图案40可不分离为独立的布 局，而是作为替代可将其省略。也就是说，可不产生第三子布局Ls3,而是作为替代可将其省 略。
[0057] 参照图2C，所述方法可包括形成包括第一修改的设计图案IOm的第一修改的子布 局Lsml和/或形成包括第二修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第一 子布局Lsl的第一设计图案10获得第一修改的设计图案10m，通过修改第二子布局Ls2的 第二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。形成第一修改的设计图案IOm的步骤可 包括增加第一额外图案51，其与宽空间Sw重叠并从第一设计图案10延伸至宽空间Sw上， 以去除宽空间Sw的至少一部分。形成第二修改的设计图案20m的步骤可包括增加第二额 外图案52,其与宽空间Sw重叠并从第二设计图案20延伸至宽空间Sw上，以去除宽空间Sw 的至少一部分。第一额外图案51和第二额外图案52的每一个可具有条形、线形或肘形，并 且可分别从第一设计图案10或第二设计图案20延伸。在一个实施例中，第一额外图案51 和第二额外图案52可分别从第一设计图案10和第二设计图案20的中间部分延伸以具有 分支形状。在另一实施例中，第一额外图案51和第二额外图案52可不与第一设计图案10 和第二设计图案20连续。第一修改的子布局Lsml可对应于第一光掩模布局，第二修改的 子布局Lsm2可对应于第二光掩模布局。
[0058] 图2D是第一修改的子布局Lsml与第二修改的子布局Lsm2重叠的修改的布局Lm。 参照图2D，修改的布局Lm可包括具有第一修改的设计图案IOm的第一修改的子布局Lsml 和具有第二修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2。与图2A所示的初始布局Li相 比，第一修改的设计图案IOm替代了第一设计图案10,第二修改的设计图案20m替代了第 二设计图案20,并且省略了第三设计图案30和第四设计图案40。通过第一修改的设计图 案IOm和/或第二修改的设计图案20m，可去除图2A所示的宽空间Sw，或者可将其尺寸减 小为具有与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。如图2D所示，第一修 改的设计图案IOm和第二修改的设计图案20m可彼此部分重叠。然后，所述方法还可包括 利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。如上所述，在自对准双图案化工艺 中，可将修改的布局Lm分离为分别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照图2C，可将修 改的布局Lm分离为第一光掩模和第二光掩模，并且可将其用于自对准双图案化工艺中。
[0059] 图2E是理想地和概念性地示出当利用图2D所示的修改的布局Lm执行自对准双 图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局Lp。参照图2E，间隔件图案 70可形成在第一修改的设计图案IOm和第二修改的设计图案20m的周边上，并且随后可形 成第一最终图案l〇P、第二最终图案20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p。换句话 说，形成在第一最终图案IOp和第二最终图案20p的周边上的间隔件图案70可限定第三最 终图案30p和第四最终图案40p。第一最终图案IOp的第一额外图案51和第二修改的设计 图案20m的第二额外图案52可将第三最终图案30p与第四最终图案40p分离。可在设置 在第三最终图案30p与第四最终图案40p之间的宽空间Sw的位置处形成伪图案55。
[0060] 图2F至图2H是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对准双图案化工艺的 修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆中的图案的平面图。
[0061] 参照图2A、图2B和图2F，所述方法可包括：将初始布局Li分离为多个子布局LsU Ls2和Ls3 ;以及通过将第一子布局Lsl的第一设计图案10替换为第一修改的设计图案IOm 来形成第一修改的子布局Lsml。第一修改的设计图案IOm可包括具有分支形状的额外图案 50。第一修改的子布局Lsml可对应于第一光掩模布局，第二子布局Ls2可对应于第二光掩 模布局。
[0062] 在另一实施例中，分离初始布局Li的步骤可包括：提取和分离包括第一设计图案 10的第一子布局Lsl和包括第二设计图案20的第二子布局Ls2 ;以及省略第三设计图案30 和第四设计图案40。
