明导电层；在透明导电层之上丝印形成银浆导电层；通过激光干刻法将透明导电层加工成透明电极层，其中，在天线区域通过激光干刻形成多个相互孤立的小块区域，在非天线区域通过激光干刻将功能区域的透明导电材料与非功能区域的透明导电材料隔离开，并且将非功能区域的透明导电材料与银浆导电层中的地线相连；在银浆导电层之上热压柔性电路板；以及在透明电极层、银浆导电层和柔性电路板之上粘合薄膜传感器。其中，激光干刻的扫描速度约为2000-3500mm/s，电流功率约为20-40%，干刻次数约1-2次。需要说明的是，在提供透明基板之后、形成透明导电层之前，还可以包括步骤:形成装饰层和/或形成减反射膜层，此为本领域技术人员已知知识。需要说明的是，“丝印形成银浆导电层”和“通过激光干刻法将透明导电层加工成透明电极层”两个步骤的顺序可以互换。
[0023]下面结合具体的实施例对本发明的触摸屏的制作方法做进一步的详细描述，但此次描述的实施例仅用以解释本发明，但并不限于该实例。
[0024]实施例一:
[0025]设定该实施例制作得到的为黑色的全ΙΤ0产品G1M结构的触摸屏，其结构可参考图1和图2。为使公众更好地理解，发明人在图2中还绘出了描述对象的局部放大图。如图1所示，该触摸屏包括透明基板11、装饰层12、减反射膜层13、透明电极层14，以及位于透明电极层14之上柔性电路板(图中未示出)。如图2所示:1A为天线区域，1B为非功能区，1C为隔尚区，1D为功能区。
[0026](1)提供透明基板11。选择强化后的硅酸盐类玻璃，强化深度约为Sum。要求该透明基板11在550nm波长位置的分光透过率大于91%。将透明基板11清洗、干燥后备用。
[0027](2)形成装饰层12。装饰层12的材料选取耐高温耐激光干刻黑色油墨。可以采用丝网印刷方式，使用350目的聚酯网，根据设计图纸丝印出装饰层的图形，后放入IR(红外)炉进行烘烤。热固化后装饰层12的厚度约为5-lOum。
[0028](3)形成减反射膜层13。减反射膜层13的材料为二氧化硅，可以通过中频反应溅射法制备。二氧化硅膜的折射率为1.4-1.5，可以作为过渡层和阻挡层，提升透明导电层的附着力。溅射条件如下:选用高纯硅靶(纯度>99.999% );采用高纯Ar和02分别作为溅射气体和反应气体(纯度均大于99.99%)，二者流量比约为6:1 ;设置基板温度约为200°C，真空度约为0.6Pa，溅射功率约为5-10kW。控制减反射膜层13的厚度约为15_75nm，可通过控制溅射时间实现控制膜厚。
[0029](4)形成氧化铟锡(ΙΤ0)材料的透明导电层。具体地，可以由直流磁控溅射法制备。选用高纯ΙΤ0靶(纯度>99.99% )，以高纯Ar作为溅射气体(纯度大于99.99% )，设置基板温度约为300°C，真空度约为0.5Pa，溅射功率约为3.5_5kW。制得的透明导电层的膜厚约为20-25nm，其膜厚可通过控制溅射时间来控制，方块电阻(Rs)约为70-100 Ω。
[0030](5)通过激光干刻的方式将透明透明层加工成透明电极层14。具体地，依据图2所示图形进行激光干刻。干刻条件为干刻扫描速度3000mm/s，电流功率为30%，干刻次数1次。其中，在天线区域1A通过激光干刻形成多个相互孤立的小块区域。在非天线区域(即除1A外的区域)通过激光干刻去除隔离区1C的透明导电材料，以将非功能区1B与功能区1D隔离开来。刻蚀的过程中注意将非功能区1B中靠近功能区1D的部分(例如，靠近镜片边缘的ΙΤ0)与功能区1D走线中的地线相连。
