专利名称：一种控制存储器进入低功耗模式的控制器及控制方法
技术领域：
本发明涉及低功耗技术，特别是涉及一种控制存储器进入低功耗模式的控制器及控制方法。
背景技术：
由于受电池供电的限制，手机等移动设备对存储器，如同步动态随机存储器(SDRAM)的功耗要求非常高。SDRAM是移动设备中重要的存储器件，可以提供特殊的省电模式或低功耗模式，比如电源关闭(POWERDOWN)模式、自刷新(Selfrefresh)模式等。
一般来说，SDRAM等具有低功耗功能的存储器只提供低功耗模式，而控制存储器进入低功耗模式则需要由专门的软件来实现。利用软件控制存储器进入低功耗模式的基本思想是实时检测移动设备是否需要使用存储器，如果需要，则控制存储器进入正常工作模式；否则，控制存储器进入低功耗模式。这里所述的使用存储器是指移动设备实现某功能的过程中，需要存储器参与。比如MP4的视频数据存储在SDRAM中，当移动设备实现MP4功能时，将不可避免地使用SDRAM，即需要SDRAM参与。此时，当软件检测到移动设备启动MP4视频功能时，将向SDRAM发送一条进入正常工作模式的指令；当软件检测到移动设备关闭MP4视频功能时，则向SDRAM发送一条进入低功耗模式的指令。当然，实际应用中，软件无法直接向SDRAM发送指令，一般是通过移动设备的CPU执行控制SDRAM进入正常工作模式或进入低功耗模式的指令，由CPU向SDRAM发送控制命令。
实际应用中，当移动设备使用SDRAM时，即软件控制SDRAM进入正常工作模式时，CPU并不是一直对SDRAM进行读/写操作，在连续两次读/写操作之间一般会存在一定的空闲时间。比如移动设备在播放MP4视频节目的过程中，CPU从SDRAM读取一批数据，并将数据保存在缓存中。之后，CPU直接从缓存中读取数据进行播放，等到播放完缓存中的数据之后，才再次从SDRAM中读取下一批数据，并依此类推。
也就是说，现有技术中，当CPU连续两次从存储器读/写数据之间，存储器实际上处于空闲状态，但由于被软件控制处于工作模式中，功耗仍然比较高。
由此可见，当移动设备需要使用存储器时，现有技术还不能降低存储器空闲时间的功耗。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种控制存储器进入低功耗模式的控制器，可以在使用存储器的过程中，使存储器进入低功耗模式，降低存储器空闲时的功耗。
针对本发明提出的装置，本发明还提供一种控制存储器进入低功耗模式的方法，可以在使用存储器的过程中，使存储器进入低功耗模式，降低存储器空闲时的功耗。
针对第一个发明目的，本发明提出的技术方案为一种控制存储器进入低功耗模式的控制器，该控制器至少包括中断产生器，用于接收来自状态控制器的复位信号并开始计时，在达到预设时间值时向状态控制器输出中断信号；状态控制器，用于在存储器读写操作结束时向中断产生器输出复位信号，接收来自中断产生器的中断信号，产生低功耗模式控制信号并输出给存储器。
较佳地，所述中断产生器包括计时器，用于接收来自状态控制器的复位信号并开始计时，并在达到由计时器配置寄存器提供的预设时间值时向状态控制器输出中断信号；计时器配置寄存器，用于保存事先固化在自身或由CPU写入的预设时间值，并将预设时间值提供给计时器。
较佳地，所述计时器为包括一个或一个以上比较器的计时器；所述计时器配置寄存器为保存一个或一个以上预设时间值的计时器配置寄存器。
较佳地，所述状态控制器包括核心控制器，用于向所述中断产生器输出复位信号，接收所述中断产生器输入的中断信号，将存储器要进入低功耗模式的编号输出给控制信号生成器；控制信号生成器，用于根据由核心控制器输入的模式编号产生低功耗模式控制信号，并输出给存储器。
较佳地，所述状态控制器进一步包括存储器状态寄存器，用于记录存储器当前低功耗模式的模式编号；所述核心控制器进一步用于从存储器状态寄存器读取存储器当前低功耗模式的模式编号，确定存储器要进入低功耗模式的编号，并将存储器要进入低功耗模式的编号输出给存储器状态寄存器。
较佳地，所述存储器为同步动态随机存储器SDRAM。
针对第二个发明目的，本发明提出的技术方案为一种控制存储器进入低功耗模式的方法，先设置预设时间值，当存储器读写操作结束时，该方法还包括以下步骤A、状态控制器向中断产生器发送复位信号；B、中断产生器根据复位信号开始进行计时，并在到达预设时间值时向状态控制器发送中断信号；C、状态控制器根据中断信号产生低功耗模式控制信号，并发送给存储器。
较佳地，所述预设时间值为一个或一个以上预设时间值。
