本发明涉及一种存储器管理方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置。
背景技术：
：数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritablenon-volatilememory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，因此，近年可复写式非易失性存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。例如，以快闪存储器作为储存媒体的固态硬盘(Solid-statedrive)已广泛应用作为电脑主机的硬盘，以提升电脑的存取效能。一般来说，包含可复写式非易失性存储器模块的存储器储存装置会通过执行垃圾收集(garbagecollection)操作来释放出可用的物理抹除单元，并且会尽可能平均地使用可复写式非易失性存储器中的物理抹除单元以增加可复写式非易失性存储器的寿命。例如，传统垃圾收集操作是选择物理抹除单元中其有效数据最少的一个物理抹除单元，并复制此些有效数据至另一个物理抹除单元以释放出可用的物理抹除单元。传统平均磨损(wearleveling)操作是在可复写式非易失性存储器每执行一段固定的时间后或某个特定的时间点，将数据区中的物理抹除单元与闲置区中的物理抹除单元交换，以期让在数据区中抹除次数较少的物理抹除单元可被交换至闲置区以供程序(或写入)使用。然而，传统的垃圾收集操作与平均磨损操作并不会考虑到某一个物理抹除单元所储存的数据是否会被经常性地更新。若一个物理抹除单元所储存的数据会被经常性地更新，则即使在垃圾收集操作中将此物理抹除单元所储存的有效数据搬移至另一物理抹除单元，此有效数据也可能会因再次被更新而随即被视为无效。换言之，储存有此有效数据的物理抹除单元很可能在数据更新时再次被关联至闲置区，并且导致原先储存此有效数据的物理抹除单元被抹除。因此，在下一次需执行平均磨损操作时，已再被关联至闲置区的这个物理抹除单元因其抹除次数高于其他物理抹除单元，而再次被交换至数据区的机会将远比其他物理抹除单元高出许多，由此造成可复写式非易失性存储器中某些物理抹除单元的抹除次数不断地提高，导致可复写式非易失性存储器的物理抹除单元的使用不平均。基此，如何选择物理抹除单元来进行垃圾收集操作，以避免执行垃圾收集操作的同时所造成的平均磨损操作的执行频率的增加，并使得每个物理抹除单元的使用较为平均，而有效延长可复写式非易失性存储器的寿命是此领域技术人员所致力的目标。技术实现要素：本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置，其能够有效地平均物理抹除单元的磨损以延长存储器储存装置的寿命。本发明的一范例实施例提供一种存储器管理方法，用于可复写式非易失性存储器模块，且可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元。本存储器管理方法包括：(a)根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元；(b)根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中所述第二参数不同于所述第一参数；以及(c)复制第二物理抹除单元中所储存的至少部分数据至第三物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括：为每一至少部分的物理抹除单元记录特定性质数据计数以及为每一至少部分的物理抹除单元记录抹除次数与写入顺序标记的至少其中之一。在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括：判断物理抹除单元中的可用物理抹除单元是否小于预定可用数目，其中倘若物理抹除单元中的可用物理抹除单元小于预定可用数目时，执行上述步骤(a)、(b)与(c)。在本发明的一范例实施例中，上述第一参数包括写入顺序标记与特定性质数据计数且特定性质数据计数用以反应出无效数据量，第二参数为抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的步骤包括：根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记；根据所述写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分；以及根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出所述至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记的步骤包括：配置多个逻辑地址，其中所述逻辑地址映射所述至少部分的物理抹除单元；建立一队列；将分配至所述逻辑地址之中的第一逻辑地址的第一数据程序化至物理抹除单元之中映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元；在所述队列中记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元；接续在将所述第一数据程序化至映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元之后，将分配至所述逻辑地址之中的第二逻辑地址的第二数据程序化至物理抹除单元之中映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元；以及在所述队列中记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元。在此，上述队列有第一端与第二端，且在第一端与所述第二端之间有多个位置。在上述队列中，记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置是接续在记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置之后，并且记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离大于记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离。在本发明的一范例实施例中，上述根据所述写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分的步骤包括：根据第一端与二端之间的中心端点将记录于第二端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于第一部分的物理抹除单元，并且将记录于第一端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于第二部分的物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出所述至少一第一物理抹除单元的步骤包括：判断属于第一部分的物理抹除单元中是否包含至少一第一候选物理抹除单元，其中至少一第一候选物理抹除单元的特定性质数据计数与一预定值符合一预定关系。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则将所述第一部分的物理抹除单元之中的所 述至少一第一候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元中不包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则判断属于所述第二部分的物理抹除单元中是否包含至少一个第二候选物理抹除单元，其中所述至少一个第二候选物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系。倘若属于所述第二部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第二候选物理抹除单元时，则将所述第二部分的物理抹除单元中的所述至少一第二候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：根据抹除次数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存无效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数大于预定值。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存有效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数小于预定值在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括：将至少部分的物理抹除单元的数目除以可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元的数目以获得第一值；将物理抹除单元之中的一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目乘以所述第一值以获得第二值；将所述一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目减去所述第二值以获取第三值；以及将所述第三值设定为上述预定值。在本发明的一范例实施例中，上述第一参数为特定性质数据计数且特定性质数据计数用以反应出无效数据量，第二参数为抹除次数与写入顺序标记的至少其中之一。