[0031](6)进行热压柔性电路板，形成触摸屏成品。
[0032]实施例二:
[0033]设定该实施例制作得到的为黑色的G1F结构的触摸屏，其结构可参考图3和图4。为使公众更好地理解，发明人在图4中还绘出了描述对象的局部放大图。如图3所示，该触摸屏包括透明基板21、装饰层22、减反射膜层23、透明电极层24、银浆导电层25、光学透明胶层26、薄膜传感器26，以及位于银浆导电层25和薄膜传感器26之间柔性电路板(图中未示出)。如图4所示:2A为天线区域，2B为非功能区，2C为银浆导电层中的地线区，2D为隔尚区，2E为功能区。
[0034](1)提供透明基板21。选择强化后的硅酸盐类玻璃，强化深度约为Sum。要求该透明基板21在550nm波长位置的分光透过率大于91%。将透明基板21清洗、干燥后备用。
[0035](2)形成装饰层22。装饰层22的材料选取耐高温耐激光干刻黑色油墨。可以采用丝网印刷方式，使用350目的聚酯网，根据设计图纸丝印出装饰层的图形，后放入IR(红外)炉进行烘烤。热固化后装饰层22的厚度约为5-lOum。
[0036](3)形成减反射膜层23。减反射膜层23的材料为二氧化硅，可以通过中频反应溅射法制备。二氧化硅膜的折射率为1.4-1.5，可以作为过渡层和阻挡层，提升透明导电层的附着力。溅射条件如下:选用高纯硅靶(纯度>99.999% );采用高纯Ar和02分别作为溅射气体和反应气体(纯度均大于99.99%)，二者流量比约为6:1 ;设置基板温度约为200°C，真空度约为0.6Pa，溅射功率约为5-10kW。控制减反射膜层23的厚度约为15_75nm，可通过控制溅射时间实现控制膜厚。
[0037](4)形成氧化铟锡(ΙΤ0)材料的透明导电层。具体地，可以由直流磁控溅射法制备。选用高纯ΙΤ0靶(纯度>99.99% )，以高纯Ar作为溅射气体(纯度大于99.99% )，设置基板温度约为300°C，真空度约为0.5Pa，溅射功率约为3.5_5kW。制得的透明导电层的膜厚约为20-25nm，其膜厚可通过控制溅射时间来控制，方块电阻(Rs)约为70-100 Ω。
[0038](5)采用丝网印刷的方式制作银浆导电层25。可以使用400目的钢网，根据设计图纸直接通过丝网印刷的方式形成热压PIN和导电线路层的走线。丝印完图案后，后放入IR炉进行烘烤，热固化后得到的银浆导电层25的厚度约为6-20um。
[0039](6)通过激光干刻的方式将透明透明层加工成透明电极层24。具体地，依据图4所示图形进行激光干刻。干刻条件为干刻扫描速度3000mm/s，电流功率为30%，干刻次数1次。其中，在天线区域2A通过激光干刻形成多个相互孤立的小块区域。在非天线区域(即除2A外的区域)通过激光干刻去除隔离区2C的透明导电材料，以将非功能区2B与功能区2D隔离开来。刻蚀的过程中注意将非功能区2B中靠近功能区1D的部分(例如，靠近镜片边缘的ITO)与银浆导电层25中的地线相连。至此完成了玻璃传感器(Glass sensor)部分的制作。
[0040](7)采用光学透明胶将前述步骤制备的玻璃传感器部分与薄膜传感器(Filmsensor) 27粘合到一起。然后将柔性电路板插入玻璃传感器与薄膜传感器之间，进行薄膜传感器与玻璃传感器的热压。光学透明胶最终形成了光学透明胶层26。至此，形成触摸屏成品。
[0041]本发明第三方面提出了一种触摸装置，该触控装置包括上文公开的任一种触摸屏。由于具有类似的结构，故本发明实施例的触控装置也具有透明电极层的天线