>[0044]本发明实施例提供了一种触摸屏的制备方法，在该方法中，在透明基板上依次沉积氮氧化硅层/氧化铟锡层/ 二氧化硅层，由于二氧化硅层是在氧化铟锡层刻蚀形成图案后沉积形成，所以可给氧化铟锡层多提供一层保护，可有效消除因氧化铟锡层刻蚀形成图形后所导致的蚀刻纹路明显的问题，并且，在沉积氧化铟锡层后还可直接观察到消影结构的消影效果，从而可及时发现生产中所带来的消影不良。该方法操作简单，且由该方法制备得到的触摸屏可具有良好的视觉效果。
[0045]在本发明的一实施例中，在透明基板I上依次沉积氮氧化硅层3、氧化铟锡层4和二氧化硅层8之前，所述制备方法还包括:氧化铟锡层4包括图案化区和非图案化区；根据氧化铟锡层4的厚度不同，调节氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度，使所述图案化区和所述非图案化区的反射率接近或相同。
[0046]在本实施例中，可根据生产工艺的不同而调整氧化铟锡层4的厚度，当氧化铟锡层4的厚度越来越厚时，则较容易出现产品的透过率相应降低的问题。透过率降低的主要原因是由于氧化铟锡层4刻蚀后所形成的图案化区和非图案化区的反射率差距过大造成的。所以，本实施例通过调节氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度以调控氧化铟锡层4上的图案化区和非图案化区的反射率差距较小甚至为零，从而使氧化铟锡层4具有较高的透过率。可以理解的是，这一预调节步骤在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层之前进行，即在氧化铟锡层4的厚度确定后，得到将氧化铟锡层4上的图案化区和非图案化区的反射率差距调整为较小甚至为零时所需的氮氧化硅层3的折射率、以及氮氧化硅层3和二氧化硅层8的厚度，然后再根据上述参数在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层，从而可确保触摸屏获得高透过率。
[0047]在本发明的一实施例中，在180°C -220°C的温度范围内沉积氮氧化硅层3。在本实施例中，一方面是考虑到在沉积氮氧化硅层3之前透明基板上的绝缘边框胶的耐温性能，另一方面是考虑到所形成的消影结构的整体性能，所以选择在低温下，即在180°C -220°C的温度范围内沉积氮氧化硅层3。可选的，在200°C左右沉积氮氧化硅层3。
[0048]在本发明的一实施例中，在沉积氧化铟锡层4之后、二氧化硅层8之前，所述制备方法还包括:在氧化铟锡层4上依次形成第一绝缘保护胶层5、金属层6、第二绝缘保护胶层?。
[0049]在本实施例中，待氧化铟锡层4刻蚀形成图案化区和非图案化区后，在所述图案化区上光刻第一绝缘保护胶层4，作为绝缘桥点；然后在第一绝缘保护胶层4上溅射沉积金属层5，待沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；然后，在金属层5上光刻第二绝缘保护胶层6，作为金属引线和搭桥的保护层。可以理解的是，由于第一绝缘保护胶层4、金属层5、第二绝缘保护胶层6为制作触摸屏的必要步骤，且为本领域技术人员所公知，所以有关在氧化铟锡层4上依次形成第一绝缘保护胶层4、金属层5、第二绝缘保护胶层6的具体说明不在本申请中详述。
[0050]在本发明的一实施例中，在沉积氮氧化硅层3之前，所述方法还包括:在所述透明玻璃基板I上制作绝缘边框2。在本实施例中，在所述透明玻璃基板上制作的绝缘边框可作为遮光层，以避免所述消影结构产生的漏光现象。
[0051]下面将结合具体实施例进一步说明本申请所提供的消影结构、触摸屏及其制备方法。
[0052]实施例1
[0053]首先在玻璃基板上光刻形成一层绝缘边框作为遮光层；待绝缘边框完成后沉积氮氧化硅层，采用中频磁控溅射氮氧化硅层，考虑绝缘边框胶的耐温性能，采用低温沉积，温度控制在200°C左右，通过控制队和O2比例沉积出折射率为1.70的氮氧化硅层，厚度为65nm ;待氮氧化硅层沉积后，在其上采用直流磁控溅射沉积氧化铟锡层，氧化铟锡层折射率1.92，厚度为30nm，待氧化铟锡层沉积完成后光刻、蚀刻后，形成图案化区和非图案化区；随后，在氧化铟锡层的图案化区上光刻第一绝缘保护胶层，作为绝缘桥点；采用直流磁控溅射沉积金属层，沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；在金属层上光刻第二绝缘保护胶层，作为金属引线和搭桥的保护层。最后采用中频磁控溅射沉积二氧化硅层，折射率为1.47，厚度为6511111。在绑定区丝印二氧化硅蚀刻膏，待蚀刻掉绑定区的二氧化硅后与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。其中，氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的反射率如图3所示。