在本发明的一范例实施例中，上述根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的步骤包括：判断每一至少部分的物理抹除单元中的特定性质数据计数与一预定值是否符合一预定关系，并且从至少部分的物理抹除单元中选出符合预定关系的至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数为写入顺序标记，且上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：根据至少一第一物理抹除单元的一程序化顺序为每一至少一第一物理抹除单元记录写入顺序标记；以及根据写入顺序标记从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的写入顺序标记指示第二物理抹除单元的程序化顺序早于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数包括写入顺序标记与抹除次数，且上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：根据至少一第一物理抹除单元的一程序化顺序为每一至少一第一物理抹除单元记录写入顺序标记；根据写入顺序标记从至少一第一物理抹除单元之中选择至少一第三候选物理抹除单元，其中至少一 第三候选物理抹除单元的写入顺序标记指示至少一第三候选物理抹除单元的程序化顺序早于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序；以及根据抹除次数从至少一第三候选物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第三候选物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数为抹除次数，上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：根据抹除次数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数包括抹除次数与写入顺序标记，且上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：根据抹除次数从至少一第一物理抹除单元之中选择至少一第三候选物理抹除单元，其中至少一第三候选物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数；根据至少一第三候选物理抹除单元的程序化顺序为每一第三候选物理抹除单元记录写入顺序标记；以及根据写入顺序标记从至少一第三候选物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的写入顺序标记指示第二物理抹除单元的程序化顺序早于至少一第三候选物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序。在本发明的一范例实施例中，上述第一参数为抹除次数，第二参数为特定性质数据计数与写入顺序标记的至少其中之一且特定性质数据计数用以反应出无效数据量。在本发明的一范例实施例中，上述根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的步骤包括：根据抹除次数从至少部分的物理抹除单元之中选择至少一第一物理抹除单元，其中至少一第一物理抹除单元的抹除次数小于至少部分的物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数为特定性质数据计数，上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：判断每一至少一第一物理抹除单元中的特定性质数据计数与一预定值是否符合一预定关系，并且从至少一第一物理抹除单元中选出符合预定关系的第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述第二参数包括特定性质数据计数与写入顺序标记，上述根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的步骤包括：判断每一至少一第一物理抹除单元中的特定性质数据计数与一预定值是否符合一预定关系，并且从至少一第一物理抹除单元中选出符合预定关系的至少一第三候选物理抹除单元，其中至少一第三候选物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数；根据至少一第三候选物理抹除单元的一程序化顺序为每一第三候选物理抹除单元记录写入顺序标记；以及根据写入顺序标记从至少一第三候选物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的写入顺序标记指示第二物理抹除单元的程序化顺序早于至少一第三候选物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序。本发明的一范例实施例提出一种用于控制可复写式非易失性存储器模块的存储器控制电路单元，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元。此存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口与存储器管理电路。主机接口用以电性连接至主机系统，存 储器接口用以电性连接至可复写式非易失性存储器模块，以及存储器管理电路电性连接至主机接口与存储器接口。存储器管理电路用以执行一数据合并操作，所述数据合并操作包括：存储器管理电路根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元。存储器管理电路根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中所述第二参数不同于所述第一参数。以及存储器管理电路复制所述第二物理抹除单元中所储存的至少部分数据至所述第三物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理电路还用以为每一至少部分的物理抹除单元记录特定性质数据计数以及为每一至少部分的物理抹除单元记录抹除次数与写入顺序标记的至少其中之一。在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理电路还用以判断物理抹除单元中的可用物理抹除单元是否小于一预定可用数目，倘若物理抹除单元中的可用物理抹除单元小于预定可用数目时，存储器管理电路还用以执行上述数据合并操作。在本发明的一范例实施例中，上述第一参数包括写入顺序标记与特定性质数据计数且特定性质数据计数用以反应出无效数据量，第二参数为抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述在根据所述第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的操作中，存储器管理电路还用以根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记，并且根据所述写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分。并且存储器管理电路还用以根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记的操作中，存储器管理电路还用以配置多个逻辑地址，其中所述逻辑地址映射至少部分的物理抹除单元。存储器管理电路还用以建立一队列，并且将分配至所述逻辑地址之中的第一逻辑地址的第一数据程序化至所述物理抹除单元之中映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元。存储器管理电路还用以在所述队列中记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元，并且接续在将所述第一数据程序化至映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元之后，将分配至所述逻辑地址之中的第二逻辑地址的第二数据程序化至所述物理抹除单元之中映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元。存储器管理电路还用以在所述队列中记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元，并且在所述队列中记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元。其中所述队列有第一端与第二端，且在所述第一端与所述第二端之间有多个位置。此外，在所述队列中，记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置是接续在记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置之后，并且记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离大于记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离。