使用积分球测半导体激光器管芯装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体激光器制造技术领域，具体涉及使用积分球测半导体激光器管芯装置。
【背景技术】
[0002]中功率(1W-50W)半导体激光器，在科研、医疗、材料加工等领域有广泛的应用。半导体激光器中的关键性组件一一管芯(Chip)的性能，对成品半导体激光器影响较大。为了在批量生产中快速检验管芯的合格率，提高半导体激光器的成品质量，通常需要在Chip使用前对其性能参数进行全面测定。
[0003]在已有的管芯的特性检测设备中，通常只关心如何快速夹持管芯，即通过限位装置固定管芯位置、采用压力传感器防止管芯受损、通过探针或者金属膜片给管芯供电。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单、设计合理、操作方便的使用积分球测半导体激光器管芯装置。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:它包含支撑板、水冷台、底座、手拧螺丝、限位圈、压块、滚针、电路板、管芯、积分球、通孔、小磁铁；所述的积分球上相互垂直的三面开孔，在其中一面开孔的一侧设置有支撑板，水冷台通过紧固件与支撑板连接，水冷台的上方设置有底座，底座的上方设置有电路板，电路板的一侧连接有管芯，管芯置于底座的限位卡槽内，电路板的上方设置有压块，电路板与压块之间还设置有滚针；所述的压块的边缘为圆弧状，压块的边缘与管芯、电路板接触，压块、电路板、底座通过手拧螺丝拧紧，压块的上端面与手拧螺丝之间设置有限位圈；所述的水冷台上设置有通孔；所述的水冷台和底座之间设置有小磁铁。
[0006]作为优选，所述的电路板上贴有镀金铜片。
[0007]作为优选，所述的电路板上设置有四根导电柱。
[0008]作为优选，所述的水冷台、底座采用紫铜材质制成。
[0009]作为优选，所述的压块采用PVC材质制成。
[0010]本实用新型操作时，积分球在相互垂直的三面开孔，支撑板固定在开孔为Φ25的平面，使用内六角螺丝将其固定在积分球上，水冷台固定在支撑板上，初次安装后需要调试，以管芯正中与积分球开孔正中在同一平面为准，二者安装后不可拆卸，使用螺纹固定胶保证其稳固性，水冷台采用的通孔设计是为了适配水冷循环系统，通常控制循环水温在25 °C，连接处使用快插水嘴，方便在不同场合快速将此装置接入系统。
[0011]取下底座，逆时针旋转手拧螺丝更换管芯后，再将手拧螺丝拧紧，压块的边缘圆弧设计缓冲受力，当手拧力度过大时，PVC塑料的压块产生形变缓冲管芯受力，滚针是用作限位，限制压块的位移，每次更换管芯，必须保证压块的圆弧部分落在管芯的两侧，电路板分为四层，与底座直接接触的材料选择FR-4板材，厚度为0.3mm，两层FPC基板胶片，一层镀金的导电铜片0.5mm，他们的排列顺序由下到上依次是:FR-4板材、FPC基板胶片、镀金铜片、FPC基板胶片，它们由接着剂固定在一起，这里的铜片厚度设计能支持20A大电流工作，绝缘材料的选取既能保证良好的电气接触，同时保持与外围金属隔离，避免干扰，电路板采用四根导电柱连接，两组导线用于导通电流，另外两组则用于测量电压，它们均采用镀金材质插接上，兼顾导电良好、更换方便。
[0012]在测量过程中，只需取下底座，拧松压块，将管芯放置在底座的限位卡槽中，将手拧螺丝拧紧，此时管芯被压块和电路板压实，这样就实现了对激光器管芯稳固的夹持，启动半导体激光器测试仪施加扫描电流，即可完成测试。
[0013]采用上述结构后，本实用新型产生的有益效果为:本实用新型所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，积分球配合光电二极管H)测定管芯功率，收光准确，测量迅速；小磁铁连接管芯夹持底座和水冷台，安装拆卸管芯较为方便；改进的圆弧设计压接装置保证触点连接稳定；选用铜片镀金材质保证高导通电流，四线设置的电路板保证测量电压的准确度，本测试装置有更长的使用寿命，更高的测试准确度。本实用新型具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型结构示意图。
[0015]图2是图1中I部的放大图。
[0016]图3是图1的俯视图。
[0017]附图标记说明:
[0018]1、支撑板；2、水冷台；3、底座；4、手拧螺丝；5、限位圈；6、压块；7、滚针；8、电路板；9、管芯；10、积分球；11、通孔；12、小磁铁。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图，对本实用新型作进一步的说明。
[0020]参看如图1——图3所示，本【具体实施方式】采用如下技术方案:它包含支撑板1、水冷台2、底座3、手拧螺丝4、限位圈5、压块6、滚针7、电路板8、管芯9、积分球10、通孔11、小磁铁12 ;所述的积分球10上相互垂直的三面开孔，在其中一面开孔的一侧设置有支撑板1，水冷台2通过紧固件与支撑板I连接，水冷台2的上方设置有底座3，底座3的上方设置有电路板8，电路板8的一侧连接有管芯9，管芯9置于底座3的限位卡槽内，电路板8的上方设置有压块6，电路板8与压块6之间还设置有滚针7 ;所述的压块6的边缘为圆弧状，压块6的边缘与管芯9、电路板8接触，压块6、电路板8、底座3通过手拧螺丝4拧紧，压块6的上端面与手拧螺丝4之间设置有限位圈5 ;所述的水冷台2上设置有通孔11 ;所述的水冷台2和底座3之间设置有小磁铁12。
