技术特征：
技术总结
本发明公开了一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析模型，本发明根据非对称双栅结构和渐变掺杂沟道的特点，得到一定的边界条件。假设前栅沟道和背栅沟道均处于弱反型状态，基于沟道表面势抛物线近似的假设，通过二维泊松方程和边界条件，计算出前棚、背栅的表面电势。在此基础上，根据阈值电压的定义，推导得到前栅、背栅的阈值电压解析模型，其中前栅、背栅的阈值电压较小者为该结构的阈值电压解析模型。该模型也可以推广于非对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅渐变掺杂沟道等结构。该模型精度高、物理概念清晰，为模拟软件在研究双栅场效应晶体管器件时提供了一种快速的工具。
技术研发人员：辛艳辉;袁合才
受保护的技术使用者：华北水利水电大学
技术研发日：2018.01.23
技术公布日：2018.08.10