[0054]实施例2
[0055]首先在玻璃基板上光刻形成一层绝缘边框作为遮光层；待绝缘边框完成后沉积氮氧化硅层，采用中频磁控溅射氮氧化硅层，考虑绝缘边框胶的耐温性能，采用低温沉积，温度控制在200°C左右，通过控制队和O2比例沉积出折射率为1.64的氮氧化硅层，厚度为SOnm ;待氮氧化硅层沉积后，在其上采用直流磁控溅射沉积氧化铟锡层，氧化铟锡层折射率1.92，厚度为70nm，待氧化铟锡层沉积完成后光刻、蚀刻后，形成图案化区和非图案化区；随后，在氧化铟锡层的图案化区上光刻第一绝缘保护胶层，作为绝缘桥点；采用直流磁控溅射沉积金属层，沉积完成后光刻、蚀刻形成金属引线和电极间连通的搭桥；在金属层上光刻第二绝缘保护胶层，作为金属引线和搭桥的保护层。最后采用中频磁控溅射沉积二氧化硅层，折射率为1.47，厚度为70nm。在绑定区丝印二氧化硅蚀刻膏，待蚀刻掉绑定区的二氧化硅后与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。其中，氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的反射率如图4所示。
[0056]由图3和图4分别可示出，实施例1中的氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的平均反射率低于8% ;实施例2中的氧化铟锡层上形成的图案化区和非图案化区的平均反射率低于7%。由此可知，本申请所提供的消影结构、触摸屏及其制备方法，不但可有效消除因图案化区和非图案化区的反射率差过大而导致的蚀刻纹路明显、视觉不良的问题，还可提高触摸屏的透过率。
[0057]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围。
【主权项】
1.一种消影结构，其特征在于，所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的消影结构，其特征在于，所述氮氧化硅层的折射率在1.47-2.0范围内变化。
3.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的消影结构。
4.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，在所述消影结构中的氧化铟锡层和二氧化硅层之间还包括依次设置的第一绝缘保护胶层、金属层和第二绝缘保护胶层。
5.根据权利要求3所述的触摸屏，其特征在于，在所述消影结构中还包括绑定区，所述绑定区中的绑定线通过贯穿所述二氧化硅层和所述第二绝缘保护胶层的过孔将所述金属层与柔性电路板电连接。
6.一种如权利要求3-5任一项所述的触摸屏的制备方法，其特征在于，包括: 提供一透明基板； 在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层，形成消影结构；待刻蚀除去所述消影结构中绑定区的二氧化硅和第二绝缘保护胶后，通过绑定线将金属层与柔性电路板进行绑定，形成触摸屏。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述透明基板上依次沉积氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层之前，所述制备方法还包括: 所述氧化铟锡层包括图案化区和非图案化区； 根据所述氧化铟锡层的厚度不同，调节所述氮氧化硅层的折射率、以及所述氮氧化硅层和所述二氧化硅层的厚度，使所述图案化区和所述非图案化区的反射率接近或相同。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在180°C_220°C的温度范围内沉积所述氮氧化硅层。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在沉积氧化铟锡层之后和沉积二氧化硅层之前，所述制备方法还包括: 在所述氧化铟锡层上依次形成第一绝缘保护胶层、金属层、第二绝缘保护胶层。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述氮氧化硅层之前，所述制备方法还包括: 在所述透明玻璃基板上制作绝缘边框。
【专利摘要】本发明实施例提供了一种消影结构、触摸屏及其制备方法，属于显示触控领域，能够有效消除氧化铟锡层刻蚀形成图形后所形成的蚀刻纹。所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层。本发明可用于触摸屏的制作中。
【IPC分类】G06F3-041, G06F3-044
【公开号】CN104635991
【申请号】CN201510106334
【发明人】都智, 胡明
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年3月11日