的上升而降低。
但是，压敏电阻应变计的电阻变化率△R/R可以利用应变率G和变形量ε，用以下的(5)式表示△R/R＝G·ε…(5)同时，膜片温度为T(℃)时应变率GT和应变量εT可以利用应变率温度系数α和应变量温度系数β，用(6)式和(7)式来表示GT＝G(1+α·T) …(6)εT＝ε(1+β·T) …(7)因此，压敏电阻应变计在温度T(℃)时，其电阻变化率显然可用(8)式予以表示( (△R)/(R) )T＝G·ε〔1+(α+β)·T+α·β·T2〕…(8)见(8)式，用衬底构成的变形部分膜片的应变量温度系数β和应变率温度系数α，可以决定压敏电阻应变计的电阻随温度变化而变化的情况，又根据本实施例使用了不锈钢膜片和压敏电阻应变计的压力传感器的输出，设惠斯登电桥电路的输入电压为Ein，其输出电压为Eout，则可用(9)式予以表示Eout＝( (△R)/(R) )T·Ein…(9)因此，压力传感器的灵敏度温度特性T可用(10)式予以表示T＝(α+β)T+α·β·T2…(10)据此可清楚看到，压力传感器的灵敏度温度特性，可由用衬底构成的变形部分薄膜的应变量温度系数β和应变率温度系数α确定。
此处，显然膜片的应变量温度系数β如图5所示，具有上升的斜度，压敏电阻应变计3的应变率温度系数α则如图7、8所示，具有大致下降的斜度。
因此，如果选择压敏电阻应变计3，使其应变率温度系数α能够补偿(抵消)膜片的变形量温度系数β，就可以使压力传感器的灵敏度温度特性T变小。
从而，根据本发明的压力传感器，可在没有灵敏度温度补偿部分的情况下，使压敏电阻应变计的应变率温度系数补偿膜片的应变量温度系数，此外，如果通过改变等离子体CVD法的反应条件，作成具有所要求的灵敏度温度系数和零温度系数的压敏电阻应变计的话，就能使压力传感器的温度特性综合地变小。
在本实施例中，虽然描述了适用于由不锈钢构成的金属膜片，但是不用说本发明也能够适用于各种材质的膜片。
下面，参照图9至11对上述用有关本发明的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件的压力变换器及其适合的具体实例加以说明。
图9、图10及图11分别是与本发明有关的压力变换器的垂直剖面图。
如图9所示，压力变换器备置有装在接合部件21的开口部分30内的压力传感器19、位于该压力传感器部分19的下方输入压力用金属管20和围绕该压力传感器部分及输入压力用金属管20的接合部件21。
压力传感器部分19包含膜片22和将膜片22支撑于其上的筒状台座部分23，这些都是用不锈钢整体成形加工成的。
该膜片22即成为压力传感器部分19的变形部分，在其上面形成了如图1和图2所示的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件的构成要素。
另外，在膜片22的上面用粘接剂等粘合了浅盘子状的密闭封帽26。
还有，标号27是为了取出来自所述应变计的输出信号在所述密闭封帽26上焊锡装上的电线，为与所述压敏电阻应变计3连接，该电线连接了引线32。并且，所述密闭封帽26装在环状物33内，在该环状物33中充填有树酯封装材料44。
就构成应变检测元件的氧化硅薄膜2的形成来说，是采用了所述等离子体CVD法。
所述筒状台座部23既当所述膜片的支撑，同时又成为压力输入部分，其内部作为输入压力用的空腔28(压力输入口)。这样的筒状台座部分23和膜片22在制造阶段是整体做成的，但即使是单独做成后再结合在一起的话也是可行的。
在该筒状台座部分23的内侧连接输入压力用金属管20的顶端。对这种连接来说采用电子束焊接和激光焊接等热量输入少的焊接方法均可。因此，连接部分的变形既小又可得到切实的密封。
所述输入压力用金属管20与接合部件21进行连接。这种连接也都用上述同样的焊头方法实现。该接合部件21大体呈圆筒状，在其内部下方的孔29中插入所述输入压力用的金属管20，在内部上方的空洞28中贮藏着置于间隙中的所述压力传感器部分19。另外，在接合部件外面的上下方加工有安装该压力变换器用的螺纹31、31，在其中心部分则加工成扩张部分21a。
