一种阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着显示面板向薄型化和轻量化转变，将触摸部件与液晶面板进行一体化设计成为当前显示面板主要的发展方向，触摸部件和液晶面板的一体化包括“In-cell”和“0η-cell”。显示面板包括阵列基板和彩膜基板，In-cell显示面板中触控部件集成在阵列基板或者彩膜基板之内。
[0003]如图1A所不为现有技术提供的In-celI显不面板的阵列基板的不意图，图1B为图1A沿A -A ’的剖视图。如图1A和图1B所示，阵列基板包括:一基板1、位于基板1上的源极11和漏极12、有机膜层13、触控走线14、第一绝缘层15、公共电极块16、第二绝缘层17和像素电极18。其中，多个公共电极块16呈矩阵排列且复用为触控电极，触控走线14与公共电极块16一一对应设置并通过第一过孔19电连接，像素电极18与漏极12通过第二过孔20电连接，源极11与数据线21电连接。
[0004]可见，阵列基板中至少包括导通触控走线14与公共电极块16的第一过孔19以及导通像素电极18与漏极12的第二过孔20。在液晶显示面板中，过孔附近的液晶分子配向较为混乱，通常设置黑矩阵进行遮盖，因此过孔越多液晶分子配向混乱的区域就越大，相应的黑矩阵尺寸大导致像素显示区域减小，从而降低像素开口率。
[0005]此外，触控走线14在对应一列公共电极块16的下方延伸并与其中对应的公共电极块16电连接，并且第一绝缘层15的厚度较薄，因此触控走线14与对应一列公共电极块16的其他公共电极块16之间会产生较大的寄生电容。
[000?]如图1C所不为现有技术提供的In_ce 11显不面板的另一种阵列基板的不意图，图1D为图1C沿B-B’的剖视图，在此沿用图1A和图1B编号，其中，触控走线14和数据线21错开设置，触控走线14和公共电极块16之间会产生较大的寄生电容的问题依然存在。
[0007]同样的，阵列基板中至少包括导通触控走线14与公共电极块16的第一过孔19以及导通像素电极18与漏极12的第二过孔20。在液晶显示面板中，过孔附近的液晶分子配向较为混乱，通常设置黑矩阵进行遮盖，因此过孔越多液晶分子配向混乱的区域就越大，相应的黑矩阵尺寸大导致像素显示区域减小，从而降低像素开口率。
【发明内容】
[0008]本发明实施例提供一种阵列基板，以解决现有技术中像素开口率较小的问题。
[0009]第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括:
[0010]衬底基板；
[0011]位于所述衬底基板上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔，所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层；
[0012]位于所述第一过孔底部的多条触控走线；
[0013]位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块，至少一条所述触控走线对应一个所述触控电极块，所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接；
[0014]位于所述第一过孔底部的像素连接部，所述像素连接部与所述触控走线绝缘；
[0015]位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极，所述像素电极与所述像素连接部电连接。
[0016]第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括:
[0017]衬底基板；
[0018]位于所述衬底基板上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔，所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层；
[0019]位于所述第一过孔底部的多个触控连接部；
[0020]位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块，至少一个所述触控连接部对应一个所述触控电极块，所述触控电极块与对应的所述至少一个触控连接部电连接；
[0021]位于所述第一过孔底部的漏极，所述漏极与所述触控连接部绝缘；
[0022]位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接。
[0023]第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括:
