一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电源端口储能大电容耐压保护电路，更具体的说是涉及一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路。
【背景技术】
[0002]现有技术中常用的电源端口储能大电容耐压保护电路如图1所示，稳压二极管D2的工作电压大于储能大电容C3耐压值。对于电源电压高于稳压二极管D2的工作电压的情况，稳压二极管D2能够将电源电压稳定到其工作电压，因此，储能大电容C3不会工作在超出其耐压值的电压范围内。
[0003]但是，基于图1中所示的电源端口储能大电容耐压保护电路，储能大电容C3的充电是不受控的，也就是说，只要电源一直供电，储能大电容C3就一直处于充电状态。而在休眠状态下，由于储能大电容C3仍然处于充电状态，稳压二极管D2及储能大电容C3的将产生漏电流，进而导致休眠状态下产生较大的静态电流，从而导致图1中所示的电源端口储能大电容耐压保护电路不适用于对休眠状态静态电流要求比较严格的场景。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路，以解决现有的电源端口储能大电容耐压保护电路由于不可控而导致不适用于对休眠状态静态电流要求比较严格的场景的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0006]一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路，所述电路包括:
[0007]第一三极管Q1，第二三极管Q2，所述第一三极管Ql的基极上拉电阻R4，所述第一三极管Ql的限流电阻R5，所述第二三极管Q2的基极下拉电阻R6，以及所述第二三极管Q2的软件使能串联限流电阻R7 ；
[0008]其中，所述第二三极管Q2的基极连接其基极下拉电阻R6到地，并连接其软件使能限流电阻R7到微控制器MCU的1 口 EN，所述第二三极管Q2的发射极接地，所述第二三极管Q2的集电极连接所述第一三极管Ql的限流电阻R5到所述第一三极管Ql的基极；
[0009]所述第一三极管Ql的基极连接其基极上拉电阻R4到其发射极，所述第一三极管Ql的发射极连接电源反接输入端UB_PR，述第一三极管Ql的集电极连接储能大电容C3的充电限流电阻Rl。
[0010]优选的，所述电路还包括:
[0011]第三三极管Q3，稳压二极管D3，所述第三三极管Q3的限流电阻R2，以及所述第三三极管Q3的基极下拉电阻R3 ；
[0012]其中，所述稳压二极管D3的阴极连接电源反接保护输入端UB_PR，阳极连接所述第三三极管Q3的限流电阻R2到所述第三三极管Q3的基极；
[0013]所述第三三极管Q3的基极连接其基极下拉电阻R3到地，所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第三三极管Q3的集电极接所述第二三极管Q2的基极。
[0014]优选的，所述第一三极管Ql为PNP三极管，所述第二三极管Q2为NPN三极管，所述第三三极管Q3为NPN三极管。
[0015]经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本实用新型公开提供了一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路，包括第一三极管Ql，第二三极管Q2，所述第一三极管Ql的基极上拉电阻R4，所述第一三极管Ql的限流电阻R5，所述第二三极管Q2的基极下拉电阻R6，以及所述第二三极管Q2的软件使能串联限流电阻R7，基于上述电路，能够通过微控制器MCU的1 口根据不同的工作状态选择输入高电平或低电平，进而保证储能大电容C3在正常工作状态下进行充电，而在休眠状态下禁止充电，从而减小了休眠状态下的静态电流，保证上述电路适用于对休眠状态静态电流要求比较严格的场景。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0017]图1为现有技术中常用的电源端口储能大电容耐压保护电路示意图；
[0018]图2为本实用新型公开的一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路实施例1的不意图；
[0019]图3为本实用新型公开的一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路实施例2的示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0021]由【背景技术】可知，现有的电源端口储能大电容耐压保护电路由于不可控而导致其不适用于对休眠状态静态电流要求比较严格的场景。
[0022]为此，本实用新型公开提供了一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路，包括第一三极管Ql，第二三极管Q2，第三三极管Q3，稳压二极管D3，所述第三三极管Q3的限流电阻R2，所述第三三极管Q3的基极下拉电阻R3，所述第一三极管Ql的基极上拉电阻R4，所述第一三极管Ql的限流电阻R5，所述第二三极管Q2的基极下拉电阻R6，以及所述第二三极管Q2的软件使能串联限流电阻R7，能够通过微控制器MCU的1 口根据不同的工作状态选择输入高电平或低电平，进而保证储能大电容C3在正常工作状态下进行充电，而在休眠状态下禁止充电，从而减小了休眠状态下的静态电流，保证其适用于对休眠状态静态电流要求比较严格的场景。
[0023]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0024]请参阅附图2，图2为本实用新型公开的一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路实施例1的示意图，该电路具体包括:
[0025]第一三极管Q1，第二三极管Q2，所述第一三极管Ql的基极上拉电阻R4，所述第一三极管Ql的限流电阻R5，所述第二三极管Q2的基极下拉电阻R6，以及所述第二三极管Q2的软件使能串联限流电阻R7 ；
[0026]其中，该可控的电源端口储能大电容耐压保护电路内部连接方式如下:
[0027]所述第二三极管Q2的基极连接其基极下拉电阻R6到地，并连接其软件使能限流电阻R7到微控制器MCU的1 口 EN，所述第二三极管Q2的发射极接地，所述第二三极管Q2的集电极连接所述第一三极管Ql的限流电阻R5到所述第一三极管Ql的基极；
[0028]所述第一三极管Ql的基极连接其基极上拉电阻R4到其发射极，所述第一三极管Ql的发射极连接电源反接输入端UB_PR，述第一三极管Ql的集电极连接储能大电容C3的充电限流电阻Rl。
[0029]其中，所述第一三极管Ql为PNP三极管，所述第二三极管Q2为NPN三极管。
[0030]具体的，可根据如下工作原理应用上述可控的电源端口储能大电容耐压保护电路。
[0031]正常工作电压状态下，软件配置微控制器MCU的1 口 EN的电压为高电平，第二三极管Q2的基极与发射极之间电压高于PN结的导通电压，第二三极管Q2导通，从而导致第一三极管Ql的发射极到地之间形成通路，电流大小由第一三极管Ql的限流电阻R5限定，由于第一三极管Ql的发射极和基极之间有电流流过，第一三极管Ql导通，储能大电容C3通过其充电限流电阻Rl开始充电。也即，在正常工作状态下，可通过软件使能储能大电容充电。
[0032]软件配置微控制器MCU的1 口 EN的电压为低电平，第二三极管Q2的基极与发射极之间的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，第二三极管Q2处于截止区，第一三极管Ql的发射极与基极之间无电流通路，第一三极管Ql处于截止区，储能大电容C3充电被禁止。也即，在休眠状态下，可通过软件禁止储能大电容充电，减少休眠状态的静态电流。
[0033]本实施例公开提供了一种可控的电源端口储能大电容耐压保护电路，包括第一三极管Ql，第二三极管Q2，所述第一三极管Ql的基极上拉电阻R4，所述