较佳地，所述设置预设时间值的方法为将预设时间值固化在中断产生器中，或者由CPU写入中断产生器。
较佳地，步骤C所述产生低功耗模式控制信号的方法为X1、确定存储器下一次要进入低功耗模式的编号；
X2、根据步骤X1所述的模式编号生成低功耗模式控制信号，并发送给存储器。
较佳地，步骤X1所述确定存储器下一次模式编号的方法为直接将事先保存在自身的模式编号作为存储器下一次要进入低功耗模式的编号；或者，先查询记录存储器当前低功耗模式的模式编号，再将当前模式编号的下一个编号作为存储器下一次要进入低功耗模式的编号。
较佳地，所述存储器为SDRAM。
综上所述，本发明提出的一种控制存储器进入低功耗模式的控制器及控制方法具有以下优点(1)由于状态控制器可以在CPU完成对存储器读/写操作之后，向存储器发送低功耗模式控制信号，即控制存储器进入低功耗模式，所以，即使存储器正在被移动设备使用，但只要连续两次读/写操作之间空闲时间达到一定限度，就可以进入低功耗模式，达到进一步节省移动设备电池能量的目的。
(2)本发明在中断产生器中可以设置多个预设时间值，状态控制器根据存储器空闲时间的不同，控制存储器进入不同的低功耗模式。空闲时间短时，存储器进入功耗较高但过程简单的低功耗模式，空闲时间越长，存储器则进入功耗更低但过程复杂的低功耗模式。这样，如果存储器经过短暂空闲时间就需要进行读/写操作，可以很快退出低功耗模式进入正常工作模式；如果存储器的空闲时间很长，就可以进入功耗更低的低功耗模式，达到最大限度降低功耗的目的。
(3)中断产生器中的预设时间值不但可以事先固化，还可以由CPU写入，可以灵活设置控制存储器进入低功耗模式的条件。
图1是控制存储器进入低功耗模式的控制器所在的系统结构示意图；图2是本发明中控制存储器进入低功耗模式的控制器的基本结构示意图；图3是装置实施例一的基本结构示意图；图4是本发明方案的流程图；图5是应用本发明方案的方案实施例的流程图。
具体实施例方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
本发明中，低功耗模式控制器是在CPU完成对存储器读/写操作之后，产生低功耗模式控制信号，控制存储器进入相应的低功耗模式。
图1显示了本发明中低功耗模式控制器所在的系统结构示意图。如图1所示，该系统包括CPU、低功耗模式控制器、存储器。实际应用中，当CPU要对存储器进行读/写时，将向存储器发读/写控制信号，对存储器进行读/写操作，将数据从存储器中读出或将数据写入存储器中。由于读/写控制信号中会指定读/写的字节数，而读/写一个字节的时间一般是固定的，大致几个时钟周期。所以，当CPU对存储器进行读/写操作时，低功耗模式控制器可以确定本次读/写操作结束的准确时间，从而可以在读/写操作结束时控制存储器进入低功耗模式。
这里所述的存储器为具有省电功能，即能够提供低功耗功能的存储器，如SDRAM、mobile RAM等。
其中，低功耗模式控制器的基本结构如图2所示。本发明中，低功耗模式控制器至少包括中断产生器201和状态控制器202。
中断产生器201，用于接收来自状态控制器202的复位信号并开始计时，在达到预设时间值时向状态控制器202输出中断信号。
状态控制器202，用于对存储器读/写操作结束时向中断产生器201输出复位信号，接收来自中断产生器201的中断信号，产生低功耗模式控制信号并输出给存储器。
当存储器读/写操作结束时，状态控制器202向中断产生器201输出复位信号；中断产生器201接收到来自状态控制器202的复位信号后就开始计时，并在达到预设时间值时向状态控制器202输出中断信号；状态控制器202接收到来自中断产生器201的中断信号时，产生低功耗模式控制信号并输出给存储器。当状态控制器202将低功耗模式控制信号发送给存储器时，存储器就可以根据所述的低功耗模式控制信号进入相应的低功耗模式。
实际应用中，具有低功耗功能的存储器可能提供一种或一种以上低功耗模式。如果存储器可以提供一种以上低功耗模式，则状态控制器202将产生指示存储器进入某一种低功耗模式的控制信号。所述的低功耗模式控制信号的形式与具体的存储器相关，只要具有低功耗功能的存储器能够识别状态控制器202发送的低功耗模式控制信号即可。
比如如果控制SDRAM进入低功耗模式，则状态控制器202向SDRAM发送的低功耗模式控制信号除了遵循电子元件工业联合会JEDEC标准，也支持所使用SDRAM的制造商提出的特定标准等。至于SDRAM如何进入低功耗模式则属于现有技术，本发明不再详细叙述。
