技术总结
本发明属于NAND闪存的结构设计领域，提供了一种NAND闪存设备及其操作方法。该NAND闪存设备及其操作方法是根据NAND闪存芯片擦除次数而动态调整NAND闪存芯片的实际工作电压，可使得相应NAND闪存芯片的实际工作电压在允许的范围内具有较高值，从而在保证NAND闪存芯片可靠工作的同时，提高擦除操作和写入操作的执行速度，使得NAND闪存芯片在执行擦除操作和写入操作时具有较高的性能，提升了用户使用的体验性。
技术研发人员：楚一兵
受保护的技术使用者：深圳市瑞耐斯技术有限公司
文档号码：201310247465
技术研发日：2013.06.20
技术公布日：2017.05.24