在本发明的一范例实施例中，上述在根据所述写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分的操作中，存储器管理电路还用以根据第一端与二端之间的中心端点将记录于第二端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于第一部分的物理抹除单元，并且将记录于第一端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于第二部分的物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的操作中，存储器管理电路还用以判断属于所述第一部分的物理抹除单元中是否包含至少一第一候选物理抹除单元，其中所述至少一第一候选物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则存储器管理电路还用以将所述第一部分的物理抹除单元之中的所述至少一第一候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元中不包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则存储器管理电路还用以判断属于所述第二部分的物理抹除单元中是否包含至少一个第二候选物理抹除单元，其中所述至少一个第二候选物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系。倘若属于所述第二部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第二候选物理抹除单元时，则存储器管理电路还用以将所述第二部分的物理抹除单元中的所述至少一第二候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的操作中，存储器管理电路还用以根据抹除次数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存无效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数大于预定值。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存有效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数小于预定值。在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理电路还用以将至少部分的物理抹除单元的数目除以可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元的数目以获得第一值。存储器管理电路还用以将物理抹除单元之中的一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目乘以所述第一值以获得第二值。存储器管理电路还用以将所述一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目减去所述第二值以获取第三值，并且将所述第三值设定为所述预定值。本发明的一范例实施例提出一种存储器储存装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块与存储器控制电路单元。连接接口单元用以电性连接至主机系统。可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元。存储器控制电路单元电性连接至连接接口单元与可复写式非易失性存储器模块。存储器控制电路单元用以执行一数据合并操作，所述数据合并操作包括：根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元。存储器控制电路单元根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中所述第二参数不同于所述第一参数。以及存储器控制电路单元复制所述第二物理抹除单元中所储存的至少部分数据至所述第三物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述存储器控制电路单元还用以为每一至少部分的物理抹除单元记录特定性质数据计数以及为每一至少部分的物理抹除单元记录抹除次数与写入顺序 标记的至少其中之一。在本发明的一范例实施例中，上述存储器控制电路单元还用以判断物理抹除单元中的可用物理抹除单元是否小于一预定可用数目，倘若物理抹除单元中的可用物理抹除单元小于所述预定可用数目时，存储器控制电路单元还用以执行上述数据合并操作。在本发明的一范例实施例中，上述第一参数包括写入顺序标记与特定性质数据计数且特定性质数据计数用以反应出无效数据量，第二参数为抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述在根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元的操作中，存储器控制电路单元还用以根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记，并且根据所述写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分。存储器控制电路单元还用以根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出所述至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据至少部分的物理抹除单元的程序化顺序为每一至少部分的物理抹除单元记录写入顺序标记的操作中，存储器控制电路单元还用以配置多个逻辑地址，其中所述逻辑地址映射所述至少部分的物理抹除单元。存储器控制电路单元还用以建立一队列，并且将分配至逻辑地址之中的第一逻辑地址的第一数据程序化至所述物理抹除单元之中映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元。存储器控制电路单元还用以在所述队列中记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元，并且接续在将所述第一数据程序化至映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元之后，将分配至所述逻辑地址之中的第二逻辑地址的第二数据程序化至所述物理抹除单元之中映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元。存储器控制电路单元还用以在所述队列中记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元，并且在所述队列中记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元。其中所述队列有第一端与第二端，且在所述第一端与所述第二端之间有多个位置。此外，在所述队列中，记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置是接续在记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置之后，并且记录映射所述第一逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离大于记录映射所述第二逻辑地址的物理抹除单元的位置与所述第一端之间的距离。在本发明的一范例实施例中，上述在根据写入顺序标记将至少部分的物理抹除单元分为第一部分与第二部分的操作中，存储器控制电路单元还用以根据第一端与二端之间的中心端点将记录于第二端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于所述第一部分的物理抹除单元，并且将记录于第一端与中心端点之间的位置的物理抹除单元分为属于所述第二部分的物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据所述特定性质数据计数从第一部分及第二部分其中之一的物理抹除单元中选出所述至少一第一物理抹除单元的操作中，存储器控制电路单元还用以判断属于所述第一部分的物理抹除单元中是否包含至少一第一候选物理抹除单元，其中所述至少一第一候选物理抹除单元的特定性质数据计数与一预定值符合一预定关系。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则存储器控制电路单元还用以将所述第一部分的物理抹除单元之中的所述至少一第一候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。倘若属于所述第一部分的物理抹除单元中不包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则存储器控制电路单元还用以判断属于所述第二部分的 物理抹除单元中是否包含至少一个第二候选物理抹除单元，其中所述至少一个第二候选物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系。倘若属于所述第二部分的物理抹除单元之中包含所述至少一第二候选物理抹除单元时，则存储器控制电路单元还用以将所述第二部分的物理抹除单元中的所述至少一第二候选物理抹除单元作为所述至少一第一物理抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述在根据第二参数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元的操作中，存储器控制电路单元还用以根据抹除次数从至少一第一物理抹除单元之中选择第二物理抹除单元，其中第二物理抹除单元的抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存无效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数大于预定值。