一种集成电路的电镀方法
【专利摘要】本发明涉及集成电路芯片电镀技术领域，尤其涉及一种集成电路的电镀方法，所述方法包括：对集成电路引线框架进行第一次电镀，在所述集成电路引线框架的表面形成第一镀层；对形成有所述第一镀层的所述集成电路引线框架进行分离，获得若干集成电路单元；对所述集成电路单元进行第二次电镀，在所述集成电路单元的表面形成第二镀层。本发明通过对分离集成电路引线框架获得的集成电路单元进行电镀，电镀后形成的第二镀层能够对集成电路单元裸露的管脚截断面进行保护，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
【专利说明】
一种集成电路的电镀方法
技术领域
[0001]本发明涉及集成电路芯片电镀技术领域，尤其涉及一种集成电路的电镀方法。
【背景技术】
[0002]现有的集成电路管脚电镀技术只实施管脚表面镀金，但是，对于需要在焊接前反复蒸煮筛选的特殊产品，虽然管脚一次电镀后即可在管脚表面形成镀层，但切单后截断面为裸露底材，从而，在反复蒸煮筛选后管脚截断面底材将会锈蚀，导致焊锡在管脚侧面不爬升，造成脱焊和焊接不实的问题，影响焊接效果。
【发明内容】
[0003 ]本发明通过提供一种集成电路管脚电镀方法，解决了现有技术中切单后集成电路管脚的截断面经过反复蒸煮筛选将会锈蚀，进而存在焊接效果差的技术问题。
[0004]本发明实施例提供了一种集成电路的电镀方法，所述方法包括:
[0005]对集成电路引线框架进行第一次电镀，在所述集成电路引线框架的表面形成第一镀层；
[0006]对形成有所述第一镀层的所述集成电路引线框架进行分离，获得若干集成电路单元；
[0007]对所述集成电路单元进行第二次电镀，在所述集成电路单元的表面形成第二镀层。
[0008]优选的，所述对所述集成电路单元进行第二次电镀，具体为:
[0009]以滚镀方式对所述集成电路单元进行第二次电镀。
[0010]优选的，对所述集成电路单元进行滚镀的时间范围为30min-50min。
[0011]优选的，所述第二镀层的厚度范围为0.2um-0.4um。
[0012]优选的，在所述对集成电路引线框架进行第一次电镀之前，所述方法还包括:
[0013]对所述集成电路引线框架进行超声波除油；
[0014]对除油后的所述集成电路引线框架依次进行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0015]优选的，在所述对所述集成电路单元进行第二次电镀之后，所述方法还包括:
[0016]对形成有所述第二镀层的所述集成电路单元进行水洗；
[0017]对水洗后的所述集成电路单元进行甩干。
[0018]优选的，在所述对集成电路引线框架进行第一次电镀之前，所述方法还包括:
[0019]在所述集成电路引线框架的表面电镀镍层；
[0020]对镀有镍层的所述集成电路引线框架进行水洗。
[0021 ]优选的，所述镍层的厚度范围为2um-5um0
[0022]优选的，所述集成电路引线框架的封装方式为方形扁平无引脚方式。
[0023]优选的，所述第一镀层和所述第二镀层均为金层。
[0024]本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点:
[0025 ]本发明通过对分离集成电路引线框架获得的集成电路单元进行电镀，电镀后形成的第二镀层能够对集成电路单元裸露的管脚截断面进行保护，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
[0026]又，本发明以滚镀方式对集成电路单元进行第二次电镀，利用滚镀的方式对多个集成电路单元进行电镀，能够使各个集成电路单元表面形成的第二镀层更加均匀。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0028]图1为本发明实施例中一种集成电路的电镀方法的流程图。
【具体实施方式】
[0029]为解决现有技术切单后集成电路管脚的截断面经过反复蒸煮筛选将会锈蚀，进而存在焊接效果差的技术问题，本发明提供一种集成电路的电镀方法，通过对分离集成电路引线框架获得的集成电路单元进行电镀，电镀后形成的第二镀层能够对集成电路单元裸露的管脚截断面进行保护，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
[0030]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031 ]本发明实施例提供一种集成电路的电镀方法，如图1所示，所述方法包括步骤:
[0032]SlOl:对集成电路引线框架进行第一次电镀，在所述集成电路引线框架的表面形成第一镀层。
[0033]S102:对形成有所述第一镀层的所述集成电路引线框架进行分离，获得若干集成电路单元。
[0034]S103:对所述集成电路单元进行第二次电镀，在所述集成电路单元的表面形成第二镀层。
[0035]其中，集成电路引线框架的封装方式为方形扁平无引脚方式(QuadFlat No-lead，QFN)。在本申请中，首先对集成电路引线框架进行电镀，接着对电镀后的集成电路引线框架进行分离，即，将集成电路引线框架切单成若干独立的集成电路单元，再对集成电路单元进行第二次电镀，第二次电镀后形成的第二镀层能够对集成电路单元裸露的管脚截断面进行保护，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
[0036]优选的，在S102中，以滚镀方式对集成电路单元进行第二次电镀，利用滚镀的方式对多个集成电路单元进行电镀，能够使各个集成电路单元表面形成的第二镀层更加均匀。在第二次电镀过程中，将滚镀装置放置于盛放有滚镀药液的槽体内，通过马达带动该装置定位滚动，其中，可以采用卧式滚镀，也可以采用倾斜式滚镀，本申请不做限定。而，滚镀的时间范围为30min-50min。
[0037]进一步，为确保集成电路单元的管脚截断面不被锈蚀，在集成电路单元表面形成的第二镀层的厚度范围为0.2um-0.4um，而，第一镀层的厚度范围为1.27um_l.6um。另外，通常情况下，第一镀层为金层，而第二镀层可以与第一镀层相同，同为金层，当然，第二镀层也可以为能够避免集成电路单元锈蚀的其他材料层。