[0024]衬底基板；
[0025]位于所述衬底基板上方的第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有至少一个第一过孔，所述至少一个第一过孔贯穿所述第一绝缘层；
[0026]位于所述第一过孔底部的多条触控走线；
[0027]位于所述第一绝缘层上方的多个触控电极块，至少一条所述触控走线对应一个所述触控电极块，所述触控电极块与对应的所述至少一条触控走线电连接；
[0028]位于所述第一过孔底部的漏极，所述漏极与所述触控走线绝缘；
[0029]位于所述第一绝缘层上方的多个像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接。
[0030]本发明提供的阵列基板，在第一绝缘层中设置第一过孔，第一过孔底部设置有触控走线和像素连接部，触控电极块通过第一过孔与对应的触控走线电连接、像素电极通过第一过孔与像素连接部电连接，因此本发明中仅需一个过孔即可实现触控电极块与触控走线、以及像素电极和像素连接部的电连接，即触控走线和像素连接部共用第一过孔。与现有技术相比，本发明中过孔少、孔径尺寸相对较小，因此过孔导致液晶分子配向混乱的区域减小，相应的黑矩阵尺寸减小，进而提高了像素开口率。
【附图说明】
[0031]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1A为现有技术提供的In-cell显示面板的一种阵列基板的示意图；
[0033]图1B为图1A沿A-A’的剖视图；
[0034]图1C为现有技术提供的In-cell显示面板的另一种阵列基板的示意图；
[0035 ]图1D为图1C沿B-B ’的剖视图；
[0036]图2A是本发明一个实施例提供的阵列基板的示意图；
[0037]图2B是图2A沿C-C，的剖视图；
[0038]图2C是本发明一个实施例提供的另一阵列基板的示意图；
[0039 ]图2D是图2C沿D-D，的剖视图；
[0040]图3A是本发明另一个实施例提供的阵列基板的示意图；
[0041 ]图3B是图3A沿E-E ’的剖视图；
[0042]图3C是本发明另一个实施例提供的另一阵列基板的示意图；
[0043 ]图3D是图3C沿F-F ’的剖视图；
[0044]图4A是本发明又一个实施例提供的阵列基板的示意图；
[0045 ]图4B是图4A沿G-G ’的剖视图；
[0046]图4C是本发明又一个实施例提供的另一阵列基板的示意图；
[0047 ]图4D是图4C沿H-H ’的剖视图。
【具体实施方式】
[0048]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0049]为了解决现有技术的问题，如图2A所示，本发明一个实施例提供一种阵列基板，图2B为图2A沿C-C’的剖视图，本实施例可适用于提高像素开口率的情况。
[0050]如图2A和图2B所示，本实施例提供的阵列基板包括:衬底基板101；位于衬底基板101上方的第一绝缘层102，第一绝缘层102中设置有至少一个第一过孔103，至少一个第一过孔103贯穿第一绝缘层102;位于第一过孔103底部的多条触控走线104;位于第一绝缘层102上方的多个触控电极块105，至少一条触控走线104对应一个触控电极块105，触控电极块105与对应的至少一条触控走线104电连接;位于第一过孔103底部的像素连接部106，像素连接部106与触控走线104绝缘;位于第一绝缘层102上方的多个像素电极107，像素电极107与像素连接部106电连接。
[0051 ]本实施例中优选衬底基板101为玻璃基板，优选第一绝缘层102为有机膜层，但在本发明中对衬底基板101和第一绝缘层102的材质并不做限制。第一绝缘层102中设置有至少一个第一过孔103，在本实施例图中仅示例了第一绝缘层102中设置的一个第一过孔103的结构。
[0052]第一过孔103的底部还设置了多条触控走线104，第一绝缘层102上方还设置有多个触控电极块105，在本实施例中多个触控电极块105呈矩阵排列，每一个触控电极块105与对应的至少一条触控走线104通过第一过孔103电连接，触控走线104用于向对应的触控电极块105提供触控信号。其中，多条触控走线104延伸在一列触控电极块105下方，其中的每一个触控电极块105通过一个第一过孔103与对应的至少一条触控走线104电连接。
[0053]需要说明的是，在液晶显示面板中，过孔及其附近的液晶分子配向混乱，通常设置黑矩阵进行遮盖，因此过孔孔径过大以及过孔数量过多会导致液晶分子配向混乱的面积增大，相应的黑矩阵尺寸增大而降低了像素开口率。在本实施例中，第一过孔103的孔径小于现有技术的两个过孔的孔径之和，因此本实施例的像素开口率大于现有技