[0063] 图2G是设置有第一修改的子布局Lsml和第二子布局Ls2的修改的布局Lm。参 照图2F和图2G，修改的布局Lm可包括具有第一修改的设计图案IOm的第一修改的子布局 Lsml和具有第二设计图案20的第二子布局Ls2。在修改的布局Lm中，第一修改的设计图 案IOm的额外图案50可邻近第二设计图案20,并且可与第二设计图案20毗邻或重叠。与 图2A所示的初始布局Li相比，第一修改的设计图案IOm替代了第一设计图案10,第二设 计图案20保持不变，并且省略了第三设计图案30和第四设计图案40。通过第一修改的设 计图案IOm的额外图案50,可去除图2A所示的设置在第三设计图案30与第四设计图案40 之间的宽空间Sw，或者可将其尺寸减小为具有与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽 度相似的宽度。然后，所述方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化 工艺。如上所述，在自对准双图案化工艺中，可将修改的布局Lm分离为分别在两个光掩模 上的两个布局。进一步参照图2F，可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和第二光掩模，并 将其用于自对准双图案化工艺。
[0064] 图2H是概念性地示出当利用图2G所示的修改的布局Lm执行自对准双图案化工 艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局Lp。参照图2H，间隔件图案70可形成 在第一修改的设计图案IOm和第二设计图案20的周边上以形成第一最终图案10p、第二最 终图案20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p。形成在第一修改的设计图案IOm的额 外图案50的周边上的间隔件图案70可将第三最终图案30p和第四最终图案40p分离。
[0065] 图21至图2K是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对准双图案化工艺的 修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆中的图案的平面图。
[0066] 参照图2A、图2B和图21，所述方法可包括：将初始布局Li分离为多个子布局LsU Ls2和Ls3 ;将第二子布局Ls2的第二设计图案20替换为第二修改的设计图案20m以形成 第二修改的子布局Lsm2。第二修改的设计图案20m可包括具有分支形状的额外图案50。 第一子布局Lsl可对应于第一光掩模布局，第二修改的子布局Lsm2可对应于第二光掩模布 局。
[0067] 在另一实施例中，分离初始布局Li的步骤可包括：提取和分离包括第一设计图案 10的第一子布局Lsl和包括第二设计图案20的第二子布局Ls2 ;以及省略第三设计图案30 和第四设计图案40。
[0068] 图2J是第一子布局Lsl和第二修改的子布局Lsm2彼此邻近的修改的布局Lm。参 照图21和图2J，修改的布局Lm可包括具有第一设计图案10的第一子布局Lsl和具有第二 修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2。在修改的布局Lm中，第二修改的设计图案 20m的额外图案50可邻近第一设计图案10,或者可与第一设计图案10毗邻或重叠。通过 第二修改的设计图案20m的额外图案50,可去除图2A所示的设置在第三设计图案30与第 四设计图案40之间的宽空间Sw，或者可将其尺寸减小为具有与等于或小于极限分辨率的 窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后，所述方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行 自对准双图案化工艺。如上所述，在自对准双图案化工艺中，可将修改的布局Lm分离为分 别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照图21，可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和 第二光掩模，并且可将其用于自对准双图案化工艺。
[0069] 图2K是概念性地示出当利用图2J所示的修改的布局Lm执行自对准双图案化工 艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局Lp。参照图2K，间隔件图案70形成在 第一设计图案10和第二修改的设计图案20m的周边上，以形成第一最终图案10p、第二最终 图案20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p。形成在第二设计图案20的额外图案50 上的间隔件图案70可将第三最终图案30p和第四最终图案40p分离。