图3显示了本发明的一种装置实施例的基本结构示意图。本实施例中，低功耗模式控制器要控制SDRAM进入低功耗模式。如图3所示，中断产生器201包括计时器配置寄存器301和计时器302，状态控制器202包括核心控制器303、控制信号生成器304、SDRAM状态寄存器305。其中，计时器配置寄存器301，用于保存由CPU写入的预设时间值，并将预设时间值提供给计时器302。
计时器302，用于接收来自核心控制器303的复位信号并开始计时，并在达到由计时器配置寄存器301提供的预设时间值时向核心控制器303输出中断信号。
核心控制器303，用于向计时器302输出复位信号；接收计时器302输入的中断信号，读取SDRAM状态寄存器305中SDRAM当前低功耗模式的模式编号，确定SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号，将SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号输出给控制信号生成器304，并将SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号作为SDRAM的当前状态记录在SDRAM状态寄存器305中。
控制信号生成器304，用于根据由核心控制器303输入的模式编号产生低功耗模式控制信号，并输出给SDRAM。
这里所述低功耗模式控制信号是与模式编号一一对应的，可以将模式编号与将要产生的低功耗模式控制信号之间的对应关系事先保存在控制信号生成器304中。当控制信号生成器304接收到核心控制器303输入的模式编号，可以直接根据对应关系产生相应的低功耗模式控制信号。
SDRAM状态寄存器305，用于记录SDRAM当前低功耗模式的模式编号。
当SDRAM读写操作结束时，核心控制器303向计时器302输出复位信号；计时器302开始计时，并在达到预设时间值时向核心控制器303输出中断信号；核心控制器303读取SDRAM状态寄存器305中SDRAM当前低功耗模式的模式编号，确定SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号，将SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号输出给控制信号生成器304，并将SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号作为SDRAM的当前状态记录在SDRAM状态寄存器305中；控制信号生成器304根据模式编号产生低功耗模式控制信号，并输出给SDRAM。
实际应用中，中断产生器201中可以有计时器配置寄存器301，也可以没有计时器配置寄存器301。如果没有计时器配置寄存器301，计时器302可以通过接地和接电源的方式来表示所述的预设时间值。比如接电源的位表示“1”，接地的位表示“0”。如果预设时间值为5，用二进制表示为101，则可以将计时器输入端的第2位和第0位接电源、第1位接地。此时，计时器302本身就可以充当一个中断产生器。
如果有计时器配置寄存器301，可以事先将所述的预设时间值固化在计时器配置寄存器301中，并且在控制器工作期间都不改变预设时间值，也可以根据实际情况由CPU写入预设时间值，计时器302根据CPU写入的预设时间值进行工作。之后，CPU还可以根据实际情况向计时器配置寄存器301写入新的预设时间值，计时器302则根据新的预设时间值进行工作。
实际应用中，SDRAM可以提供一种或一种以上的低功耗模式。如果SDRAM提供一种低功耗模式，则计时器302中只有一个比较器，计时器配置寄存器301中也只有一个预设时间值，而且可以没有SDRAM状态寄存器305。也就是说，当计时器302接收到核心控制器303的复位信号之后，计时器302开始计时，当比较器确定当前计时值与预设时间值相等时，计时器302就向核心控制器303发送中断信号；核心控制器303直接将事先保存在自身中的SDRAM要进入低功耗模式的模式编号输出给控制信号生成器304；控制信号生成器304根据模式编号生成产生低功耗模式控制信号，并输出给SDRAM。这里，由于SDRAM只提供一种低功耗模式，则核心控制器303可以将固定的某个编号发送给控制信号生成器304，而控制信号生成器304也只生成一种低功耗模式控制信号。当然，核心控制器303用什么编号表示低功耗模式可以由应用本发明的用户自行确定，只要控制信号生成器304可以识别即可。
