一种NAND闪存设备及其操作方法与制造工艺

技术特征：
1.一种NAND闪存设备，其特征在于，所述NAND闪存设备包括至少一个由至少一个NAND闪存芯片构成的闪存组，与所述闪存组连接的NAND闪存控制器，以及向所述NAND闪存芯片输出实际工作电压的电压调节电路，所述NAND闪存控制器包括：主控电路，用于向所述NAND闪存芯片发送块的擦除指令；至少一个计数器，用于在所述主控电路发送块的擦除指令后，根据所述主控电路的计数指令对相应块的擦除次数进行计数，之后根据计数结果统计得到擦除次数的平均值；至少一个电压动态计算单元，用于根据对应的所述计数器统计得到的所述擦除次数的平均值，查找得到所述擦除次数的平均值对应的NAND闪存芯片的实际工作电压，并向所述电压调节电路输出相应的控制信号，所述电压调节电路向相应的NAND闪存芯片输出与所述控制信号对应的实际工作电压；所述实际工作电压随着擦除次数的平均值的增加，其值从比额定工作电压高到降低到等于额定工作电压。2.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其特征在于，所述至少一个计数器是分别与每一所述NAND闪存芯片对应的至少一个计数器，所述计数器统计得到的所述擦除次数的平均值是相应NAND闪存芯片中各块的擦除次数的平均值，且对应的所述电压动态计算单元输出的所述控制信号是用以调整所述相应NAND闪存芯片的实...