1.一种与非门(NAND)阵列的操作方法，该与非门阵列包括由多个存储单元所组成的多个区块，其中这些区块的其中之一包括多个与非门串行(NAND string)，这些与非门串行具有介于多个第一串行选择开关(first string select switch)及多个第二串行选择开关(second string select switch)的多个通道线(channel line)，且这些与非门串行共享介于这些第一串行选择开关及这些第二串行选择开关之间的多个字线(word line)，该方法包括：
于一已选择区块(selected block)，透过这些第一串行选择开关，施加一通道侧电压(channel-side voltage)至这些通道线；
施加一控制电压至这些第一串行选择开关的一已选择子集合，该控制电压低于该通道侧电压；
于这些第二串行选择开关的末端，浮接这些通道线；以及
抑制耦接于这些第一串行选择开关的一未选择子集合的部分这些存储单元的隧穿作用(tunneling)。
2.根据权利要求1所述的操作方法，其中浮接的步骤包括：
透过这些第二串行选择开关，施加该通道侧电压至这些通道线及这些第二串行选择开关。
3.根据权利要求1所述的操作方法，其中抑制的步骤包括：
当该通道侧电压施加至耦接于该未选择子集合的这些通道线时，施加该通道侧电压至这些第一串行选择开关的该未选择子集合。
4.根据权利要求1所述的操作方法，更包括：
于该已选择区块，施加多个字线侧擦除电压至这些字线，以诱发该隧穿作用于耦接至这些字线及这些第一串行选择开关的该已选择子集合的部分这些存储单元。
5.根据权利要求1所述的操作方法，更包括：
于该已选择区块，施加多个字线侧擦除电压至这些字线的一已选择子集合，以诱发该隧穿作用于耦接于这些字线的该已选择子集合及这些第一串行选择开关的该已选择子集合的部分这些存储单元。
6.根据权利要求5所述的操作方法，更包括：
逻辑地选择这些字线的多个作为这些字线的该已选择子集合。
7.根据权利要求1所述的操作方法，更包括：
施加多个字线侧抑制电压至这些字线的一未选择子集合，以抑制耦接于这些字线的该未选择子集合及这些第一串行选择开关的该未选择子集合的部分这些存储单元。
8.根据权利要求1所述的操作方法，更包括：
于该已选择区块，回应擦除耦接于这些第一串行选择开关的该已选择子集合的这些存储单元的一指令(command)，执行施加该通道侧电压的步骤、施加该控制电压的步骤、浮接的步骤、以及抑制的步骤。
9.一存储器，包括：
一与非门(NAND)阵列，该与非门阵列包括由多个存储单元所组成的多个区块，其中这些区块的其中之一包括多个与非门串行(NAND string)，这些与非门串行具有介于多个第一串行选择开关(first string select switch)及多个第二串行选择开关(second string select switch)的多个通道线(channel line)，且这些与非门串行共享介于这些第一串行选择开关及这些第二串行选择开关之间的多个字线(word line)；以及
一控制器，耦接于一已选择区块中该存储单元，该控制器包括多个逻辑电路(logic)，这些逻辑电路用以
于该已选择区块，透过这些第一串行选择开关，施加一通道侧电压(channel-side voltage)至这些通道线；
施加一控制电压至这些第一串行选择开关的一第一子集合，该控制电压低于该通道侧电压；
于这些第二串行选择开关的末端，浮接这些通道线；且
抑制耦接于这些第一串行选择开关的一第二子集合的部分这些存储单元的隧穿作用(tunneling)。
10.根据权利要求9所述的存储器，其中用以浮接的这些逻辑电路的其中之一更透过这些第二串行选择开关，施加该通道侧电压至这些通道线及这些第二串行选择开关。
11.根据权利要求9所述的存储器，其中用以抑制的这些逻辑电路的 其中之一于该通道侧电压施加至这些通道线时，施加该通道侧电压至这些第一串行选择开关的该第二子集合。
12.根据权利要求9所述的存储器，更包括：
多个区域字线驱动器，用以分别驱动该已选择区块的对应的这些字线，这些区域字线驱动器的一第一子集合驱动这些字线的一第一子集合，这些区域字线驱动器的一第二子集合驱动这些字线的一第二子集合；以及
多个全局字线，连接至这些区域字线驱动器的该第一子集合。
13.根据权利要求12所述的存储器，其中这些第一全局字线连接至这些区域字线驱动器的该第二子集合，并且该存储器包括一全局字线驱动器，用以驱动这些第一全局字线。
14.根据权利要求12所述的存储器，其中这些全局字线包括多个第二全局字线，这些第二全局字线连接到这些区域字线驱动器的该第二子集合，且该存储器包括一第一全局字线驱动器及一第二全局字线驱动器，该第一全局字线驱动器用以驱动这些第一全局字线，该第二全局字线驱动器用以驱动这些第二全局字线。
15.根据权利要求12所述的存储单元，其中该控制器的这些逻辑电路更用以
施加将一第一全局字线电压至这些第一全局字线；以及
启动这些区域字线驱动器的该第一子集合与该第二子集合，并于该已选择区块中提供多个字线侧擦除电压至这些字线的该第一子集合及该第二子集合，以于耦接于这些字线的该第一子集合与该第二子集合并耦接于这些第一串行选择开关的该第一子集合的部分这些存储单元诱发隧穿作用。
16.根据权利要求12所述的存储器，该控制器的这些逻辑电路更用以
施加一第一全局字线电压至该第一全局字线；以及
启动这些区域字线驱动器的该第一子集合，并于该已选择区块中提供多个字线侧擦除电压至这些字线的该第一子集合，以于耦接于这些字线的该第一子集合，且耦接于这些第一串行选择开关的该第一子集合的部分这些存储单元诱发隧穿作用。
17.根据权利要求12所述的存储器，该控制器更的这些逻辑电路更用以
逻辑地选择这些字线的多个作为这些字线的该第一子集合。
18.根据权利要求12所述的存储器，其中这些全局字线包括多个第二全局字线，这些第二全局字线连接到这些些区域字线驱动器的该第二子集合，且该控制器的这些逻辑电路更用以
施压一第二全局字线电压至该第二全局字线；以及
启动这些区域字线驱动器的该第二子集合，并提供多个字线侧抑制电压至这些字线的该第二子集合，以于耦接于这些字线的该第二子集合且耦接于这些第一串行选择开关的该第二子集合的部分这些存储单元诱发隧穿作用。
19.根据权利要求9所述的存储器，其中该控制器响应一指令(command)来执行施加该通道侧电压、施加该控制电压、浮接、抑制的动作，该指令为于该已选择区块擦除耦接于这些第一串行选择开关的该第一子集合的部分这些存储单元。