在本发明的一范例实施例中，上述每一物理抹除单元包括多个物理程序化单元，每一至少部分的物理抹除单元的特定性质数据计数指示每一至少部分的物理抹除单元的物理程序化单元之中储存有效数据的物理程序化单元的数目，且预定关系为特定性质数据计数小于预定值。在本发明的一范例实施例中，上述存储器控制电路单元还用以将至少部分的物理抹除单元的数目除以可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元的数目以获得第一值。存储器控制电路单元还用以将物理抹除单元之中的一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目乘以所述第一值以获得第二值。存储器控制电路单元还用以将所述一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目减去所述第二值以获取第三值，并且将所述第三值设定为所述预定值。基于上述，上述范例实施例是通过物理抹除单元的时间标记、特定性质数据计数以及抹除次数来选择用以进行垃圾收集操作的物理抹除单元。如此一来，通过使用储存有长时间未更动的数据的物理抹除单元来进行垃圾收集操作，能有效地避免执行垃圾收集操作的同时所造成的平均磨损操作的执行频率的增加。据此，上述范例实施例可平均物理抹除单元的抹除次数，以延长存储器储存装置的使用寿命。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图；图2是根据一范例实施例所示出的电脑、输入/输出装置与存储器储存装置的示意图；图3是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图；图4是根据一范例实施例所示出的存储器储存装置的概要方块图；图5是根据一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图；图6A与图6B是根据一范例实施例所示出的管理物理抹除单元的范例示意图；图7是根据一范例实施例所示出的用以记录对应数据区的物理抹除单元的写入顺序标记的队列示意图；图8A与图8B是根据一范例实施例所示出的为数据区的物理抹除单元配置写入顺序标记的示意图；图9是根据一范例实施例所示出的根据写入顺序标记将数据区的物理抹除单元分为第一部分与第二部分的示意图；图10是根据一范例实施例所示出的根据写入顺序标记与特定性质数据计数选出至少一第一物理抹除单元的流程图；图11是根据一范例实施例所示出的存储器管理方法的流程图。附图标记说明：10：存储器储存装置；11：主机系统；12：电脑；13：输入/输出装置；122：微处理器；124：随机存取存储器(RAM)；126：系统总线；128：数据传输接口；21：鼠标；22：键盘；23：显示器；24：打印机；25：随身碟；26：存储卡；27：固态硬盘；31：数码相机；32：SD卡；33：MMC卡；34：记忆棒；35：CF卡；36：嵌入式储存装置；402：连接接口单元；404：存储器控制电路单元；406：可复写式非易失性存储器模块；410(0)～410(N)：物理抹除单元；502：存储器管理电路；504：主机接口；506：存储器接口；508：缓冲存储器；510：电源管理电路；512：错误检查与校正电路；602：数据区；604：闲置区；606：系统区；608：取代区；610(0)～610(D)：逻辑地址；700：队列；702：第一端；704：第二端；A1～An：位置；C：中心端点；P1：第一部分；P2：第二部分；S1001、S1003、S1005、S1007：步骤；S1101、S1103、S1105：步骤。具体实施方式一般而言，存储器储存装置(也称，存储器储存系统)包括可复写式非易失性存储器模块与控制器(也称，控制电路)。通常存储器储存装置是与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器储存装置或从存储器储存装置中读取数据。图1是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图，且图2是根据一范例实施例所示出的电脑、输入/输出装置与存储器储存装置的示意图。请参照图1，主机系统11一般包括电脑12与输入/输出(input/output，简称：I/O)装置1106。电脑12包括微处理器122、随机存取存储器(randomaccessmemory，简称：RAM)124、系统总线126与数据传输接口128。输入/输出装置13包括如图2的鼠标21、键盘22、显示器23与打印机24。必须了解的是，图2所示的装置非限制输入/输出装置13，输入/输出装置13可还包括其他装置。在本实施例中，存储器储存装置10是通过数据传输接口128与主机系统11的其他元件电性连接。通过微处理器122、随机存取存储器124与输入/输出装置13的运作可将数据写入至存储器储存装置10或从存储器储存装置10中读取数据。例如，存储器储存装置10可以是如图2所示的随身碟25、存储卡26或固态硬盘(SolidStateDrive，简称：SSD)27等的可复写式非易失性存储器储存装置。图3是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器储存装置的示意图。一般而言，主机系统11为可实质地与存储器储存装置10配合以储存数据的任意系统。虽然在本范例实施例中，主机系统11是以电脑系统来做说明，然而，在另一范例实施例中主机系统11可以是数码相机、摄影机、通信装置、音频播放器或视频播放器等系统。例如，在主机系统为图3中的数码相机(摄影机)31时，可复写式非易失性存储器储存装置则为其所使用的SD卡32、MMC卡33、记忆棒(memorystick)34、CF卡35或嵌入式储存装置36(如图3所示)。嵌入式储存装置36包括嵌入式多媒体卡(EmbeddedMMC，简称：eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒体卡是直接电性连接于主机系统的基板上。图4是根据一范例实施例所示出的存储器储存装置的概要方块图。请参照图4，存储器储存装置10包括连接接口单元402、存储器控制电路单元404与可复写式非易失性存储器模块406。在本范例实施例中，连接接口单元402是相容于串行高级技术附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment，简称：SATA)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元402也可以是符合并行高级技术附件(ParellelAdvancedTechnologyAttachment，简称：PATA)标准、电气和电子工程师协会(InstituteofElectricalandElectronicEngineers，简称：IEEE)1394标准、高速周边零件连接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress，简称：PCIExpress)标准、通用串行总线(UniversalSerialBus，简称：USB)标准、超高速一代(UltraHighSpeed-I，简称：UHS-I)接口标准、超高速二代(UltraHighSpeed-II，简称：UHS-II)接口标准、安全数字(SecureDigital，简称：SD)接口标准、记忆棒(MemoryStick，简称：MS)接口标准、多媒体储存卡(MultiMediaCard，简称：MMC)接口标准、小型快闪(CompactFlash，简称：CF)接口标准、整合式驱动电子接口(IntegratedDeviceElectronics，简称：IDE)标准或其他适合的标准。在本范例实施例中，连接接口单元可与存储器控制电路单元封装在一个芯片中，或布设于一包含存储器控制电路单元的芯片外。存储器控制电路单元404用以执行以硬件型式或固件型式实作的多个逻辑门或控制指令，并且根据主机系统11的指令在可复写式非易失性存储器模块406中进行数据的写入、读取与抹除等操作。可复写式非易失性存储器模块406是电性连接至存储器控制电路单元404，并且用以储存主机系统11所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块406具有物理抹除单元410(0)～410(N)。例如，物理抹除单元410(0)～410(N)可属于同一个存储器晶粒(die)或者属于不同的存储器晶粒。每一物理抹除单元分别具有多个物理程序化单元，其中属于同一个物理抹除单元的物理程序化单元可被独立地写入且被同时地抹除。然而，必须了解的是，本发明不限于此，每一物理抹除单元是可由64个物理程序化单元、256个物理程序化单元或其他任意个物理程序化单元所组成。更详细来说，物理抹除单元为抹除的最小单位。也就是，每一物理抹除单元含有最小数目的一并被抹除的记忆胞。物理程序化单元为程序化的最小单元。即，物理程序化单元为写入数据的最小单元。每一物理程序化单元通常包括数据比特区与冗余比特区。数据比特区包含多个物理存取地址用以储存使用者的数据，而冗余比特区用以储存系统的数据(例如，控制信息与错误更正码)。在本范例实施例中，每一个物理程序化单元的数据比特区中会包含8个物理存取地址，且一个物理存取地址的大小为512字节(byte)。然而，在其他范例实施例中，数据比特区中也可包含数目更多或更少的物理存取地址，本发明并不限制物理存取地址的大小以及个数。