[0021]作为优选，所述的电路板8上贴有镀金铜片。
[0022]作为优选，所述的电路板8上设置有四根导电柱。
[0023]作为优选，所述的水冷台2、底座3采用紫铜材质制成。
[0024]作为优选，所述的压块6采用PVC材质制成。
[0025]本【具体实施方式】操作时，积分球10在相互垂直的三面开孔，支撑板I固定在开孔为Φ25的平面，使用内六角螺丝将其固定在积分球10上，水冷台2固定在支撑板I上，初次安装后需要调试，以管芯9正中与积分球10开孔正中在同一平面为准，二者安装后不可拆卸，使用螺纹固定胶保证其稳固性，水冷台2采用的通孔11设计是为了适配水冷循环系统，一般而言，控制循环水温在25°C，连接处使用快插水嘴，方便在不同场合快速将此工装接入系统。
[0026]取下底座3，逆时针旋转手拧螺丝4更换管芯9后，再将手拧螺丝4拧紧，压块6的边缘圆弧设计缓冲受力，当手拧力度过大时，PVC塑料的压块6产生形变缓冲管芯9受力，滚针7是用作限位，限制压块6的位移，每次更换管芯9，必须保证压块6的圆弧部分落在管芯9的两侧，电路板8分为四层，与底座3直接接触的材料选择FR-4板材，厚度为0.3mm，两层FPC基板胶片，一层镀金的导电铜片0.5mm，他们的排列顺序由下到上依次是:FR_4板材、FPC基板胶片、镀金铜片、FPC基板胶片，它们由接着剂固定在一起，这里的铜片厚度设计能支持20A大电流工作，绝缘材料的选取既能保证良好的电气接触，同时保持与外围金属隔离，避免干扰，电路板8采用四根导电柱连接，2组导线用于导通电流，另外两组则用于测量电压，它们均采用镀金材质插接上，兼顾导电良好、更换方便。
[0027]在测量过程中，只需取下底座3，拧松压块6，将管芯9放置在底座3的限位卡槽中，将手拧螺丝4拧紧，此时管芯9被压块6和电路板8压实，这样就实现了对激光器管芯稳固的夹持，启动半导体激光器测试仪施加扫描电流，即可完成测试。
[0028]采用上述结构后，本【具体实施方式】产生的有益效果为:本【具体实施方式】所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，积分球配合光电二极管H)测定管芯功率，收光准确，测量迅速；小磁铁连接管芯夹持底座和水冷台，安装拆卸管芯较为方便；改进的圆弧设计压接装置保证触点连接稳定；选用铜片镀金材质保证高导通电流，四线设置的电路板保证测量电压的准确度，本测试装置有更长的使用寿命，更高测试准确度。本【具体实施方式】具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。
【主权项】
1.使用积分球测半导体激光器管芯装置，其特征在于:它包含支撑板、水冷台、底座、手拧螺丝、限位圈、压块、滚针、电路板、管芯、积分球、通孔、小磁铁；所述的积分球上相互垂直的三面开孔，在其中一面开孔的一侧设置有支撑板，水冷台通过紧固件与支撑板连接，水冷台的上方设置有底座，底座的上方设置有电路板，电路板的一侧连接有管芯，管芯置于底座的限位卡槽内，电路板的上方设置有压块，电路板与压块之间还设置有滚针；所述的压块的边缘为圆弧状，压块的边缘与管芯、电路板接触，压块、电路板、底座通过手拧螺丝拧紧，压块的上端面与手拧螺丝之间设置有限位圈；所述的水冷台上设置有通孔；所述的水冷台和底座之间设置有小磁铁。2.根据权利要求1所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，其特征在于:所述的电路板上贴有镀金铜片。3.根据权利要求1所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，其特征在于:所述的电路板上设置有四根导电柱。4.根据权利要求1所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，其特征在于:所述的水冷台、底座采用紫铜材质制成。5.根据权利要求1所述的使用积分球测半导体激光器管芯装置，其特征在于:所述的压块采用PVC材质制成。
【专利摘要】使用积分球测半导体激光器管芯装置，它涉及半导体激光器制造技术领域，它包含支撑板、水冷台、底座、手拧螺丝、限位圈、压块、滚针、电路板、管芯、积分球、通孔、小磁铁，积分球配合光电二极管PD测定管芯功率，收光准确，测量迅速；小磁铁连接管芯夹持底座和水冷台，安装拆卸管芯较为方便；改进的圆弧设计压接装置保证触点连接稳定；选用铜片镀金材质保证高导通电流，四线设置的电路板保证测量电压的准确度，本测试装置有更长的使用寿命，更高测试准确度。
【IPC分类】G01M11/00
【公开号】CN204788897
【申请号】CN201520535791
【发明人】郭 东, 马宁, 陆怡思, 孙宗元, 郭维振, 刘玉凤, 姜磊, 周鹏磊, 姜再欣, 阎石
【申请人】北京杏林睿光科技有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月21日