(C)所示，在“固定旋转”期间，在数据读取准备好为止需要20ms(15ms(寻道)+5ms(旋转延迟))的时间。为此，CPU 122将可以在20ms内读取的数据存储在NAND存储器104中。
[0089]通过此方式，根据实施例的CPU 122根据在接收到读取命令时的磁记录介质107和头106的状态，确定要被写入NAND存储器104中的数据的长度(换言之，在接收到命令时的磁记录介质107和头106的状态被存储在命令历史存储单元141中)。
[0090]例如，在“主轴电动机停止”和“头处于退回区域中”的情况下，与“固定旋转”的情况相比，要记录在作为缓存的NAND存储器104中的数据量变大。
[0091 ]通过此方式，当存在针对数据的读取请求时，根据实施例的NAND存储器104的缓存信息存储单元131将待读取的数据以与读取请求相关属性(例如磁记录介质107的状态等)相关联的方式进行存储，同时将待读取的数据缓存在缓存信息存储单元131中。由于在数据读取期间执行的处理与第一实施例中的处理相同，因此省略它们的描述。
[0092]在上述实施例中，缓存信息存储单元131将读取位置、数据大小、以及指示数据读取是否为顺序读取的信息以彼此关联的方式进行存储。通过此方式，当主机I/F 101接收到数据读取请求时，可以判定是否存在数据可被顺序地读取的高可能性。相应地，当在通过主机I/F 101接收到数据读取请求时判定存在顺序读取的高可能性时，CPU 122可将头106移到在正从NAND存储器104读取的数据之后的数据的位置。通过此方式，可以提高在顺序读取情况下的响应速度。
[0093]在根据上述实施例的存储装置100中，从磁盘在命令历史中的关联数据当中读取将来可能针对其接收到读取请求的数据，并且将该数据存储在NAND存储器104中。另外，在顺序读取的情况下，与头106准备好数据读取之前的时间对应的数据量被存储在NAND存储器104中。由于太多的数据未被存储在NAND存储器104中，因此可以减少在NAND存储器104中进行写入的次数，并且有效地使用NAND存储器104。结果，可以抑制NAND存储器104的劣化，并且提高命中率。另外，由于可以在执行顺序读取时立即执行数据读取，因此能够提高响应速度。
[0094]也就是说，在上述实施例中，由于在顺序读取的情况下，可以在从NAND存储器104读取数据之后连续地读取磁记录介质107的数据，因此能够在不间断数据读取的情况下执行顺序读取。因此，可以在维护NAND存储器的使用的同时保持并提高NAND存储器104的效率。
[0095]尽管已经描述了特定实施例，但是这些实施例仅作为实例给出，并非旨在限制本发明的范围。实际上，此处描述的新颖实施例可通过各种其它形式实现；而且，在不偏离本发明精神的情况下，可对此处描述的实施例做出各种形式上的省略、替换和修改。所附权利要求及其等同物旨在涵盖这些落在本发明的范围和精神内的形式或修改。
【主权项】
1.一种存储装置，包括: 磁存储单元，其存储数据； 半导体存储单元；以及 控制器，其被配置为 基于数据的访问历史，判定是否控制所述半导体存储单元以存储一部分数据，以及 根据所述判定，控制所述半导体存储单元以存储该部分数据。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中 所述控制器被进一步配置为基于所述磁存储单元准备好读取数据所需的时间段，确定要被存储在所述半导体存储单元中的该部分数据的数据长度，以及控制所述半导体存储单元以存储具有所确定的数据长度的该部分数据。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中 所述访问历史指示当所述数据已被访问时的所述磁存储单元的操作状态，并且 所述控制器被进一步配置为基于所述磁存储单元的所述操作状态计算所述时间段。4.根据权利要求2所述的存储装置，进一步包括: 第二半导体存储单元，其中 所述控制器被进一步配置为基于所述历史，控制所述第二半导体存储单元以存储所述磁存储单元中所述数据的数据起始位置、所述数据长度、以及所述数据的属性。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中 所述控制器被进一步配置为 判定读取请求是否针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据，以及在所述控制器判定所述读取请求是针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据的情况下，使该部分数据从所述半导体存储单元中被读出，以及使在该部分之后的一部分数据从所述磁存储单元中被读出。