ι，所述纳米石墨粉末的粒径为40nm，二氧化娃粉末的粒径为20nm。这样的组合和粒径使得银浆导电性能更好，附着力更好。
[0080]进一步地，所述步骤A1中溅射功率为300W。
[0081]进一步地，所述步骤B2热压温度为175°C、热压时间为12s，可达到良好的热压效果Ο
[0082]进一步地，所述步骤Α4导电银浆的激光蚀刻速度为2500 mm/s，蚀刻功率为25W，蚀刻频率为200kHz。
[0083]本实例中，GF单层多点无边框触摸屏的透光率为86%，雾度为2.0，产品外观无损伤及磨损、无变形、不变色、无气泡和剥离，ΙΤ0导电膜1的方阻在120Ω以下，产品性能好，产品良率(以500个为统计单位)为94%。
[0084]实施例5
本实施例与实施例1的不同之处在于:
本实施例中，所述FPC2包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区包括金手指，金手指距离FPC边缘的距离为6mm。
[0085]进一步地，所述钢化玻璃盖板6分为黑框区和视窗区，所述黑框区包括纵向黑框区和横向黑框区，所述横向黑框区对应于横向走线区设置，所述ΙΤ0导电膜1超出视窗区的横向边界0.6mm,可改善边界的视觉效果。
[0086]本实施例中，银浆由以下重量百分比的原料组成:
银粉末61%
双酚A型环氧树脂6.3%
氯醋乙烯树脂2% 聚丙二醇二缩水甘油醚 2%
石墨粉末1.5%
二氧化硅粉末1.5%
1，6-己二醇二丙烯酸酯 25%
聚酰胺蜡0.7%，
以上重量百分比之和为100%，所述银粉末由质量比为1:25的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为50 μ m，所述纳米银粉末的粒径为30nm，所述石墨粉末由质量比为1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30 μ m，所述纳米石墨粉末的粒径为30nm，二氧化娃粉末的粒径为20nm。这样的组合和粒径使得银浆导电性能更好，附着力更好。
[0087]进一步地，所述步骤A1中溅射功率为200W。
[0088]进一步地，所述步骤B2热压温度为180°C、热压时间为10s，可达到良好的热压效果Ο
[0089]进一步地，所述步骤Α4导电银浆的激光蚀刻速度为2500 mm/s，蚀刻功率为30W，蚀刻频率为200kHz。
[0090]本实施例中，GF单层多点无边框触摸屏的透光率为88%，雾度为2.1，产品外观无损伤及磨损、无变形、不变色、无气泡和剥离，ΙΤ0导电膜1的方阻在120Ω以下，产品性能好，产品良率(以500个为统计单位)为96%。
[0091]本发明的制备工艺只需进行一次FPC2压合，工艺简单，产品良率高，可保证触摸屏的优良性能和生产稳定性，实现触摸屏的多点触摸，达到无边框的视觉效果。
[0092]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【主权项】
1.一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于:包括从上往下依次设置的钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电膜，所述ITO导电膜的边框为走线区，所述走线区包括设置于触摸屏一端的横向走线区，所述ITO导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，ITO导电膜的引出线对应设置于横向走线区，所述横向走线区压合FPC，ITO导电膜的引出线通过FPC连接有一 1C芯片，钢化玻璃盖板的下表面设置有防爆层，钢化玻璃盖板的上表面设置防反光层。2.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述钢化玻璃盖板的上表面为向上突起的弧形曲面。3.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述防反光层为纳米氧化钛硅层。4.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述防反光层为纳米氧化锌和纳米砸化镉混合层。5.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于:所述FPC包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区包括金手指，金手指距离FPC边缘的距离为3-8mm。6.根据权利要求1-5任一项所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:包括以下步骤: 前段工序 (A1) ITO镀膜:在PET基材层的正面沉积S1ji挡层，采用磁控溅射法在已沉积S1 2阻挡层的PET基材层正面镀IT0薄膜，在磁控溅射的同时采用紫外光照射；然后真空退火，得到IT0导电膜粗品； (A2)清洗:对IT0导电膜粗品进行清洗； (A3)蚀刻去除:采用激光蚀刻将IT0导电膜粗品位于预设视窗区之外的IT0薄膜除去; (A4)印刷导电银浆:在IT0导电膜粗品的激光蚀刻区域印刷导电银楽，形成导电银浆层，对导电银浆进行激光蚀刻银浆线，形成横向走线区； (A5)烘烤:对蚀刻有银浆线的IT0导电膜粗品进行烘烤； (A6)蚀刻电极图案:对IT0导电膜粗品的预设视窗区进行激光蚀刻蚀刻电极图案； (A7)覆膜:在印刷导电银浆后的IT0导电膜粗品覆上保护膜； (A8)裁切:裁切形成FILM功能片； 后端工序 (Bl)ACF绑定:对前段工序做好的FILM功能片绑定ACF导电胶； (B2)FPC热压:对贴好的ACF导电胶的FILM功能片的横向走线区热压FPC ; (B3)透明光学胶层贴合:对压合好FPC的FILM功能片贴合透明光学胶层； (B4)组合:将贴好透明光学胶层的FILM功能片和钢化玻璃盖板进行组合，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层，得到一种GF单层多点无边框触摸屏。7.根据权利要求6所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A1中溅射功率为50-300W。8.根据权利要求6所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A4中银浆由以下重量百分比的原料组成: 银粉末60-70% 双酚A型环氧树脂4-10% 氯醋乙烯树脂2-6% 聚丙二醇二缩水甘油醚 1-3% 石墨粉末1-2% 二氧化硅粉末1-2% 1，6-己二醇二丙烯酸酯 15-25% 防沉降剂0.2-1.0%, 以上重量百分比之和为100%，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为30-50 μ m，所述纳米银粉末的粒径为20_50nm ;所述石墨粉末由质量比为1:20-1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30-50 μm，所述纳米石墨粉末的粒径为20_40nm ;所述二氧化娃粉末的粒径为10-30nm ;所述防沉降剂为聚酰胺蜡或酰胺改性氢化蓖麻油。9.根据权利要求6所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A4中导电银浆层的厚度为5-9um，边缘银浆线与导电银浆边缘的距离为150-400um。10.根据权利要求6所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于:所述步骤A4中导电银浆的激光蚀刻速度为1500 -2500mm/s，蚀刻功率为10-30W，蚀刻频率为 100-200kHzo
【专利摘要】本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺。触摸屏包括钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电膜，ITO导电膜边框的走线区包括设于触摸屏一端的横向走线区，ITO导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，横向走线区压合有FPC，ITO导电膜的引出线通过FPC连接有一IC芯片，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层。本发明通过在触摸屏一端的横向走线区压合FPC，使触摸屏的纵向边无需布线，从而营造无边框视觉效果；本发明具有良好的光电性能、稳定性和防爆能力，制备过程只需一次FPC压合，工艺简单，产品良率高，可保证触摸屏的优良性能和生产稳定性。
【IPC分类】G06F3/044, G06F3/041
【公开号】CN105426014
【申请号】CN201511014788
【发明人】李林波
【申请人】东莞市平波电子有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年12月31日