电极214，使得当使用者对触控面板210进行触控操作时，X轴检测电极212与Y轴检测电极214彼此无接触。
[0043]至于X轴检测电极212与Y轴检测电极214则例如是由透明的铟锡氧化物(IndiumTin Oxide, ITO)或金属网(Metal Mesh)的导电材料所形成的导电板,并用以检测当使用者例如以手指碰触第一接触面A或第二接触面B时所造成的电容感应量变化。因此，处理单元220即可藉由X轴检测电极212和/或Y轴检测电极214所检测的电容感应量变化，从而分析触控操作在触控面板210上的触碰位置。
[0044]需说明的是，上述的覆盖板211、X轴检测电极212、间隙213以及Y轴检测电极214组成触控装置200的触控模块，亦即，本发明实施例的触控装置200可仅通过此单一触控模块，即可检测位于第一接触面A或第二接触面B的触控操作，从而提供双面触控的功能。
[0045]基于上述的装置架构，以下举实施例详细说明本发明实施例所提出的触控方法。请参照图3，图3是依照本发明一实施例所绘示的一种触控方法的流程图，且适用于图2A与图2B的触控装置200。以下即搭配图2A与图2B中的各项组件来说明本方法的详细步骤。
[0046]在步骤S310中，触控面板210检测触控操作并产生触控信号。具体而言，在该实施例中,触控面板210可通过X轴检测电极212以及Y轴检测电极214的至少其中之一检测触控操作，以藉由触控操作所对应的互感电容、自感电容或是信噪比来产生触控信号。
[0047]在步骤S320中，处理单元220依据触控信号与预设条件，以判断触控操作是位于触控装置200的第一接触面A或第二接触面B。其中，预设条件可依据X轴检测电极212以及Y轴检测电极214的至少其中之一检测触控操作触碰触控面板210的第一接触面A或第二接触面B所产生的感测信号来决定。在一实施例中，上述检测电极的至少其中之一可检测触控操作触碰触控面板210的第一接触面A以产生具有第一信号强度的感测信号，并可检测触控操作触碰触控面板210的第二接触面B以产生具有第二信号强度的感测信号，此夕卜，所述预设条件例如是一临界值，且该临界值可依据所述第一信号强度与第二信号强度来决定。因此，处理单元220可将触控信号的第三信号强度与临界值进行比较，并且当第三信号强度高于临界值时，判定触控操作是位于触控面板210的第一接触面A与第二接触面B的其中的一个，而当第三信号强度低于临界值时，判定触控操作是位于触控面板210的第一接触面A与第二接触面B的其中的另一个。
[0048]在一实施例中，临界值例如被设定在一强度范围间。以下以图4的范例并搭配图2A与图2B的触控装置200的各个组件以进行说明。
[0049]请参照图4，图4是依照本发明一实施例所绘示的信号强度的范例。其中，曲线SA、曲线SB、曲线N可为经由多次测量所得到的实验数据。本实施例利用的是自容(SelfCapacitance)式感测的触控技术，亦即，本实施例可仅利用X轴检测电极212来检测触控操作，以依据触控操作对X轴检测电极212上的自感电容所造成的电容值变化来产生感测信号。因此，X轴检测电极212可依据触控操作触碰触控面板210的第一接触面A以产生具有第一信号强度的感测信号(如曲线SA所示)，并且依据触控操作触碰触控面板210的第二接触面B以产生具有第二信号强度的感测信号(如曲线SB所示)，其中第一信号强度大于第二信号强度。
[0050]另一方面，曲线N则是当未检测到触碰操作时，X轴检测电极212所产生的感应信号的信号强度。依据曲线N对应的信号强度，本实施例可设定噪声阈值THN，其用以判定触碰面板210是否接收到触碰操作，并当X轴检测电极212所产生的信号强度大于噪声阈值THN时，才视为触碰装置200接收到触碰操作。