6.根据权利要求4所述的存储装置，其中 所述控制器被配置为基于存储在所述第二半导体存储单元中的所述数据起始位置和所述数据长度，判定读取请求是否针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据。7.根据权利要求4所述的存储装置，其中 所述属性指示对所述数据的访问是否为顺序访问。8.根据权利要求4所述的存储装置，其中 所述访问历史指示当所述数据已被访问时的所述磁存储单元的操作状态，并且 所述属性指示所述磁存储单元的所述操作状态。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中 所述磁存储单元包括磁介质和头，并且 所述操作状态指示所述磁介质的旋转状态和所述头的位置。10.根据权利要求1所述的存储装置，其中 所述控制器被进一步配置为 判定读取请求是否针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据，以及当所述控制器判定所述读取请求是针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据时，使该部分数据从所述半导体存储单元中被读出，以及使在该部分之后的一部分数据从所述磁存储单元中被读出。11.一种用于控制存储装置的方法，该存储装置包括磁存储单元和半导体存储单元，所述方法包括: 将数据存储在所述磁存储单元中； 存储数据的访问历史； 基于所述历史判定一部分数据要被存储在所述半导体存储单元中，以及 将该部分数据存储在所述半导体存储单元中。12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括: 基于所述磁存储单元准备好读取数据所需的时间段，确定要被存储在所述半导体存储单元中的该部分数据的数据长度，其中 存储在所述半导体存储单元中的该部分数据具有所确定的数据长度。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述访问历史指示当所述数据已被访问时的所述磁存储单元的操作状态，所述方法进一步包括: 基于所述磁存储单元的所述操作状态计算所述时间段。14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括: 基于所述历史，存储所述磁存储单元中所述数据的数据起始位置、所述数据长度、以及所述数据的属性。15.根据权利要求14所述的方法，其中 所述属性指示对所述数据的访问是否为顺序访问。16.根据权利要求14所述的方法，其中 所述访问历史指示当所述数据已被访问时的所述磁存储单元的操作状态，并且 所述属性指示所述磁存储单元的所述操作状态。17.根据权利要求16所述的方法，其中 所述磁存储单元包括磁介质和头，并且 所述操作状态包括所述磁介质的旋转状态和所述头的位置。18.根据权利要求11所述的方法，进一步包括: 判定读取请求是否针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据，并且当判定所述读取请求是针对存储在所述半导体存储单元中的该部分数据时，从所述半导体存储单元读出该部分数据，以及从所述磁存储单元读出在该部分之后的一部分数据。19.一种存储装置，包括: 磁存储单元，其存储数据； 半导体存储单元，其存储一部分数据；以及 控制器，其被配置为 在所述磁存储单元准备好读取数据之前，使该部分数据从所述半导体存储单元中被读出，以及 使在该部分之后的后续部分数据从所述半导体存储单元中被读出。20.根据权利要求19所述的存储装置，其中 该后续部分在该部分从所述半导体存储单元中被读出之后被读出。
【专利摘要】本发明涉及存储装置及其控制方法。一种存储装置包括：磁存储单元，其存储数据；半导体存储单元；以及控制器，其被配置为基于数据的访问历史，判定是否控制所述半导体存储单元以存储一部分数据，以及根据所述判定，控制所述半导体存储单元以存储该部分数据。
【IPC分类】G06F3/06
【公开号】CN105278870
【申请号】CN201510212991
【发明人】井上裕章
【申请人】株式会社 东芝
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年4月29日
【公告号】US20160011983