如果SDRAM可以提供一种以上的低功耗模式，则计时器302中包括一个以上的比较器，计时器配置寄存器301中有一个以上的预设时间值，而且需要用于记录SDRAM当前状态的SDRAM状态寄存器305。这里，预设时间值、计时器302中的比较器和低功耗模式之间存在一一对应的关系。以SDRAM可以提供三种低功耗模式为例计时器302中包括三个比较器，计时器配置寄存器301中有三个预设时间值Ta、Tb和Tc，并且Ta＜Tb＜Tc。假设预设时间值Ta、比较器1和低功耗模式一之间存在对应关系；预设时间值Tb、比较器2和低功耗模式二之间存在对应关系；预设时间值Tc、比较器3和低功耗模式三之间存在对应关系。当计时器302接收到核心控制器303的复位信号之后，计时器302开始计时，在计时的过程中，Ta提供给比较器1进行比较，Tb提供给比较器2进行比较，Tc提供给比较器3进行比较。当比较器1确定当前计时值与Ta相等时，计时器302就向核心控制器303发送中断信号，核心控制器303控制SDRAM进入低功耗模式一。之后，计时器302仍然继续计时，当比较器2确定当前计时值与Tb相等时，计时器302再向核心控制器303发送中断信号，核心控制器303控制SDRAM进入低功耗模式二，并依次推类。
应用本实施例方案，可以控制SDRAM进入不同的低功耗模式。在实际应用中，也可以控制mobile RAM等其它具有低功耗功能的存储器进入低功耗模式，从而达到进一步节省移动设备电池能量的目的。当然，此时状态控制器202就不是包括SDRAM状态寄存器305，而是更换为记录其它具有低功耗功能存储器状态的存储器状态寄存器305。
针对本发明提供的装置，本发明还提出一种控制存储器进入低功耗模式的控制方法。
本发明的基本思想是状态控制器在存储器读/写操作结束后向存储器发送低功耗模式控制信号，控制存储器进入低功耗模式。
图4显示了本发明的流程图。本发明中，先在中断产生器中预先设置时间值，当CPU对存储器读写操作结束时，本发明控制存储器进入低功耗模式的方法包括以下步骤步骤401状态控制器向中断产生器输出复位信号；步骤402中断产生器接收到复位信号后开始进行计时，并在到达预设时间值时向状态控制器输出中断信号；步骤403状态控制器根据中断信号产生低功耗模式控制信号，并发送给存储器。
本发明所述的存储器为具有低功耗功能的存储器，如SDRAM等。
实际应用中，具有低功耗功能的存储器可能提供一种或一种以上的低功耗模式，则本发明中，状态控制器根据中断信号产生对应不同低功耗模式的控制信号，存储器可以根据不同的低功耗模式控制信号进入不同的低功耗模式。所述的低功耗模式控制信号的形式与具体的存储器相关，只要具有低功耗功能的存储器能够识别该低功耗模式控制信号即可。
比如向SDRAM发送的低功耗模式控制信号除了遵循电子元件工业联合会JEDEC标准外，还要遵循所使用的SDRAM厂商的标准。至于SDRAM等存储器如何进入低功耗模式则属于现有技术，本发明不再详细叙述。
实际应用中，事先设置的预设时间值的个数和大小可以由应用本发明方案的用户自行确定。一般来说，预设时间值的个数与存储器提供低功耗模式的个数相等。如存储器提供三种低功耗模式，则需要设置三个预设时间值，并且每一个预设时间值对应一种低功耗模式。预设时间值的大小则可以根据CPU对存储器相邻两次读/写操作时间间隔T等实际情况确定。一般来说，至少有一个预设时间值应该小于存储器相邻两次读/写操作时间间隔。当然，如果存储器相邻两次读/写操作时间间隔比较长，则可以将一个以上的时间预设值都设置为小于存储器相邻两次读/写操作时间间隔的值。
图5显示了本发明方法的一种实施例的流程图。本实施例中，低功耗模式控制器将向SDRAM发送低功耗模式控制信号，即控制SDRAM进入不同的低功耗模式。SDRAM可以提供三种低功耗模式，即模式一、模式二和模式三；CPU事先将三个预设时间值写入中断产生器，这三个预设时间值分别为Ta、Tb和Tc，并且Ta＜Tb＜Tc。本实施例中，Ta对应模式一，Tb对应模式二，Tc对应模式三。也就是说，如果计时值达到Ta，状态控制将控制SDRAM进入第一种低功耗模式；如果计时值达到Tb，状态控制将控制SDRAM进入第二种低功耗模式；如果计时值达到Tc，状态控制将控制SDRAM进入第三种低功耗模式。