[0051]需说明的是，本实施例可基于曲线SA的第一信号强度皆大于曲线SB的第二信号强度，藉以设定阈值THA、THB以获得一强度范围，并将该强度范围作为所述的临界值。之后，当X轴检测电极212检测到触控操作并对应产生触控信号时，处理单元220即可依据触控信号的第三信号强度高于临界值以判定触控操作是位于碰触控面板210的第一接触面A，并且依据触控信号的第三信号强度低于临界值以判定触控操作是位于碰触控面板210的第二接触面B。如此一来，即可通过触控面板210的单一触控模块，从而实现触控装置200的双面触控功能。
[0052]从另一角度而言，在一实施例中，处理单元220也可将图4的预设条件设定为曲线SA的第一信号强度大于曲线SB的第二信号强度，并在X轴检测电极212检测到触控操作并对应产生触控信号时，将触控信号的第三信号强度与第一信号强度进行比较，以及将触控信号的第三信号强度与第二信号强度进行比较。因此，当第三信号强度与曲线SA的第一信号强度相符时，处理单元220可判定触控操作是位于触控面板210的第一接触面A，而当信号强度与曲线SB的第二信号强度相符时，处理单元220则可判定触控操作是位于触控面板210的第二接触面B。处理单元220例如判断第三信号强度与第一信号强度(或第二信号强度)的差值是否落在一预设范围内(例如，第一信号强度或第二信号强度的百分之十)，从而判断触控信号的第三信号强度是否与第一信号强度或第二信号强度相符。
[0053]需说明的是，各检测电极与各接触面之间的材质与厚度皆可能影响感测信号的信号强度。因此，在一些实施例中，当获得感测信号的曲线SA以及曲线SB之后，还可更进一步地对例如覆盖板211的材质或厚度或是其他各层结构的参数进行调整，使得曲线SA的第一信号强度以及曲线SB的第二信号强度之间的相距幅度可以更大，藉以提升检测双面触控操作的精确程度。
[0054]上述实施例是以触控操作对X轴检测电极212上的自感电容所造成的电容值变化来产生感测信号。在其他实施例中，感测信号也可通过触控操作对Y轴检测电极214上的自感电容所造成的电容值变化来产生，其实施方式与前述类似，故不再赘述。
[0055]值得一提的是，对于自容式感测的触控装置200而言，由于X轴检测电极212与Y轴检测电极214是通过自感耦合电容以分别检测触控操作，故当触控操作位于图2实施例中的第一接触面A时，X轴检测电极212检测触控操作并对应产生的触控信号的信号强度将会大于Y轴检测电极214所产生的触控信号的信号强度。因此，在一实施例中，也可藉由X轴检测电极212与Y轴检测电极214分别检测触控操作，并由处理单元220比较X轴检测电极212与Y轴检测电极214检测触控操作所分别产生的触控信号，以判断触控操作是位于触控面板210的哪一个接触面。
[0056]此外，在一些实施例中，处理单元220还可对X轴检测电极212所产生的第一感测信号SA以及第二感测信号SB作进一步处理，并从中消除噪声N对所述感测信号造成的影响，使得X轴检测电极212检测的信号强度能更为准确。
[0057]上述范例中以自容式感测的触控技术进行说明，然而应用本实施例者可依其需求而将类似的判断方式应用于互容式感测的触控装置，或是在获得电容感应值变化对应的触控信号后，进一步地以触控信号的信噪比来判断触控操作是位于触控装置200的哪一个接触面。
[0058]具体而言，在一实施例中，若触控装置200使用互容式感测的触控技术，则触控装置200可通过X轴检测电极212以及Y轴检测电极214检测触控操作，以依据触控操作对X轴检测电极212以及Y轴检测电极214之间的互感电容所造成的电容值变化来产生感测信号。其中，X轴检测电极212以及Y轴检测电极214可依据触控操作触碰触控面板210的第一接触面A以产生具有第一信号强度的感测信号，以及依据触控操作触碰触控面板