[0070] 根据本发明构思的各个实施例，将具有各个图案10、20、30和40的初始布局Li分 别分离为具有不单独地重叠的图案10和20的至少两个子布局Lsl和Ls2,并通过修改所述 两个子布局Lsl和Ls2中的至少一个来产生修改的布局Lm，仅利用修改的布局Lm( 即，两个 光掩模）执行自对准双图案化工艺，并且可形成与初始布局Li实质相同或与其相似的图案 10p、20p、30p和40p。换句话说，通过自对准双图案化工艺可形成存在于初始布局Li中但 从修改的布局Lm中省略的两个或更多个图案。根据本发明构思的实施例，通过执行双图案 化工艺可在不执行直接形成工艺的情况下形成两个分离的最终图案30p和40p。
[0071] 图3A至图3E是根据本发明构思的各个实施例的示出设计用于自对准双图案化工 艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆中的图案的平面图。
[0072] 参照图3A，所述方法可包括准备初始布局Li。初始布局Li可包括彼此分离的至 少第一图案10、第二图案20和第三图案30。图案10、20和30可包括第一设计图案10、与 第一设计图案10相对的第二设计图案20和在第一设计图案10和第二设计图案20之间的 第三设计图案30。宽空间Swl和Sw2可设置为邻近第三设计图案30的至少两侧。例如，第 一宽空间Swl可沿着X方向设置在第一设计图案10与第三设计图案30之间，第二宽空间 Sw2可沿着Y方向设置为邻近第三设计图案30的一端。
[0073] 参照图3B，所述方法可包括将初始布局Li分离为至少三个子布局Lsl、Ls2和 Ls3。所述至少三个子布局Lsl、Ls2和Ls3可包括不同的图案10、20和30,以使得各图案 不重叠。例如，所述方法可包括：通过从初始布局Li中提取和分离第一设计图案10产生第 一子布局Lsl ;以及从初始布局Li中提取和分离第二设计图案20产生第二子布局Ls2。可 不分离和产生包括第三设计图案30的第三子布局Ls3作为独立的布局（即，可省略第三子 布局Ls3)。
[0074] 参照图3C，所述方法可包括：形成包括第一修改的设计图案IOm的第一修改的子 布局Lsml，通过修改第一子布局Lsl的第一设计图案10获得第一修改的设计图案IOm ;以 及形成包括第二修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第二子布局Ls2 的第二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。第一修改的设计图案IOm可包括第一水 平额外图案51h，第二修改的设计图案20m可包括第二水平额外图案52h和竖直额外图案 52v。第二修改的设计图案20m的竖直额外图案52v可去除图3A所示的第一宽空间Swl或 者可将图3A所示的第一宽空间Swl的宽度减小至极限分辨率或更小。第二修改的设计图 案20m的第二水平额外图案52h可去除图3A所示的第二宽空间Sw2，或者可将图3A所示的 第二宽空间Sw2的宽度减小至极限分辨率或更小。第一修改的设计图案IOm的第一水平额 外图案51h可限定第二修改的设计图案20m的竖直额外图案52v的端部。另外，第一修改 的设计图案IOm的第一水平额外图案51h可将第二修改的设计图案20m的形状改变为闭合 曲线的形状。此外，第一修改的设计图案IOm的第一水平额外图案51h也可确保第二修改 的设计图案20m的竖直额外图案52v和第二水平额外图案52h在几何上连续或连接。第一 修改的子布局Lsml可对应于第一光掩模布局，第二修改的子布局Lsm2可对应于第二光掩 模布局。
[0075] 图3D是第一修改的子布局Lsml和第二修改的子布局Lsm2布置为彼此邻近的修 改的布局Lm。参照图3D，修改的布局Lm可包括具有第一修改的设计图案IOm的第一修改 的子布局Lsml和具有第二修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2。与图3A所示的 初始布局Li相比，第一修改的设计图案IOm替代了第一设计图案10,第二修改的设计图案 20m替代了第二设计图案20,并且省略了第三设计图案30。通过第一修改的设计图案IOm 和第二修改的设计图案20m，可去除图3A所示的第一宽空间Swl和第二宽空间Sw2,或者可 将其尺寸减小为具有与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后，所示 方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。如上所述，在自对准 双图案化工艺中，可将修改的布局Lm分离为分别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照 图3C，可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和第二光