另外，本实施例中，SDRAM的低功耗模式用编号来表示，即用000表示正常工作模式，001表示模式一，010表示模式二，011表示模式三。当CPU对SDRAM进行读/写操作时，状态控制器将SDRAM的当前状态记录为000；当控制SDRAM进入不同的低功耗模式时，则将SDRAM的当前状态记录为001、010或011。
如图5所示，当CPU对SDRAM的读/写结束时，本实施例控制SDRAM进入低功耗模式的方法包括以下步骤步骤501状态控制器向中断产生器发送复位信号，中断产生器开始进行计时；步骤502中断产生器在当前计时值达到预设时间值时向状态控制器发送中断信号；步骤503状态控制器查询记录SDRAM当前低功耗模式的模式编号，再将当前模式编号的下一个编号作为SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号；步骤504状态控制器根据模式编号生成低功耗模式控制信号，并发送给SDRAM。
本实施例有三个不同的预设时间值Ta、Tb和Tc，根据CPU相邻两次对SDRAM进行读/写操作时间的间隔T的大小，则控制SDRAM进入低功耗模式有以下三种不同的情况如果Ta＜T＜Tb，只需执行步骤502～步骤504一次。也就是说，中断产生器在复位后开始计时，并在计时到达Ta时向状态控制器发送中断信号；状态控制器查询记录SDRAM当前低功耗模式的模式编号，确定SDRAM当前模式编号为000，将当前模式编号的下一个编号，即001作为SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号；状态控制器根据模式编号001生成相应的低功耗模式控制信号，发送给SDRAM，控制SDRAM进入模式一。当SDRAM进入模式一之后，中断产生器将继续计时，但由于在未到达Tb时间时CPU向SDRAM发起读/写操作，则SARAM立即被控制进入工作模式，SDRAM当前模式编号重新被记录为000。
如果Tb＜T＜Tc，则需要重复执行步骤502～步骤504一次。也就是说，先按照上述第一种情况控制SDRAM进入低功耗模式一以后，由于CPU还未发起对SDRAM的读/写操作，则中断产生器将继续计时，等到计时到达Tb时再次向状态控制器发送中断信号；状态控制器再次查询记录SDRAM当前低功耗模式的模式编号，确定SDRAM当前模式编号为001，并将下一个编号，即010作为SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号；状态控制器根据模式编号010生成相应的低功耗模式控制信号，发送给SDRAM，控制SDRAM进入模式二。当SDRAM进入模式二之后，中断产生器将继续计时，但由于在未到达Tc时间时CPU向SDRAM发起读/写操作，则SARAM立即被控制进入工作模式，SDRAM当前模式编号又重新被记录为000。
如果Tb＜T＜Tc，则需要重复执行步骤502～步骤504两次，即SDRAM将先进入低功耗模式一，再进入低功耗模式二，最后进入低功耗模式三。也就是说，按照上述第二种情况控制SDRAM进入低功耗模式二以后，由于CPU还未发起对SDRAM的读/写操作，则中断产生器将继续计时，等到计时到达Tc时再次向状态控制器发送中断信号；状态控制器再次查询记录SDRAM当前低功耗模式的模式编号，确定SDRAM当前模式编号为010，并将下一个编号，即011作为SDRAM下一次要进入低功耗模式的模式编号；状态控制器根据模式编号011生成相应的低功耗模式控制信号，发送给SDRAM，控制SDRAM进入模式三。当进入模式三之后，SDRAM将一直处于低功耗状态，直到CPU对SDRAM发起读/写操作为止。
实际应用中，各预设时间值对应SDRAM的哪种低功耗模式，可以由应用本发明方案的用户自行确定。一般来说，耗能越少的模式越复杂，从低功耗模式退回正常模式也越耗时。所以，可以将耗能低的模式与比较大的预设时间值对应。也就是说，SDRAM可以先进入耗能高但比较简单的低功耗模式，等到较长时间CPU仍然未进行读/写时，SDRAM再进入耗能低但比较复杂的低功耗模式。这样，如果SDRAM经过短暂空闲时间就需要进行读/写操作，可以很快退出低功耗模式进入正常工作模式；如果SDRAM的空闲时间很长，就可以进入功耗更低的低功耗模式，达到最大限度降低功耗的目的。
实际应用中，如果SDRAM只提供一种低功耗模式，则状态控制器无需记录SDRAM当前处于哪一种低功耗模式，只需要在接收到中断信号后，直接向SDRAM发固定的模式编号，即直接将事先保存在自身中的模式编号作为SDRAM下一次要进入低功耗模式的编号。比如可以规定“1”为SDRAM的低功耗模式编号，当状态控制器接收到中断信号后，直接根据编号“1”产生低功耗模式控制信号。