例如，在一范例实施例中，物理抹除单元为物理区块，并且物理程序化单元为物理页面或物理扇区，但本发明不以此为限。在本范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块406为多阶存储单元(MultiLevelCell，简称：MLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可储存2个数据比特的快闪存储器模块)。然而，本发明不限于此，可复写式非易失性存储器模块406也可是单阶存储单元(SingleLevelCell，简称：SLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可储存1个数据比特的快闪存储器模块)、多阶存储单元(TrinaryLevelCell，简称：TLC)NAND型 快闪存储器模块(即，一个存储单元中可储存3个数据比特的快闪存储器模块)、其他快闪存储器模块或其他具有相同特性的存储器模块。图5是根据一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图。请参照图5，存储器控制电路单元404包括存储器管理电路502、主机接口504与存储器接口506。存储器管理电路502用以控制存储器控制电路单元404的整体运作。具体来说，存储器管理电路502具有多个控制指令，并且在存储器储存装置10运作时，此些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与抹除等操作。在本范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令是以固件型式来实作。例如，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)与只读存储器(未示出)，并且此些控制指令是被烧录至此只读存储器中。当存储器储存装置10运作时，此些控制指令会由微处理器单元来执行以进行数据的写入、读取与抹除等操作。在本发明另一范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令也可以程序代码型式储存于可复写式非易失性存储器模块406的特定区域(例如，存储器模块中专用于存放系统数据的系统区)中。此外，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)、只读存储器(未示出)及随机存取存储器(未示出)。特别是，此只读存储器具有驱动码，并且当存储器控制电路单元404被致能时，微处理器单元会先执行此驱动码段来将储存于可复写式非易失性存储器模块406中的控制指令载入至存储器管理电路502的随机存取存储器中。之后，微处理器单元会运转此些控制指令以进行数据的写入、读取与抹除等操作。主机接口504是电性连接至存储器管理电路502并且用以电性连接至连接接口单元402，以接收与识别主机系统11所传送的指令与数据。也就是说，主机系统11所传送的指令与数据会通过主机接口504来传送至存储器管理电路502。在本范例实施例中，主机接口504是相容于SATA标准。然而，必须了解的是本发明不限于此，主机接口504也可以是相容于PATA标准、IEEE1394标准、PCIExpress标准、USB标准、UHS-I接口标准、UHS-II接口标准、SD标准、MS标准、MMC标准、CF标准、IDE标准或其他适合的数据传输标准。存储器接口506是电性连接至存储器管理电路502并且用以存取可复写式非易失性存储器模块406。也就是说，欲写入至可复写式非易失性存储器模块406的数据会经由存储器接口506转换为可复写式非易失性存储器模块406所能接受的格式。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404还包括缓冲存储器508、电源管理电路510与错误检查与校正电路512。缓冲存储器508是电性连接至存储器管理电路502并且用以暂存来自于主机系统11的数据与指令或来自于可复写式非易失性存储器模块406的数据。电源管理电路510是电性连接至存储器管理电路502并且用以控制存储器储存装置10的电源。错误检查与校正电路512是电性连接至存储器管理电路502并且用以执行错误检查与校正程序以确保数据的正确性。具体来说，当存储器管理电路502从主机系统11中接收到写入指令时，错误检查与校正电路512会为对应此写入指令的数据产生对应的错误检查与校正码(ErrorCheckingandCorrectingCode，简称：ECCCode)，并且存储器管理电路502会将对应此写入指令的数据与对应的错误检查与校正码写入至可复写式非易失性存储器模块406中。之 后，当存储器管理电路502从可复写式非易失性存储器模块406中读取数据时会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且错误检查与校正电路512会依据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序。图6A与图6B是根据一范例实施例所示出的管理物理抹除单元的范例示意图。必须了解的是，在此描述可复写式非易失性存储器模块106的物理抹除单元的运作时，以“提取”、“分组”、“划分”、“关联”等词来操作物理抹除单元是逻辑上的概念。也就是说，可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元的实际位置并未更动，而是逻辑上对可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元进行操作。请参照图6A，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将物理抹除单元410(0)～410(N)逻辑地分组为数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608。逻辑上属于数据区602与闲置区604的物理抹除单元是用以储存来自于主机系统11的数据。具体来说，数据区602的物理抹除单元是被视为已储存数据的物理抹除单元，而闲置区604的物理抹除单元是用以替换数据区602的物理抹除单元。也就是说，当从主机系统11接收到写入指令与欲写入的数据时，存储器管理电路502会从闲置区604中提取物理抹除单元，并且将数据写入至所提取的物理抹除单元中，以替换数据区602的物理抹除单元。逻辑上属于系统区606的物理抹除单元是用以记录系统数据。例如，系统数据包括关于可复写式非易失性存储器模块的制造商与型号、可复写式非易失性存储器模块的物理抹除单元数、每一物理抹除单元的物理程序化单元数等。逻辑上属于取代区608中的物理抹除单元是用于坏物理抹除单元取代程序，以取代损坏的物理抹除单元。具体来说，倘若取代区608中仍存有正常的物理抹除单元并且数据区602的物理抹除单元损坏时，存储器管理电路502会从取代区608中提取正常的物理抹除单元来更换损坏的物理抹除单元。特别是，数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608的物理抹除单元的数量会依据不同的存储器规格而有所不同。此外，必须了解的是，在存储器储存装置10的运作中，物理抹除单元关联至数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608的分组关系会动态地变动。例如，当闲置区604中的物理抹除单元损坏而被取代区608的物理抹除单元取代时，则原本取代区608的物理抹除单元会被关联至闲置区604。请参照图6B，如上所述，数据区602与闲置区604的物理抹除单元是以轮替方式来储存主机系统11所写入的数据。在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会配置逻辑地址610(0)～610(D)给主机系统11，以映射至数据区602中部分的物理抹除单元414(0)～410(F-1)，以利于在以上述轮替方式来储存数据的物理抹除单元中进行数据存取。特别是，主机系统11会通过逻辑地址610(0)～610(D)来存取数据区602中的数据。此外，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会建立逻辑地址-物理抹除单元映射表(logicaladdress-physicalerasingunitmappingtable)，以记录逻辑地址与物理抹除单元之间的映射关系。此逻辑地址-物理抹除单元映射表还可以例如是记录逻辑地址与物理程序化单元、逻辑程序化单元与物理程序化单元和/或逻辑程序化单元与物理抹除单元之间的映射关系等各种逻辑与物理的对应关系，本发明不加以限制。在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是依据多个参数来选择进行垃圾收集操作的物理抹除单元。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路 502)会先根据一个参数(也称为第一参数)从至少部分的物理抹除单元中选出至少一个物理抹除单元(也称为至少一第一物理抹除单元)。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据另一个参数(也称为第二参数)从根据第一参数所选出的至少一第一物理抹除单元之中选出一个物理抹除单元(也称为第二物理抹除单元)，其中第二参数不同于第一参数。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会复制第二物理抹除单元中所储存的至少部分数据至所提取的另一个物理抹除单元(也称为第三物理抹除单元)，以释放出可用的物理抹除单元。