038]203、以平均值作为所需要的控深钻深度，在电路板上进行控深钻，加工出所需要的盲孔或背钻孔。
[0039]将计算出的N个钻孔深度的平均值作为所需要的控深钻深度，确定最终的控深钻深度后，在电路板上进行控深钻，加工出所需要的盲孔或背钻孔。
[0040]由上可见，本发明实施例采用控深钻设备在电路板的科邦区域进行控深钻，控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头，当控深钻设备的一个钻头钻到科邦区域的线路图形时，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度的技术方案，取得了以下技术效果:一方面不需要采用叠层理论厚度来推导实际需要钻孔的深度，而是采用层间导通结构科邦，将控深钻设备在电路板的科邦区域进行控深钻，控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头，当控深钻设备的一个钻头钻到科邦区域的线路图形时，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度，通过对电路板多个科邦区域进行钻孔，计算出多个钻孔深度的平均值，确定钻孔深度，这样无需取切片进行确认，节约了大量的加工时间和减少了相关报废的产生；另一方面采用层间导通结构科邦结构，针对不同的批次不需要取切片，节约大量人力物力，不会引起控深钻孔深度不够或深度太深导致的短路和开路。
[0041]实施例三、
[0042]请参考图7，本发明实施例提供一种控深钻设备，可包括:控制单元，通过控制电路与该控制单元连接的钻头和探头，以及与该控制单元连接的测量电路，钻头和探头同时串联于该测量电路中；该测量电路，用于在钻头和探头电连接时，发出控制信号给控制单元；控制单元，用于在接收到测量电路发出的控制信号后，发送停止控深钻的指令给控制电路；控制电路，用于收到控制单元发出的停止控深钻的指令后，控制钻头停止控深钻。
[0043]请参阅图5，该测量电路中串联有电源304和指示灯303，两个钻头306电连接之后，指示灯303点亮，两个钻头306位于同一高度，两个钻头306中的一个钻头306可作为探头307。
[0044]请参阅图6，该测量电路中串联有电源304和指示灯303，钻头306和探头307电连接之后，指示灯303点亮，该探头307是带有弹簧的深度测量杆探头。
[0045]测量电路的输出端A与控深钻设备的控制单元连接，当钻头306和探头307开路时，输出端A无信号或者为低电平信号，当钻头306和探头307通过线路图形连接时，输出端A输出高电平的控制信号给控深钻设备的控制单元。
[0046]由上可见，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度的技术方案，取得了以下技术效果:一方面不需要采用叠层理论厚度来推导实际需要钻孔的深度，而是采用层间导通结构科邦，将控深钻设备在电路板的科邦区域进行控深钻，控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头，当钻头和探头钻到科邦区域的线路图形时，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度，这样无需取切片进行确认，节约了大量的加工时间和减少了相关报废的产生；另一方面采用层间导通结构科邦，针对不同的批次不需要取切片，节约大量人力物力，不会引起控深钻孔深度不够或深度太深导致的短路和开路。
[0047]综上所述，本发明实施例采用控深钻设备在电路板的科邦区域同时进行控深钻，控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头，当控深钻设备的一个钻头钻到该科邦区域的线路图形时，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度的技术方案，取得了以下技术效果:一方面不需要采用叠层理论厚度来推导实际需要钻孔的深度，而是采用层间导通结构科邦，将控深钻设备在电路板的科邦区域进行控深钻，控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头，当控深钻设备的一个钻头钻到科邦区域的线路图形时，钻头和探头通过线路图形电连接，控深钻设备检测到钻头和探头电连接时，控制钻头停止控深钻，并获取钻头的钻孔深度，这样无需取切片进行确认，节约了大量的加工时间和减少了相关报废的产生；另一方面采用层间导通结构科邦，针对不同的批次不需要取切片，节约大量人力物力，不会引起控深钻孔深度不够或深度太深导致的短路和开路。
[0048]在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0049]需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
