；以及 在所述磁传感器与所述信号层之间与所述磁传感器基板的第二侧相邻提供电源层或接地层中的至少一个。37.根据权利要求35所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中将所述磁传感器阵列中的所述多个磁传感器与操作所述磁传感器的所述微控制器磁屏蔽开还包括: 在所述微控制器与所述磁传感器之间提供磁屏蔽。38.根据权利要求37所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中在所述微控制器与所述磁传感器之间提供磁屏蔽包括提供由mu-metal形成的磁屏蔽。39.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁传感器阵列中的所述多个磁传感器包括相继测量与所述多个磁传感器中的每一个一致的局域磁场。40.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，还包括: 向所述磁传感器阵列提供基本上由传导冷却、对流冷却、或传导冷却和对流冷却组成的冷却。41.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁阵列中的所述多个磁传感器包括操作多个传感器模块中的每一个以响应于沿着每个传感器模块至少三条轴的磁场而感测相应的局域磁场。42.根据权利要求41所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作多个传感器模块中的每一个以感测沿着每个传感器模块至少三条轴的相应局域磁场包括针对每个传感器模块并在每个传感器模块上的三个磁传感器的每一个中测量固定角铁磁层与感应角铁磁层或顺磁层之间的电阻的变化；并且 其中感应自旋响应于与每个相应磁传感器一致的沿着其相应轴的磁场强度。43.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁阵列中的所述多个磁传感器包括操作多个X轴磁传感器、多个Y轴磁传感器和多个Z轴磁传感器。44.根据权利要求43所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁阵列中的所述多个磁传感器包括操作相等数量的X轴磁传感器、Y轴磁传感器和Z轴磁传感器。45.根据权利要求43所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁阵列中的所述多个磁传感器包括操作不等数量的X轴磁传感器、Y轴磁传感器和Z轴磁传感器。46.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作所述磁阵列中的所述多个磁传感器包括操作被配置成与对应于多个传感器模块中的每一个的多个磁传感器连接的专用集成电路(ASIC)或其他可编程电路。47.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作磁传感器阵列中的多个磁传感器包括操作布置在传感器模块中的多个磁传感器，每个传感器模块被配置成感测多条感测轴上的局域磁场。48.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作磁传感器阵列中的多个磁传感器包括操作微控制器以一次仅使一个传感器模块操作以感测相应的局域磁场；以及 当传感器模块正在操作时通过所述微控制器暂停读写操作。49.根据权利要求48所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中当传感器模块正在操作时通过所述微控制器暂停读写操作包括暂停读写操作直到正在操作的传感器模块切换接口针脚或直到发生超时。50.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作磁传感器阵列中的多个磁传感器；并且 其中所述磁成像仪被配置成在约100毫秒或更短的时间内检测电磁图像。51.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，还包括: 当所述多个磁传感器正在操作时断开可操作地耦合到所述磁场分析电路的通用串行总线(usb端口)的数据线与从所述usb端口接收的电源或接地之间的导通。52.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作磁传感器阵列中的多个磁传感器包括操作具有2X2或更大的阵列大小的磁传感器阵列中的多个磁传感器。53.根据权利要求52所述的生成对应于磁场的图像的方法，操作具有2X2或更大的阵列大小的磁传感器阵列中的多个磁传感器包括操作布置在2X2或更大阵列大小的模块中的磁传感器，而每个模块包括多条检测轴。54.根据权利要求52所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中操作磁传感器阵列中的多个磁传感器包括操作具有4X4或更大的阵列大小的磁传感器阵列中的多个磁传感器。55.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括针对所述磁传感器阵列中的每个位置选择对应于沿着一条轴的磁场强度的至少一个值并使用所选的值作为所述磁场图像的输入。56.根据权利要求55所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中针对所述磁传感器阵列中的每个位置选择对应于沿着一条轴的磁场强度的至少一个值包括选择对应于沿着三条轴中的每一条的磁场强度的三个值中的最大值。57.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括针对所述磁传感器阵列中的每个位置合并对应于沿着多条轴的一致磁场强度的数据值以独立于任一条轴确定磁场强度。58.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括针对所述磁传感器阵列中的每个位置将对应于沿着三条轴中的每一条的所述磁场强度的值平方，对所述二次方值求和并取所述二次方值的和的平方根； 其中所述二次方值的和的平方根表示对应于标量磁场强度的数据值。59.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括针对所述磁传感器阵列中的每个位置作为一系列计算机可执行指令计算对应于对下式求解的磁场强度:B = sqrt(bl**2+b2**2+b3**2)； 其中: B是对应于磁场强度的标量值， b I是对应于沿着第一轴的磁场强度的标量值， b2是对应于沿着与所述第一轴正交的第二轴的磁场强度的标量值，并且 b3是对应于沿着与所述第一和第二轴正交的第三轴的磁场强度的标量值。60.根据权利要求59所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中所述一系列计算机可执行指令包括浮点运算。61.根据权利要求59所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中所述一系列计算机可执行指令被配置成使得对下式求解:B = sqrt(bl**2+b2**2+b3**2)； 其中: bl = blmeas_blref， b2 = b2neas-b2ref，并且 b3 = b3_s-b3ref; 其中: “^㈣是在当被测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着第一轴的磁场强度的标量值， big是在当无可测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着所述第一轴的磁场强度的标量值， 匕2_3是在当被测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着第二轴的磁场强度的标量值， b2?f是在当无可测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着所述第二轴的磁场强度的标量值， 匕3_5是在当被测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着第三轴的磁场强度的标量值，且 b3?f是在当无可测对象处于对应于所述传感器阵列的范围的视野内时的时间间隔期间对应于沿着所述第三轴的磁场强度的标量值。62.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像基本上由生成表面图组成。63.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像基本上由生成热图组成。64.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括生成叠加在表面图上的热图或生成叠加在热图上的表面图。65.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括内插对应于所述磁传感器之间的位置的磁场强度。66.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中通过所述磁场分析电路生成对应于所述多个数据值的磁场图像包括响应于所述数据值或所述数据值的函数执行样条函数。67.根据权利要求33所述的生成对应于磁场的图像的方法，还包括: 操作可见光、紫外线或红外线成像仪以捕获生成一个或多个所述磁场的近场对象的图像。68.根据权利要求67所述的生成对应于磁场的图像的方法，还包括:将所述近场对象的图像的一个或多个特征与一个或多个所述磁场相关联。69.根据权利要求67所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中将所述成像仪与所述磁传感器阵列配准并可操作地耦合到所述磁场分析电路。70.根据权利要求67所述的生成对应于磁场的图像的方法，其中作为对应于所述磁场的所述图像输出所述磁场图像包括输出与所述可见光、紫外线或红外线成像仪所产生的可见光、紫外线或红外线图像配准的磁场图像。
【专利摘要】根据多个实施例，将多轴磁传感器(磁强计)设置在一个阵列或多个阵列中。所述磁传感器可设置在形成所述阵列的模块上。所述磁传感器可各自感测与相应传感器一致的局域磁场。对应于所述局域磁场的数据可通过磁场分析电路进行分析并汇编以形成对于所感测的磁场的图像。所述磁场分析电路可输出对应于近场磁特征的图像。
【IPC分类】G01R33/10
【公开号】CN105122075
【申请号】CN201480009160
【发明人】大卫·B·古德森, 基思·马林斯, 艾伦·B·科温, 罗纳德·J·舍恩伯格, C·麦吉尔·林德, 克里斯多佛·A·威克洛夫
【申请人】创光公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年3月12日
【公告号】WO2014165292A1