具体而言，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会为每一物理抹除单元410(0)～410(N)记录对应的特定性质数据计数，以及为每一物理抹除单元410(0)～410(N)记录抹除次数与写入顺序标记的至少其中之一。举例而言，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是依据数据区602中的物理抹除单元中的无效数据的数量，为数据区602的每一个物理抹除单元记录一个特定性质数据计数，换言之，此特定性质数据计数可反应出无效数据量。例如，每一物理抹除单元的特定性质数据计数是指示数据区602的每一物理抹除单元的物理程序化单元之中储存无效数据的物理程序化单元的数目。然而，本发明并不限于此。例如，在另一范例实施例中，此特定性质数据计数也可以是指示数据区602的每一物理抹除单元的物理程序化单元之中储存有效数据的物理程序化单元的数目。例如，特定性质数据计数可被记录于一特定性质数据计数表中或者其所对应的物理抹除单元中。此外，每一物理抹除单元410(0)～410(N)的抹除次数是有限的。例如，物理抹除单元在抹除一万次之后就会损坏，并且当物理抹除单元磨损导致储存容量的部分容量损失或性能明显退化时，会造成使用者所储存的数据遗失或无法储存数据等不利影响。特别是，物理抹除单元的磨损是取决于每一物理抹除单元中被程序化或抹除的次数。也就是说，若一物理抹除单元仅被程序化(或者写入)一次，尔后未被再次程序化或写入时，此物理抹除单元的磨损程度将相对地低。反之，若一个物理抹除单元被重复地程序化与抹除时，则此物理抹除单元的磨损程度就会相对地高。例如，当可复写式非易失性存储器模块406中的一个物理抹除单元被抹除时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将对应此物理抹除单元的抹除次数加1。类似地，抹除次数可被记录于一抹除次数表中或者其所对应的物理抹除单元中。在本发明范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是依据上述为每一物理抹除单元所记录的特定性质数据计数、抹除次数与写入顺序标记的至少其中之二来选择进行垃圾收集操作的物理抹除单元。例如，在一范例实施例中，上述第一参数包括特写入顺序标记与定性质数据计数，而第二参数为抹除次数。在此例子中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据数据区602的物理抹除单元410(0)～410(F-1)的程序化顺序为数据区602的每一物理抹除单元410(0)～410(F-1)记录写入顺序标记。在此，程序化顺序指的是数据区602的物理抹除单元410(0)～410(F-1)被写入数据的先后顺序。例如，数据区602的每一物理抹除单元410(0)～410(F-1)的程序化顺序，即代表每一物理抹除单元410(0)～410(F-1)中的数据的新旧程度。也就是说，越早被写入数据的物理抹除单元中的写入数据为较旧的数据，越晚被写入数据的物理抹除单元中的写入数据为较新的数据。在此例子中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会建立一个队列以依序地根据数据区602的物理抹除单元410(0)～410(F-1)的程序化顺序记录物理抹除单元410(0)～410(F-1)来表示数据区602的每一物理抹除单元的写入顺序标记。特别是，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存 储器管理电路502)会先根据此写入顺序标记将数据区602的物理抹除单元410(0)～410(F-1)分为第一部分与第二部分。图7是根据一范例实施例所示出的用以记录对应数据区的物理抹除单元的写入顺序标记的队列示意图。请参照图7，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)所建立的队列700具有第一端702与第二端704，并且在第一端702与第二端704之间有多个位置A1～An。在此，第一端702为队列700的头端，而第二端704为队列700的尾端。然而，必须了解的是，本发明不限于此，在另一范例实施例中，第一端702也可以是队列700的尾端，而第二端704也可以是队列700的头端。队列700可以表格的形式被储存在缓冲存储器508或随机存取存储器124中，并且于主机系统11关机时或存储器储存装置10断电时被更新至可复写式非易失性存储器模块406中。图8A与图8B是根据一范例实施例所示出的为数据区的物理抹除单元配置写入顺序标记的示意图。请参照图8A，倘若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从主机系统11接收到欲写入数据(也称为第一数据)至逻辑地址610(1)(也称为第一逻辑单元)的操作指令序列时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将分配至第一逻辑地址610(1)的第一数据程序化至一个物理抹除单元(例如，物理抹除单元410(1))，将物理抹除单元410(1)映射至第一逻辑地址610(1)(即，将物理抹除单元410(1)关联至数据区602)，并且从队列700的第一端702开始将映射此第一逻辑地址610(1)的物理抹除单元410(1)记录于队列700中的位置A1。值得注意的是，本发明并不限制记录于队列700的物理抹除单元的形式。举例来说，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可在队列700中记录用以代表物理抹除单元410(1)的资讯，例如，图8A中所示的队列700中的“410(1)”可以是物理抹除单元410(1)的编号、识别值或是其所对应的逻辑地址。请参照图8B，在将第一数据程序化至映射第一逻辑地址610(1)的物理抹除单元410(1)之后，倘若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从主机系统11接收到欲写入数据(也称为第二数据)至逻辑地址610(2)(也称为第二逻辑单元)的操作指令序列时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将分配至第二逻辑地址610(2)的第二数据程序化至一个物理抹除单元(例如，物理抹除单元410(2))，将物理抹除单元410(2)映射至第一逻辑地址610(2)(即，将物理抹除单元410(2)关联至数据区602)，并且在队列700中记录映射此第二逻辑地址610(2)的物理抹除单元410(2)。类似地，图8B中所示的队列700中的“410(2)”可以是物理抹除单元410(2)的编号、识别值或是其所对应的逻辑地址。此时，如图8B所示，在队列700中记录映射第一逻辑地址610(1)的物理抹除单元410(1)的位置A2是接续在记录映射第二逻辑地址610(2)的物理抹除单元410(2)的位置A1之后。也就是说，记录映射第一逻辑地址610(1)的物理抹除单元410(1)的位置A2与第一端702之间的距离大于记录映射第二逻辑地址610(2)的物理抹除单元410(2)的位置A1与第一端702之间的距离。图9是根据一范例实施例所示出的根据写入顺序标记将数据区的物理抹除单元分为第一部分与第二部分的示意图。请参照图9，在本范例实施例中，假设目前队列700的位置A1～An已由存储器控制电路 单元404(或存储器管理电路502)依照各物理抹除单元的程序化顺序记录有依序被程序化的物理抹除单元的信息，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据第一端702与第二端704之间的中心端点C将记录于中心端点C与第二端704之间的位置的物理抹除单元分为属于第一部分P1的物理抹除单元，并且将记录于第一端702与中心端点C之间的位置的物理抹除单元分为属于第二部分P2的物理抹除单元。值得一提的是，本发明并不加以限制将物理抹除单元分成第一部分与第二部分的方法，例如，在另一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将队列700的位置A1～An分为三等分，并且将靠近第二端704的其中一份的位置中所记录于的物理抹除单元分成第一部分，而其余的两份位置中所记录于的物理抹除单元分成第二部分。换言之，在本范例实施例中，第一部分与第二部分在队列700中分别所占的比例可依照使用者的需求或存储器储存装置10的执行性能而被调整与设定。具体而言，对于被写入可复写式非易失性存储器模块406后就长时间未曾更动或甚至被设定成只读属性的数据(以下将这类数据称为冷数据(colddata))，储存此类数据的物理抹除单元因数据鲜少更新或不能更新，因此其抹除次数会相对较低。由于在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是从队列700的第一端702开始记录依序被程序化的物理抹除单元。也就是说，被记录在队列700中具有距离与第二端704越小且距离与第一端702越大的位置的物理抹除单元中的数据为较旧的且较少被更动的数据，而此些较旧的且较少被更动的数据为冷数据的可能性较大。因此，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先从队列700的第一部分P1中由第二端704开始依序选出所述至少一第一物理抹除单元来执行上述判断特定性质数据计数的操作。倘若队列700的第一部分P1中不具有其特定性质数据计数大于预定值的物理抹除单元，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会再从队列700的第二部分P2中由中心端点C开始依序选出所述至少一第一物理抹除单元。