[0050]以上对本发明实施例所提供的电路板钻孔深度的控制方法及设备进行了详细介绍，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制。本技术领域的技术人员，依据本发明的思想，在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电路板钻孔深度的控制方法，其特征在于，所述电路板包括多层线路层，所述电路板上设计有科邦，其中一层线路层在所述科邦区域具有线路图形，其他层线路层在所述科邦区域没有线路图形，所述方法包括: 控深钻设备在所述电路板的科邦区域进行控深钻，所述控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头； 当所述控深钻设备的一个钻头钻到所述科邦区域的线路图形时，所述钻头和所述探头通过线路图形电连接； 所述控深钻设备检测到所述钻头和所述探头电连接时，控制所述钻头停止控深钻，并获取所述钻头的钻孔深度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控深钻设备为双钻头设备，所述控深钻设备在所述电路板的科邦区域进行控深钻包括: 所述控深钻设备的两个钻头在所述电路板的科邦区域同时进行控深钻，所述两个钻头位于同一高度，所述两个钻头中的一个钻头作为所述探头。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控深钻设备为单钻头设备，所述控深钻设备在所述电路板的科邦区域进行控深钻包括: 所述控深钻设备的钻头在所述电路板的科邦区域进行控深钻，所述控深钻设备的探头与所述电路板的表面线路图形区域进行接触，所述表面线路图形区域通过预先加工的导通孔与所述科邦区域的线路图形连接； 所述探头是带有弹簧的深度测量杆探头； 所述控深钻设备的钻头在所述电路板的科邦区域进行控深钻的同时，所述控深钻设备的探头的弹簧被压缩。4.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于，所述控深钻设备包括一测量电路，所述钻头和所述探头串联于所述测量电路中，所述测量电路中还串联有电源和指示灯，所述钻头和所述探头通过线路图形电连接之后还包括: 所述指示灯点亮。5.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于，所述测量电路与所述控深钻设备的控制单元连接，若所述钻头和所述探头通过所述线路图形电连接，则所述测量电路向所述控制单元发出控制信号；所述控深钻设备检测到所述钻头和所述探头电连接时，控制所述钻头停止控深钻包括: 所述控制单元检测到所述控制信号后，控制所述控深钻设备的钻头停止控深钻。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述钻头的钻孔深度包括: 所述控深钻设备通过测量所述两个钻头的下降高度，获取所述钻孔深度。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述钻头的钻孔深度包括: 所述控深钻设备通过所述弹簧的弹性系数计算所述探头的弹簧被压缩的长度，获取所述钻孔深度。8.一种电路板钻孔深度的控制方法，其特征在于，所述电路板包括多层线路层，所述电路板上设计有N个科邦，其中一层线路层在所述N个科邦区域具有线路图形，其他层线路层在所述N个科邦区域没有线路图形，N为大于或等于2的自然数，所述方法包括: 采用权利要求1所述的方法，依次在所述N个科邦区域进行控深钻，分别在所述N个科邦区域获取N个钻孔深度； 计算所述N个钻孔深度的平均值； 以所述平均值作为所需要的控深钻深度，在所述电路板上进行控深钻，加工出所需要的盲孔或背钻孔。9.一种控深钻设备，其特征在于，包括: 控制单元，通过控制电路与所述控制单元连接的钻头和探头，以及与所述控制单元连接的测量电路，所述钻头和所述探头同时串联于所述测量电路中； 所述测量电路，用于在所述钻头和所述探头电连接时，发出控制信号给所述控制单元; 所述控制单元，用于在接收到所述测量电路发出的控制信号后，发送停止控深钻的指令给所述控制电路； 所述控制电路，用于收到所述控制单元发出的停止控深钻的指令后，控制所述钻头停止控深钻。10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于， 所述测量电路中还串联有电源和指示灯，所述钻头和所述探头电连接之后，所述指示灯点亮。
【专利摘要】本发明公开了一种电路板钻孔深度的控制方法，所述电路板包括多层线路层，所述电路板上设计有科邦，其中一层线路层在所述科邦区域具有线路图形，其他层线路层在所述科邦区域没有线路图形，所述方法包括：控深钻设备在所述电路板的科邦区域进行控深钻，所述控深钻设备包括有检测钻孔深度用的探头；当所述控深钻设备的一个钻头钻到所述科邦区域的线路图形时，所述钻头和所述探头通过线路图形电连接；所述控深钻设备检测到所述钻头和所述探头电连接时，控制所述钻头停止控深钻，并获取所述钻头的钻孔深度。本发明技术方案能够解决电路板钻孔时出现钻孔过深或过浅引起的层间开路或短路的问题。
【IPC分类】G05B19/401, H05K3/00
【公开号】CN105302065
【申请号】CN201410364604
【发明人】刘宝林, 丁大舟, 缪桦
【申请人】深南电路有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年7月28日