1.一种运用超级跨导结构的低压差线性稳压器，包括：
电阻反馈网络，由第一反馈电阻(RF1)与第二反馈电阻(RF2)串联而成，其串联点的电压即为反馈电压(VFB)，第一反馈电阻(RF1)的另一端接输出端，第二反馈电阻(RF2)的另一端接地；
误差放大器(EA)，采用超级跨导结构的跨导放大器，误差放大器的输入对管由第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)构成，第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的栅极作为误差放大器的输入端口，第一NMOS管(M1)的栅极接电阻反馈网络产生的反馈电压(VFB)；
调整管(MP)，为功率管，其漏极接输出端，源极接电源，栅极接误差放大器(EA)的输出端；
动态基准控制模块，采样误差放大器(EA)内部的电流变化，输出动态基准电压(VREF1)连接到误差放大器(EA)中第二NMOS管(M2)的栅极；
补偿电容(CF)，并联在第一反馈电阻(RF1)两端；负载电流源(Iload)接在调整管(MP)的漏极和地之间；输出电容(Cload)以及其等效电阻(RESR)串联，输出电容(Cload)的一端接地，另一端通过其等效电阻(RESR)后接调整管(MP)的漏极。
2.根据权利要求1所述的一种运用超级跨导结构的低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器(EA)还包括：
第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)、第六PMOS管(M10)和第七PMOS管(M11)构成第一级电流镜，放大系数为K1，第一PMOS管(M3)的漏极接第一NMOS管(M1)的漏极，第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)的栅极互连，第一PMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)的源极都接电源；第六PMOS管(M10)的漏极接第二NMOS管(M2)的漏极，第六PMOS管(M10)和第七PMOS管(M11)的栅极互连，第六PMOS管(M10)和第七PMOS管(M11)的源极都接电源；
第四PMOS管(M6)和第五PMOS管(M7)、第九PMOS管(M13)和第十PMOS管(M14)构成第二级电流镜，放大系数为K2，第二PMOS管(M4)的漏极接第四PMOS管(M6)的漏极，第四PMOS管(M6)的栅极和漏极互连并连接第五PMOS管(M7)的栅极，第五PMOS管(M7)的源极接电源；第七PMOS管(M11)的漏极接第九PMOS管(M13)的漏极，第九PMOS管(M13)的栅极和漏极互连并连接第十PMOS管(M14)的栅极，第十PMOS管(M14)的源极接电源；
第三NMOS管(M8)和第四NMOS管(M9)构成电流镜，第五PMOS管(M7)的漏极接第三NMOS管(M8)的漏极，第三NMOS管(M8)的漏极和栅极互连后接第四NMOS管(M9)的栅极，第四NMOS管(M9)的漏极接第十PMOS管(M14)的漏极作为误差放大器(EA)的输出端，第三NMOS管(M8)和第四NMOS管(M9)的源极接地；
第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)和第一电阻(R1)构成第一新型高带宽的电流放大器，第六PMOS管(M10)、第七PMOS管(M11)，第八PMOS管(M12)和第二电阻(R2)同样构成第一新型高带宽的电流放大器，第三PMOS管(M5)和第八PMOS管(M12)的栅极分别接在(M3)和第六PMOS管(M10)的漏极，第三PMOS管(M5)和第八PMOS管(M12)的源极分别接在第一PMOS管(M3)和第六PMOS管(M10)栅极，第三PMOS管(M5)和第八PMOS管(M12)的漏极接地，第一电阻(R1)接在第三PMOS管(M5)的源极和电源之间，第二电阻(R2)接在第八PMOS管(M12)的源极和电源之间；
第三电阻(R3)、第四PMOS管(M6)和第五PMOS管(M7)构成第二新型高带宽电流放大器，第四电阻(R4)、第九PMOS管(M13)和第十PMOS管(M14)同样构成第二新型高带宽电流放大器，第三电阻(R3)接在第四PMOS管(M6)的源极和电源之间，第四电阻(R4)接在第九PMOS管(M13)的源极和电源之间；
第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)、第五NMOS管(M15)，第十一PMOS管(M16)，第六NMOS管(M17)，第七NMOS管(M18)，第十二PMOS管(M19)，第八NMOS管(M20)，第九NMOS管(M21)和第十NMOS管(M22)构成动态偏置结构，第六NMOS管(M17)的栅极接反馈电压(VFB)，第八NMOS管(M20)的栅极接动态基准电压(VREF1)，第六NMOS管(M17)和第二NMOS管(M2)的源极接和第七NMOS管(M18)的漏极，第八NMOS管(M20)和第一NMOS管(M1)的源极接第九NMOS管(M21)的漏极，第七NMOS管(M18)和第九NMOS管(M21)形成电流镜，第七NMOS管(M18)和第九NMOS管(M21)的源极接地，第七NMOS管(M18)的栅极接第十一PMOS管(M16)和第六NMOS管(M17)的漏极以及第五NMOS管(M15)的栅极，第九NMOS管(M21)的栅极接第十二PMOS管(M19)和第八NMOS管(M20)的漏极以及第十NMOS管(M22)的栅极，第五NMOS管(M15)和第十NMOS管(M22)的漏极分别接第二PMOS管(M4)和第七PMOS管(M11)的漏极，第五NMOS管(M15)和第十NMOS管(M22)源极接地，第十一PMOS管(M16)和第十二PMOS管(M19)的源极接电源，第十一PMOS管(M16)和第十二PMOS管(M19)的栅极接偏置电压。
3.根据权利要求1所述的一种运用超级跨导结构的低压差线性稳压器，其特征在于，所述动态基准控制模块包括第十三PMOS管(M23)，第十四PMOS管(M24)，第十一NMOS管(M25)，第十二NMOS管(M26)和第五电阻(R5)，第十一NMOS管(M25)和第十二NMOS管(M26)形成电流镜，第十一NMOS管(M25)和第十二NMOS管(M26)的漏极分别接第十三PMOS管(M23)和第十四PMOS管(M24)的漏极，第十一NMOS管(M25)的漏极和栅极互连并连接(M26)的栅极，第十一NMOS管(M25)和第十二NMOS管(M26)的源极接地；第十三PMOS管(M23)和第十四PMOS管(M24)以及误差放大器中的第一PMOS管(M3)和(M10)形成两组电流镜，第十三PMOS管(M23)和第十四PMOS管(M24)的栅极分别接在第一PMOS管(M3)和(M10)的栅极，第十三PMOS管(M23)和第十四PMOS管(M24)的源极都接电源；第十四PMOS管(M24)漏极作为动态基准控制模块的输出端输出动态基准电压(VREF1)并连接到第二NMOS管(M2)和第八NMOS管(M20)的栅极，又通过第五电阻(R5)后连接基准电压(VREF)。