为了更清楚地描述本发明的根据写入顺序标记与特定性质数据计数选出至少一第一物理抹除单元的操作，以下将参照图9与图10以一范例来进行说明。图10是根据一范例实施例所示出的根据写入顺序标记与特定性质数据计数选出至少一第一物理抹除单元的流程图。请同时参照图9与图10，在步骤S1001中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会判断属于第一部分P1的物理抹除单元中是否包含至少一第一候选物理抹除单元，其中至少一第一候选物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值会符合一预定关系。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先判断属于第一部分P1的物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值的关系，并且根据此特定性质数据计数与预定值的关系从属于第一部分P1的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元。在本发明范例实施例中，由于特定性质数据计数是指示数据区602的每一物理抹除单元的物理程序化单元之中储存无效数据的物理程序化单元的数目，因此，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是将此些物理抹除单元之中其特定性质数据计数大于此预定值的物理抹除单元选作为上述至少一第一物理抹除单元。然而，在特定性质数据计数是用以指示数据区602的每一物理抹除单元的物理程序化单元之中储存有效数据的物理程序化单元的数目的例子中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是将物理抹除单元之中其特定性质数据计数小于此预定值的物理抹除单元选作为上述至少一第一物理抹除单元。倘若属于第一部分P1的物理抹除单元之中包含至少一第一候选物理抹除单元时，则在步骤S1003中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将第一部分P1的物理抹除单元之中的至少一第一候选物理抹除单元作为至少一第一物理抹除单元。反之，倘若属于第一部分P1的物理抹除单元中不包含所述至少一第一候选物理抹除单元时，则在步骤S1005中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会判断属第二部分P2的物理抹除单元中是否包含至少一第二候选物理抹除单元，其中第二候选物理抹除单元的特定性质数据计数与上述预定值符合所述预定关系。举例而言，假设在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)在步骤S1001中，判断记录于对应第一部分P1的位置的物理抹除单元中不包含具有物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系的至少一第一候选物理抹除单元。因此，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在步骤S1005中，继续判断记录于对应第二部分P2的位置的物理抹除单元中是否包含物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系的至少一第二候选物理抹除单元。在此，倘若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断记录于对应第二部分P2的位置中的物理抹除单元中包含具有物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合所述预定关系的物理抹除单元为分别记录于位置与位置的物理抹除单元410(8)与物理抹除单元410(3)，因此，物理抹除单元410(8)与物理抹除单元410(3)可视为至少一第二候选物理抹除单元。由于在步骤S1005中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断属于第二部分P2的物理抹除单元之中包含至少一第二候选物理抹除单元，因此，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会接着在步骤S1007中，将第二部分P2的物理抹除单元中的至少一第二候选物理抹除单元(即，物理抹除单元410(8)与物理抹除单元410(3))作为至少一第一物理抹除单元。值得一提的是，在本范例实施例中，在依据第一参数与第二参数来选择进行垃圾收集操作的物理抹除单元之前，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会判断物理抹除单元中的可用物理抹除单元是否小于一预定可用数目，并且在物理抹除单元中的可用物理抹除单元小于此预定可用数目时，才执行依据第一参数与第二参数选择物理抹除单元以进行垃圾收集操作的运作。然而，本发明并不限于此。例如，在另一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会每隔一固定的时间执行依据第一参数与第二参数选择物理抹除单元以进行垃圾收集操作的运作。此外，在本范例实施例中，上述预定值是根据数据区602的物理抹除单元的数目与可复写式非易失性存储器模块406中所有物理抹除单元的数目的比率，以及一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目计算所获得的。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先将数据区602的物理抹除单元的数目除以可复写式非易失性存储器模块406的物理抹除单元的数目以获得第一值，并且将物理抹除单元之中的一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目乘以此第一值以获得第二值。例如，假设数据区602的物理抹除单元的数目为“956”，可复写式非易失性存储器模块406中实际上所具有的物理抹除单元的数目为“988”，而一个物 理抹除单元的物理程序化单元的数目为“256”，因此，经计算后所获得的第一值为“0.967”(即，956/988＝0.967)，而第二值为“247”(即，0.967*256＝247)。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目减去第二值以获取第三值，并且将此第三值设定为预定值。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是将一个物理抹除单元的物理程序化单元的数目“256”减去第二值“247”所得到的第三值“8”设为预定值。换言之，此预定值即代表在可复写式非易失性存储器模块406的数据区602的物理抹除单元皆写满数据时，从数据区602中所任选的一个物理抹除单元中至少会有8个物理程序化单元储存有无效数据。特别是，由于在本范例实施例中，预定值即代表在可复写式非易失性存储器模块406的数据区602的物理抹除单元皆写满数据时，从数据区602中所任选的一个物理抹除单元中至少会有大于或等于此预定值的数个物理程序化单元储存有无效数据。换言之，在可复写式非易失性存储器模块406的数据区602的物理抹除单元中一定会具有其特定性质数据计数大于此预定值的至少一物理抹除单元。因此，在步骤S1005中，若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断属于第二部分P2的物理抹除单元中不包含其物理抹除单元的特定性质数据计数与上述预定值符合一预定关系的至少一第二候选物理抹除单元时，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将其视为判断错误，而重新执行步骤S1001以再次确认属于第一部分P1或第二部分P2的物理抹除单元中是否包含至少一第一候选物理抹除单元或至少一第二候选物理抹除单元。之后，如上所述，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将至少一第一物理抹除单元之中的具有最小抹除次数的物理抹除单元选为用以进行垃圾收集操作的第二物理抹除单元。并且，在执行垃圾收集操作时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是从闲置区604的物理抹除单元中提取第三物理抹除单元，并且复制上述第二物理抹除单元中所储存的有效数据至此第三物理抹除单元。本范例实施例中，通过上述根据写入顺序标记与特定性质数据计数选择物理抹除单元的操作以及对所选择的物理抹除单元执行抹除次数判断的操作，可以选到储存有较旧且较少被更动的冷数据的物理抹除单元，且所选到的物理抹除单元具有较大的特定性质数据计数。如此一来，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)不但可以选取到物理抹除单元中其有效数据较少的一个物理抹除单元来执行垃圾收集操作，还可避免在垃圾收集操作中将一物理抹除单元中所储存的有效数据搬移至另一物理抹除单元后，由于所述有效数据不断被更新而导致的可复写式非易失性存储器中某些物理抹除单元的抹除次数不断地提高所造成的平均磨损操作的执行频率的增加。值得一提的是，在上述第一参数包括写入顺序标记与特定性质数据计数，且第二参数为抹除次数的范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)即是根据物理抹除单元的写入顺序标记、特定性质数据计数以及抹除次数来选择用以进行垃圾收集操作的物理抹除单元。