一种花盆缺水报警装置的制作方法

技术特征：

1.一种花盆缺水报警装置，其特征在于：包括555时基芯片U1、场效应管Q1、第一电极片A、第二电极片B、晶体管T1和蓄电池G1，所述蓄电池G1的正极分别与电阻R1的一端、555时基芯片U1的第八引脚、晶体管T1的发射极、电阻R2的一端相连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R3的一端、场效应管Q1的漏极相连接，所述场效应管Q1的栅极与第一电极片A相连接，所述场效应管Q1的源极与第二电极片B相连接，所述第一电极片A设置在花盆上部的土壤内，所述第二电极片B设置在花盆底部的土壤内，所述电阻R3的另一端与晶体管T1的基极相连接，所述晶体管T1的发射极通过电阻R4与蓄电池G1的负极相连接，所述蓄电池G1的负极与地相连接，所述晶体管T1的发射极还与555时基芯片U1的第四引脚相连接，所述555时基芯片U1的第三引脚通过电阻R5与发光二极管D1的正极相连接，所述发光二极管D1的负极与地相连接，所述第二电极片B与地相连接，所述555时基芯片U1的第一引脚与地相连接，所述555时基芯片U1的第五引脚通过电容C1与地相连接，所述电阻R1的另一端分别与555时基芯片U1的第七引脚、电阻R6的一端相连接，所述电阻R6的另一端与555时基芯片U1的第二及第六引脚相连接，所述555时基芯片U1的第六引脚还通过电容C2与地相连接，所述蓄电池G1的正极串联有开关S1。

2.根据权利要求1所述的一种花盆缺水报警装置，其特征在于：所述场效应管Q1为N沟道结型场效应管。

3.根据权利要求1所述的一种花盆缺水报警装置，其特征在于：所述蓄电池G1的正极、负极之间的电压为6V。

4.根据权利要求1所述的一种花盆缺水报警装置，其特征在于：所述晶体管Q1为NPN型晶体管。

5.根据权利要求1所述的一种花盆缺水报警装置，其特征在于：所述第一电极片A、第二电极片B均有铜电极片。

6.根据权利要求3所述的一种花盆缺水报警装置，其特征在于：所述蓄电池G1的正极、负极之间并联有电容C3。