专利名称：Ito的布线结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种ITO的布线结构，尤其是指应用在电容式触摸屏上ITO的布线结构。
背景技术：
随着科学技术的发展，触控技术已经日趋完善，触摸屏已经逐渐取代机械式按钮面板成为手机、笔记本等电子设备新的操作界面。现有触摸屏包括电阻式触摸屏、红外线触摸屏、电容式触摸屏等，根据它们自身的性质就可以通过不同的方式获得触碰点的坐标，而电容式触摸屏由于其透光率、清晰度和可靠性更好，而被应用于越来越多的产品中。电容式触摸屏的ー个重要組成部分是感应基板，现有的感应基板大都包括基底和两层ITO感应层，其中ー种方式是将ITO铺设在基板的两侧，ー侧ITO为X轴检测层，另ー侧 ITO为Y轴检测层；另ー种为两层感应层均铺设在基板的同一侧，为了避免电极之间的相互导通，在所述基底上设置桥接点，从而有效的避免了电极之间的短路。无论哪种方式，现有 ITO的布线结构一般为菱形，其虽然可以很好的减少寄生电容(所谓寄生电容是在驱动和感应单元之间形成的边缘电容)，増大感应电容等优点，但是其抗干扰能力有限，如在环境温度、湿度改变的条件下，环境电场比较容易发生改变，极易引起漂移，造成不必要的误操作。因此需要为广大用户提供一种全新的ITO布线结构来解决以上问题。
发明内容
本发明实际所要解决的技术问题是如何提供ー种抗干扰能力更强的ITO布线结构。为了实现本发明的上述目的，本发明提供了ー种ITO的布线结构，涉及两层ΙΤ0， 且两层ITO之间是绝缘层，均布设在基底上，所述基底上设置桥接点，若在ー个方向上所述电极块相互连接，那么在另ー个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接，所述电极块的内部被挖空形成空隙。本发明所述的ITO布线结构，不但简单，而且将传统电极块的内部挖空了一部分， 所以增强了电容耦合，若在挖空的内部塞有填充物也一祥可以增加电容耦合，增强所述整个ITO层的抗干扰能力。
图1是本发明所述ITO布线结构的第一种实施例；图2是本发明所述ITO布线结构的第二种实施例； 图3是本发明所述ITO布线结构的第三种实施例。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明作进ー步的说明。本发明所述的ITO布线结构中，涉及两层ΙΤ0，所述两层ITO之间是绝缘层，均布设在基底上。为了避免电极块之间的相互导通，在所述基底上设置桥接点，若在ー个方向上所述电极块相互连接，那么在另ー个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接。请參考图1所示是本发明涉及的第一种ITO布线结构，所述ITO层1无论在X轴方向上还是Y轴方向上均由回字形的电极块10組成。所述回字形的电极块10的外形呈菱形，内部被挖空形成空隙，如此以来可以增加电容耦合，增强所述ITO层的抗干扰能力。由于所述电极块10的内部被挖空形成空隙，所以电容耦合增加很多，因为无论电极块10的外形如何，只要内部被挖空都可达到相同的效果，因此对于图2所示意的第二种实施例的结构也一样能增强所述ITO层的抗干扰能力，只是此时所述电极块10的外形呈花形，其四个边由相同的曲线组成，且所述曲线中间宽两头窄。为了到达抗干扰性能，本发明还提供了一种新的电容耦合方式，请參考图3所示的第三中实施例，所述电极块10呈六边形，其中六边形的两个对角边较其它边长。所述相邻电极块10之间形成空隙，且在空隙处塞有填充物11，且所述填充物11也是ΙΤ0，如此以来也可以增加电容耦合，增强所述整个ITO层的抗干扰能力。本发明所述的ITO布线结构，将传统电极块的内部挖空了一部分，所以增强了电容耦合，若在挖空的内部塞有填充物也一祥可以增加电容耦合，增强所述整个ITO层的抗干扰能力。
权利要求
1.ー种ITO的布线结构，涉及两层ΙΤ0，且两层ITO之间是绝缘层，均布设在基底上， 所述基底上设置桥接点，若在ー个方向上所述电极块相互连接，那么在另ー个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接，其特征在干所述电极块的内部被挖空形成空隙。
2.如权利要求1所述的ITO的布线结构，其特征在于所述电极块呈回字形。
3.如权利要求2所述的ITO的布线结构，其特征在于所述电极块的外形呈菱形。
4.如权利要求1所述的ITO的布线结构，其特征在于所述电极块的外形呈花形，其四个边由相同的曲线组成。
5.如权利要求4所述的ITO的布线结构，其特征在于所述曲线中间宽两头窄。
6.如权利要求1所述的ITO的布线结构，其特征在于所述电极块呈六边形，其中六边形的两个对角边较其它边长。
7.如权利要求6所述的ITO的布线结构，其特征在于所述相邻电极块之间形成空隙， 且在空隙处塞有填充物。
8.如权利要求7所述的ITO的布线结构，其特征在于所述填充物也是ΙΤ0。
全文摘要
本发明涉及一种ITO的布线结构，涉及两层ITO，且两层ITO之间是绝缘层，均布设在基底上，所述基底上设置桥接点，若在一个方向上所述电极块相互连接，那么在另一个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接，所述电极块的内部被挖空形成空隙。本发明所述的ITO布线结构，不但简单，而且将传统电极块的内部挖空了一部分，所以增强了电容耦合，若在挖空的内部塞有填充物也一样可以增加电容耦合，增强所述整个ITO层的抗干扰能力。
文档编号G06F3/044GK102541378SQ20111038088
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月25日 优先权日2011年11月25日
发明者卓龙材, 张开立, 雷奥纳﹒波特曼 申请人:苏州瀚瑞微电子有限公司