[0038]进一步，在本申请的SlOl之前，所述方法还包括:
[0039]对所述集成电路引线框架进行超声波除油；
[0040]对除油后的所述集成电路引线框架依次进行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0041]通常，在对集成电路引线框架电镀前会进行超声波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的过程。同样，在S102之后且在S103之前，所述方法还可以包括:
[0042]对所述集成电路单元进行超声波除油；
[0043]对除油后的所述集成电路单元依次进行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0044]另外，在本申请的S1I之前，所述方法还包括:
[0045]在所述集成电路引线框架的表面电镀镍层；
[0046]对镀有镍层的所述集成电路引线框架进行水洗。
[0047]当在对集成电路引线框架第一次电镀前进行了超声波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的过程时，则，在活化后先在集成电路引线框架的表面电镀镍层及水洗，再对集成电路引线框架进行第一次电镀。其中，镍层的厚度范围为2um-5um0
[0048]本申请在对集成电路引线框架分离后且对集成电路单元电镀前，也会对集成电路单元进行与集成电路引线框架同样的预处理工艺，即，对集成电路单元进行超声波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。需要说明的是，对集成电路引线框架所进行的超声波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的过程与对集成电路单元所进行对应各过程相同。
[0049]进一步，在本申请的S103之后，所述方法还包括:
[0050]对形成有所述第二镀层的所述集成电路单元进行水洗；
[0051 ]对水洗后的所述集成电路单元进行甩干。
[0052]在本申请中，集成电路单元甩干后即可进行收纳、质检以及出货。其中，在对集成电路引线框架进行第一次电镀后，同样可以先对镀有第一镀层的集成电镀引线框架进行水洗、甩干、收纳和质检，再进行超声波除油等一些列后续过程。
[0053 ]本申请通过对集成电路弓I线框架电镀金，并在对镀有金层的集成电路引线框架切单后，对获得的集成电路单元滚镀金，从而滚镀的金层将会保护集成电路单元裸露的管脚截断面，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
[0054]上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点:
[0055 ]本发明通过对分离集成电路引线框架获得的集成电路单元进行电镀，电镀后形成的第二镀层能够对集成电路单元裸露的管脚截断面进行保护，即便对集成电路单元反复蒸煮筛选仍然不会锈蚀变色，提高了焊接效果。
[0056]又，以滚镀方式对集成电路单元进行第二次电镀，利用滚镀的方式对多个集成电路单元进行电镀，能够使各个集成电路单元表面形成的第二镀层更加均匀。
[0057]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0058]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种集成电路的电镀方法，其特征在于，所述方法包括: 对集成电路引线框架进行第一次电镀，在所述集成电路引线框架的表面形成第一镀层； 对形成有所述第一镀层的所述集成电路引线框架进行分离，获得若干集成电路单元； 对所述集成电路单元进行第二次电镀，在所述集成电路单元的表面形成第二镀层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述集成电路单元进行第二次电镀，具体为: 以滚镀方式对所述集成电路单元进行第二次电镀。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述集成电路单元进行滚镀的时间范围为30min_50mino4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二镀层的厚度范围为0.2um-0.4um。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对集成电路引线框架进行第一次电镀之前，所述方法还包括: 对所述集成电路引线框架进行超声波除油； 对除油后的所述集成电路引线框架依次进行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述集成电路单元进行第二次电镀之后，所述方法还包括: 对形成有所述第二镀层的所述集成电路单元进行水洗； 对水洗后的所述集成电路单元进行甩干。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对集成电路引线框架进行第一次电镀之前，所述方法还包括: 在所述集成电路引线框架的表面电镀镍层； 对镀有镍层的所述集成电路引线框架进行水洗。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述镍层的厚度范围为2um-5um。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述集成电路引线框架的封装方式为方形扁平无引脚方式。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一镀层和所述第二镀层均为金层。
【文档编号】C25D5/10GK106048679SQ201610369711
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月30日
【发明人】马海艳
【申请人】北京首钢微电子有限公司