然而，本发明并不限于此，例如，在另一范例实施例中，第一参数可以是特定性质数据计数且第二参数为抹除次数与写入顺序标记的至少其中之一，例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可仅根据物理抹除单元的特定性质数据计数与写入顺序标记来选择用以进行垃圾收集操作的物理抹除单元或者仅根据物理抹除单元的特定性质数据计数与抹除次数来选择用以进行垃圾收集操作的物理抹除单元。举例而言，在第一参数为特定性质数据计数且第二参数为写入顺序标记的范例实施例中， 存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可仅根据物理抹除单元的特定性质数据计数与写入顺序标记来选择用以进行垃圾收集操作的物理抹除单元。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先判断数据区602的物理抹除单元中是否包含其物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合预定关系的至少一物理抹除单元，并选出符合所述预定关系的至少一第一物理抹除单元。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据此些至少一第一物理抹除单元的程序化顺序将其排列并为至少一第一物理抹除单元记录写入顺序标记，例如，配置写入顺序标记的方法是相同于图8A与图8B所述的方法，在此不再重述。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)即可根据写入顺序标记选择一最早被写入数据并且储存有较旧且较少被更动的数据的物理抹除单元作为进行垃圾收集操作的第二物理抹除单元。而在第一参数为特定性质数据计数且第二参数包括写入顺序标记与抹除次数的范例实施例中，类似地，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会选出物理抹除单元中其物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合预定关系的至少一物理抹除单元。并且，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据此些至少一第一物理抹除单元的程序化顺序将其排列并为至少一第一物理抹除单元记录写入顺序标记。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据写入顺序标记从至少一第一物理抹除单元之中选择至少一物理抹除单元(也称为至少一第三候选物理抹除单元)，例如，此些至少一第三候选物理抹除单元的写入顺序早于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将至少一第三候选物理抹除单元之中具有最小抹除次数的物理抹除单元选作为第二物理抹除单元，即，第二物理抹除单元的抹除次数小于此至少一第三候选物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。此外，在第一参数为特定性质数据计数且第二参数为抹除次数的范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)并不会执行上述对应图10的根据写入顺序标记与特定性质数据计数选出至少一第一物理抹除单元的步骤，而是直接判断数据区602的物理抹除单元中是否包含其物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合预定关系的至少一物理抹除单元，并选出符合此预定关系的的至少一第一物理抹除单元。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在至少一第一物理抹除单元之中选择一个具有最小抹除次数的物理抹除单元作为进行垃圾收集操作的第二物理抹除单元。而在第一参数为特定性质数据计数且第二参数包括抹除次数与写入顺序标记的范例实施例中，在存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)选出物理抹除单元中其物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合预定关系的至少一第一物理抹除单元后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在至少一第一物理抹除单元之中选择具有抹除次数小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数的至少一第三候选物理抹除单元。接着，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)根据此些至少一第三候选物理抹除单元的程序化顺序将其排列并为至少一第三候选物理抹除单元记录写入顺序标记。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据写入顺序标记从至少一第三候选物理抹除单元之中选择一个其写入顺序最早的第二物理抹除单元，换言之，第二物理抹除单元的写入顺序标记会指示第二物理抹除单元的程序化顺序早于至少一第三候选物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的程序化顺序。在又一范例实施例中，上述第一参数也可以是抹除次数，而第二参数为特定性质数据计数与写入顺序标记的至少其中之一，例如，在第一参数为抹除次数且第二参数为特定性质数 据计数的例子中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先在至少部分的物理抹除单元之中选择具有抹除次数小于至少部分的物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数的至少一第一物理抹除单元，再从至少一第一物理抹除单元中选出符合预定关系的一个第二物理抹除单元。例如，所选出的第二物理抹除单元的抹除次数会小于至少一第一物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数。而在第一参数为抹除次数且第二参数为特定性质数据计数与写入顺序标记的例子中，在存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从至少部分的物理抹除单元之中选择具有抹除次数小于至少部分的物理抹除单元之中的其他物理抹除单元的抹除次数的至少一第一物理抹除单元后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会先选出至少一第一物理抹除单元中其物理抹除单元的特定性质数据计数与预定值符合预定关系的至少一第三候选物理抹除单元，并且根据此些至少一第三候选物理抹除单元的程序化顺序将其排列并为至少一第三候选物理抹除单元记录写入顺序标记。之后，类似地，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据写入顺序标记从至少一第三候选物理抹除单元之中选择一个其写入顺序最早的第二物理抹除单元。图11是根据一范例实施例所示出的存储器管理方法的流程图。请参照图11，在步骤S1101中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据第一参数从至少部分的物理抹除单元中选出至少一第一物理抹除单元。在步骤S1103中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据第二参数从所述至少一第一物理抹除单元之中选择一第二物理抹除单元。接着，在步骤S1105中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会复制第二物理抹除单元中所储存的至少部分数据至第三物理抹除单元。特别是，如上所述，在本范例实施例中，图11所示的步骤S1001、S1003与S1005是在存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断物理抹除单元中的可用物理抹除单元小于一预定可用数目时而被执行，然而，本发明并不限于此。例如，在另一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会每隔一固定的时间执行图11所示的步骤S1001、S1003与S1005。此外，图11中各步骤已详细说明如上，在此便不再赘述。值得注意的是，图11中各步骤可以实作为多个程序代码或是电路，本发明并不在此限。此外，图11的方法可以搭配以上实施例使用，也可以单独使用，本发明并不在此限。综上所述，本发明的存储器管理方法会以具有特定性质数据计数大于预定值且储存有较长时间未更动的数据的物理抹除单元做为进行垃圾收集操作的物理抹除单元，由于此物理抹除单元具有较大的特定性质数据计数与较小的抹除次数，且储存有较长时间未更动的数据，基此，可减少执行垃圾收集操作后所造成的平均磨损操作的执行频率的增加并且可有效地避免可复写式非易失性存储器中某些物理抹除单元的抹除次数不断地提高。如此一来，物理抹除单元的磨损程度更为平均且延长了存储器储存系统的寿命。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。当前第1页1 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