对接合部件21来说，在将图1未示出的螺母等安装到螺纹31上并施加外力时，由于如上所述压力传感器部分19与接合部件21并不直接接触，所以加到接合部件21的力就不至于传送到压力传感器部分19的膜片22上。
接着，图10展示了本发明的另一实施例。
在接合部件21的中心部位形成压力输入口35，在接合部件21的外面的中央部位形成扩张部分21a，在其上下方分别形成螺纹31，压力传感器19的筒状台座部连接在上面中央突起部分21b上。在该情况下，压力传感器部分19与接合部件21的连接是非常容易的。
下面，一边参照图11，一边对上述压力变换器已装好信号处理装置等情况下的合适的实施例(压力变换器)加以说明。
如图11所示，压力变换器备置有具有形成了压敏电阻应变计3的膜片22的压力传感器部分19，支撑该压力传感器部分19同时对压力传感器部分19输入压力的接合部件21，以及覆盖处理来自所述压力传感器部分19的信号的信号处理装置、并与所述接合部件21进行连接的外壳50。
压力传感器部分19包含膜片22和将膜片22支撑于其上的筒状台座部分23。
所述筒状台座部23是当做压力传感器部分19的压力输入部分用的，其内部构成了输入压力用的空腔28(压力输入口)。
图示例中，筒状台座23和膜片22是用不锈钢材整体车削加工成的，但即使是单独作成后再结合在一起的话也是可行的。
所述膜片22即成为压力传感器部分19的变形部分，在其上面形成如前所述的氧化硅(SiO2)薄膜2，并进一步在其上又形成了由硅薄膜构成的压敏电阻应变计3。
就所述氧化硅薄膜2的形成来说，是采用了象前述那样的等离子体CVD法。
所述信号处理装置含有放大来自所述压力传感器部分19的信号的放大器电路，都是形成在延展于与所述接合部件21的轴向正交的方向的衬底49上的。
而且，该衬底49在中央形成有穴的环形，围绕住所述压力传感器部分19的筒状台座部分23，对其周边的边缘部分34保持着凸缘状。
还有，用引线32将压力传感器部分19的应变计3与衬底49进行连接。并且，将掩蔽所述压力传感器部分19的应变计3的橡胶制的保护罩紧固在所述衬底49上。
所述接合部材21加工成管状，在其上端设置有可与所述压力传感器部分19的筒状台座部分23的下端及所述外壳50的下端接合的阶梯形接口37，在其下端设置了可将之安装到压力测定部位用的螺纹31。
所述外壳50由位于与所述基板49下方中央空穴处相遇的盘子状的外壳下部50a，以及位于所述衬底和压力传感器部分19上方的罩状的外壳上部50b构成，在它们的周边进行嵌合整体构成扁平形状。
所述接合部件21的阶梯形接口37的部分与所述外壳下部50a穴的边缘部分相互处于重合的状态，对着所述筒状台座部23的下端都连接在一起。
再者，前述连结在图示例中都用电子束焊接和激光焊接等热量输入少的焊接方法。由此连接部分的变形既小又可得到切实的密封。
还有，以标号39示出的是为细调整所述衬底49与所述外壳50间位置关系、用橡胶制成的密封部件。
同时，以标号40示出的是为取出来自所述压力传感器部分的输出信号锡焊在所述衬底19上的电线，该电线40穿过安装在所述外壳上的绝缘管41引出到外壳之外。
使用如上所述的压力变换器时，需要进行压力测定的流体沿着接合部件的轴孔，通过筒状台座部分的空腔28而作用到膜片22上。据此，与流体压力相对应在衬底49上产生出信号，经衬底上的信号处理装置处理后，由引线取出到外面。
从以上实施例的说明中，可以清楚看到在本发明中，由于利用根据用掺杂用气体和氧化硅气体的CVD法所生成的压敏电阻应变计的特性，可以成为不必要另设感温电阻等外部或内部灵敏度温度补偿的压力传感器。即，如采用本发明能够在构成变形部分的基板上，形成具有补偿该衬底应变量温度系数那样应变率温度系数的压敏电阻应变计，通过由该压敏电阻应变计构成的惠斯登电桥，即使不另外设置进行灵敏度温度补偿的电阻，由于压敏电阻应变计本身的应变率温度系数也能够补偿构成变形部分衬底的应变量温度系数。
