专利名称：并行检测集成电路中ram生产缺陷的方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路中RAM生产缺陷的测试方法。
背景技术：
宏观的RAM (Random Access Memory,随机存储器)测试包括存储单元的测试、数据线测试和地址线测试。对于控制线，由于对前两者的测试中已经附带完成，因此不做专门测试。而地址线的测试总是在假设数据线正常的情况下进行的，显然需要先进行数据线的测试，然后才能进行地址线的测试。随着集成电路规模的增大和集成度的提高，系统中RAM的数量越来越多，宽度和深度也各不相同，对其测试也需要进行细化。以往要完成对系统中RAM的测试，通常采用的方法是每一个RAM对应一个测试模块，必然增加整个芯片的面积，成本偏高，而且所采用的测试方法均不能一次测全所有的缺陷，因此不仅增加了芯片面积，而且增加了测试的时间、测试复杂度和测试成本。在集成电路的生产过程中，由于工艺技术或者其他原因，容易造成电路中RAM的缺陷。目前RAM的基本生成缺陷如下
Stuck-At Fault ( SAF，固定型故障)RAM中的某一位固定为I或者0，无法写入相反的值；或者说RAM电路中的某条连线本来应该根据其源节点的取值而取值，但由于存在某种故障，其逻辑值固定为0或I ;如果线wr上有固定为0的故障,则记为wr (s-a-0),如果有固定为I的故障，则记为wr(s-a-l)。
Stuck-Open Fault (SOpF,固定开路故障)RAM中某一单元，由于线的断裂,无法对其进行操作
Transition Fault ( TF，传输错误)即对RAM中的某一位写入0时，其实际写入的是1，或者写入I时，其实际写入的是O。
Idempotent Coupling Fault (CFid,幂等稱合故障):对待测RAM中某一位进行操作时，如果该位写入的数值与原来该位的数值不同，就会发生跳变，而这个跳变过程可能对其相邻的位产生影响，可能导致相邻位变为I或者0状态。因此，CFid共分为四种类型
权利要求
1.一种并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，并行测试一个芯片上同类的多个RAM，该方法包括以下步骤 1)对RAM所有地址各位写入O; 在以下的步骤中以地址为操作对象，且此后各步骤在当前地址完成当前步骤的测试后进入下一地址的测试，直到遍历整个RAM后进入下一个步骤的测试 2)读取RAM当前地址存放的值，若含有I的位，则终止检测，报错；若全是O位，则对该地址各位写入1，然后读取该地址存放的值，若含有O的位，则终止检测，报错；若全是I位，则对该地址各位写入O，然后读取该地址存放的值，若含有I的位，则终止检测，报错；若全是O位，则对该地址各位写入I ; 3)读取RAM当前地址存放的值，若含有O的位，则终止检测，报错；若全是I位，则对该地址各位写入O，读取该地址存放的值，若含有I的位，则终止检测，报错；若全是O位，则对该地址各位写入I。
2.根据权利要求1所述的并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，步骤I)到步骤3)对RAM的操作顺序均是从低地址到高地址。
3.根据权利要求2所述的并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，在步骤3)后还包括从RAM高地址到低地址操作的如下步骤 4)读RAM当前地址存放的值，若含有O的位，则终止检测，报错；若全是I位，则对该地址各位与入O ; 5)读RAM当前地址存放的值，若含有I的位，则终止检测，报错；若全是O位，则对该地址各位写入I ;然后读该地址存放的值，若含有O的位，则终止检测，报错；若全是I位，则对该地址各位写入O，再将按照1、0的序列组成的数据写入该地址，读该地址，判断CFst的〈I 1>缺陷，若存在该缺陷，报错，否则，将按照O、I的序列组成的数据写入该地址，然后顺序读该地址，判断CFst的〈O I O〉缺陷，若存在该缺陷，报错，否则，完成该地址测试。
4.根据权利要求1所述的并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，在写入和读取数据时，根据同一芯片上同类RAM不同的最大宽度和最大深度设定为测试的宽度和深度。
5.根据权利要求1至4任一所述的并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，在测试过程中，所有RAM当前步骤的测试全部完成后再进入下一步骤的测试。
全文摘要
本发明公开了一种并行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，依据本发明，实现基于前一测试步骤RAM当前地址状态的用于后一步骤的测试，不必每次测试仅测试一个测试点，效率大大提高。并行测试芯片中同类RAM的测试方法，能够有效减小测试芯片的面积，降低生产成本，而且降低了测试的复杂度和测试的时间，从而降低了测试的成本。
文档编号G11C29/04GK103065687SQ201210582418
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者赵阳, 张洪柳, 孙晓宁, 刘大铕, 王运哲, 刘守浩 申请人:山东华芯半导体有限公司