专利名称：全站型电子速测仪存储电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于全站型电子速测仪领域。
背景技术：
由于全站仪对数据存储的要求逐渐增大，以存储flash芯片AT45DB041B为主组成的电路不能满足要求，必须采用新型的flash存储芯片ATMEL 45DB161D完成更快速的容量更大的存储电路。现有的全站型电子速测仪测距控制电路结构复杂，元器件体积较大，集成度低，导致生产成本高，存储速度慢，功耗大，电池使用时间短。
实用新型内容本实用新型的目的在于改进现有的存储电路，提供一种新的全站型电子速测仪存储电路。全站型电子速测仪存储电路，其特征在于ATMEL 45DB161Dflash芯片采用与微处理器进行串行通讯；所述的ATMEL 45DB161Dflash芯片管脚连接管脚1为I2C串行输入信号线，与微处理器的串行输出管脚连接；管脚2为I2C串行时钟信号线，与微处理器的串行时钟信号管脚连接；管脚3为芯片重启信号线，与电源3. 3V连接；管脚4为片选信号线，与微处理器的片选信号管脚连接；管脚5为芯片写保护信号线，与电源3. 3V连接；管脚6为电源，与电源3. 3V连接；管脚7为地，与电源地连接；管脚8为I2C串行输出信号线，与微处理器的串行输入管脚连接；所述的是微处理器型号是NXP 2134。串所述的通讯采用I2C协议。ATMEL 45DB161D是新型的flash存储芯片，与原先采用的ATMEL45DB041B相比有以下优点1.体积小、功耗低、低成本、高性能；2.采用串行I2C通讯协议，只需8个管脚；3.执行效率高；4.存储容量达16megabit远远超过以前的Megabit ；5.方便以后的升级和再开发。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是减少了电路板面积，增大了存储容量，减少了电路布线，节约了生产成本和加工成本，提高了电路的稳定性和处理速度，减少了功耗，延长了电池使用时间。
图1是本实用新型结构示意图。图2是本实用新型中ATMEL 45DB161DfIash芯片的管脚连接图。
具体实施方式
参见附图1，图2全站型电子速测仪存储电路，其特征在于ATMEL45DB161Dflash 芯片采用与微处理器进行串行通讯；所述的ATMEL45DB161Dflash芯片管脚连接管脚1为I2C串行输入信号线，与微处理器的串行输出 f脚连接；[0027]管脚2为I2C串行时钟信号线，与微处理器的串行时钟信号管脚连接[0028]管脚3为芯片重启信号线，与电源3. 3V连接；[0029]管脚4为片选信号线，与微处理器的片选信号管脚连接；[0030]管脚5为芯片写保护信号线，与电源3. 3V连接；[0031]管脚6为电源，与电源3. 3V连接；[0032]管脚7为地，与电源地连接；[0033]管脚8为I2C串行输出信号线，与微处理器的串行输入 f脚连接；[0034]所述的是微处理器型号是NXP 2134。[0035]串所述的通讯采用I2C协议。
权利要求1.全站型电子速测仪存储电路，其特征在于ATMEL45DB161Dflash芯片采用与微处理器进行串行通讯；所述的ATMEL 45DB161Dflash芯片管脚连接管脚1为I2C串行输入信号线，与微处理器的串行输出管脚连接；管脚2为I2C串行时钟信号线，与微处理器的串行时钟信号管脚连接；管脚3为芯片重启信号线，与电源3. 3V连接；管脚4为片选信号线，与微处理器的片选信号管脚连接；管脚5为芯片写保护信号线，与电源3. 3V连接；管脚6为电源，与电源3. 3V连接；管脚7为地，与电源地连接；管脚8为I2C串行输出信号线，与微处理器的串行输入管脚连接。
2.根据权利要求1所述的全站型电子速测仪存储电路，其特征在于所述的是微处理器型号是NXP 2134。
3.根据权利要求1所述的全站型电子速测仪存储电路，其特征在于所述的通讯采用 I2C协议。
专利摘要本实用新型属于全站型电子速测仪领域。全站型电子速测仪存储电路，其特征在于ATMEL 45DB161Dflash芯片采用与微处理器进行串行通讯。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是减少了电路板面积，增大了存储容量，减少了电路布线，节约了生产成本和加工成本，提高了电路的稳定性和处理速度，减少了功耗，延长了电池使用时间。
文档编号G11C16/02GK201975086SQ201020630988
公开日2011年9月14日 申请日期2010年11月29日 优先权日2010年11月29日
发明者李思广, 杨岚 申请人:天津欧波精密仪器股份有限公司