并且，与上述效果相应随着能够谋求压敏电阻应变计自身制造工序的简化，由于减少元件点数。还可以谋求提高可靠性和提高响应性能等。
再者，由于在本发明的压力变换器中，这样构成的压力传感器部分与接合部件是单独制成后再结合而成整体化的，因此，压力传感器部分和接合部件可以在分开的情况下进行其性能检查、校正和选择，接合部件也可以单独制造，准备各种的规格品种，由此不仅便于制造，可降低成本，即使对于特殊用途，由于容易适应、也能够起到根据各种需要迅速地相应处理的效果。
而且，由于膜片与接合部件之间相对介入有筒状台座部分等，是间接进行连接的，所以在既定部位安装压力变换器时，加在接合部件上的力，由于筒状台座部分的缘故而有所缓和，可防止其直接传达到膜片。从而可防止以前安装压力变换器时容易伴生的在变形部分方面有害信号的发生，从而提高了测定精度，并且由于整体实现了小型化，所以即使在空间有限的压力测定部位也能够很容易进行安装。
并且，由于信号处理装置是延展在与所述接合部件的轴向正交的方向同时围绕压力传感器部分而形成在衬底上的，所述外壳覆盖该衬底，形成扁平的形状，而且所述接合部件和所述外壳相对于所述筒状台座部分的另一端相互连接在一起，所以可防止压力变换器的接合部件轴向容易不恰当产生的在变形部分方面有害信号的发生，能够起到提高测定精度的效果。
权利要求
1.灵敏度温度自行补偿型应变检测元件，其特征在于它是在构成变形部分的衬底上形成具有补偿该衬底应变量温度系数那样温度特性的压敏电阻应变计，并用该压敏电阻应变计构成惠斯登电桥而构成的。
2.根据权利要求1所述的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件，其特征在于压敏电阻应变计是用含有掺杂用气体和氢化硅气体等反应气体依靠CVD法而生成的。
3.压力变换器，其特征在于具有备置有权利要求1或2所述的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件的膜片的压力传感器部分和输入压力的接合部件是由独立构件构成的。
4.根据权利要求3描述的压力变换器，其特征在于所述压力传感器部分和输入压力用金属管均装入接合部件内所形成的开口之内，该压力传感器部分的压力输入口和输入压力用金属管的一端，以及输入压力用金属管的另一端与接合部件是分别粘合而构成的。
5.根据权利要求3所述的压力变换器，其特征在于所述压力传感器部分粘合在接合部件已设置好的突起部分上。
6.压力变换器，备置有具有权利要求1或2所述的灵敏度温度自行补偿型应变检测元件的膜片的压力传感器部分。支撑该压力传感器部分的同时对该压力传感器部分输入压力的接合部件，以及环抱住对来自所述压力传感器信号进行处理的信号处理装置并与所述接合部件相连接的外壳，压力变换器，其特征在于所述压力传感器部分是依靠支撑在筒状台座部分一端的膜片而形成的，所述信号处理装置是延展在与所述接合部件的轴向正交的方向同时围绕所述压力传感器部分而形成在衬底上的，所述外壳覆盖所述衬底形成扁平的形状，所述筒状台座部分的另一端和所述外壳相对于所述接合部件都连接在一起。
全文摘要
本发明涉及使用CVD法在构成变形部分的衬底上，形成具有补偿所述衬底应变量温度系数那样温度特性的半导体压敏电阻应变计的应变检测元件及使用了该元件的压力变换器。由于在本发明的压力变换器中压力传感器部分与接合部件是独立制成后再结合而形成整体化的，结构上已注意到防止安装时在变形部分可能伴生的有害信号的发生，所以不仅便于制造和安装，可降低成本，适应性强，整体实现了小型化且可收到提高测定精度的效果。
文档编号G01L19/04GK1049718SQ8910696
公开日1991年3月6日 申请日期1989年8月25日 优先权日1989年8月25日
发明者长坂宏, 远山秀司 申请人:株式会社长野计器制作所