另外，实际应用中，当状态控制器接收到来自CPU的读/写控制信号，可以立即向SDRAM发送退出低功耗模式的控制信号，然后进入正常工作模式控制信号，控制对SDRAM的读/写操作。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种控制存储器进入低功耗模式的控制器，其特征在于，该控制器至少包括中断产生器，用于接收来自状态控制器的复位信号并开始计时，在达到预设时间值时向状态控制器输出中断信号；状态控制器，用于在存储器读写操作结束时向中断产生器输出复位信号，接收来自中断产生器的中断信号，产生低功耗模式控制信号并输出给存储器。
2.根据权利要求1所述的控制器，其特征在于，所述中断产生器包括计时器，用于接收来自状态控制器的复位信号并开始计时，并在达到由计时器配置寄存器提供的预设时间值时向状态控制器输出中断信号；计时器配置寄存器，用于保存事先固化在自身或由CPU写入的预设时间值，并将预设时间值提供给计时器。
3.根据权利要求2所述的控制器，其特征在于，所述计时器为包括一个或一个以上比较器的计时器；所述计时器配置寄存器为保存一个或一个以上预设时间值的计时器配置寄存器。
4.根据权利要求1所述的控制器，其特征在于，所述状态控制器包括核心控制器，用于向所述中断产生器输出复位信号，接收所述中断产生器输入的中断信号，将存储器要进入低功耗模式的编号输出给控制信号生成器；控制信号生成器，用于根据由核心控制器输入的模式编号产生低功耗模式控制信号，并输出给存储器。
5.根据权利要求4所述的控制器，其特征在于，所述状态控制器进一步包括存储器状态寄存器，用于记录存储器当前低功耗模式的模式编号；所述核心控制器进一步用于从存储器状态寄存器读取存储器当前低功耗模式的模式编号，确定存储器要进入低功耗模式的编号，并将存储器要进入低功耗模式的编号输出给存储器状态寄存器。
6.根据权利要求1至5任一项所述的控制器，其特征在于，所述存储器为同步动态随机存储器SDRAM。
7.一种控制存储器进入低功耗模式的方法，其特征在于，先设置预设时间值，当存储器读写操作结束时，该方法还包括以下步骤A、状态控制器向中断产生器发送复位信号；B、中断产生器根据复位信号开始进行计时，并在到达预设时间值时向状态控制器发送中断信号；C、状态控制器根据中断信号产生低功耗模式控制信号，并发送给存储器。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预设时间值为一个或一个以上预设时间值。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述设置预设时间值的方法为将预设时间值固化在中断产生器中，或者由CPU写入中断产生器。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤C所述产生低功耗模式控制信号的方法为X1、确定存储器下一次要进入低功耗模式的编号；X2、根据步骤X1所述的模式编号生成低功耗模式控制信号，并发送给存储器。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤X1所述确定SDRAM下一次模式编号的方法为直接将事先保存在自身的模式编号作为存储器下一次要进入低功耗模式的编号；或者，先查询记录存储器当前低功耗模式的模式编号，再将当前模式编号的下一个编号作为存储器下一次要进入低功耗模式的编号。
12.根据权利要求7至11任一项所述的方法，其特征在于，所述存储器为SDRAM。
全文摘要
本发明提供一种控制存储器进入低功耗模式的控制器和控制方法，其关键在于，状态控制器可以在CPU完成对具有低功耗功能的存储器读/写操作之后，自动产生低功耗模式控制信号，控制存储器进入低功耗模式。当读/写操作结束之后，状态控制器向中断产生器输出复位信号，中断产生器根据复位信号开始进行计时，并在到达预设时间值时向状态控制器输出中断信号，状态控制器根据中断信号产生低功耗模式控制信号，并发送给存储器。应用本发明方案，可以在使用存储器的过程中，降低存储器空闲时的功耗，进一步节约移动设备电池能量。
文档编号G11C7/00GK1877493SQ200610090529
公开日2006年12月13日 申请日期2006年6月27日 优先权日2006年6月27日
发明者张怡浩 申请人:北京中星微电子有限公司