技术总结
本发明公开了一种与非门阵列的操作方法。与非门阵列包括由数个存储单元所组成的数个区块。存储单元的一个区块包括数个串行。一通道侧电压可以施加至数个通道线。一控制电压可以施加至此些第一串行选择开关的一已选择子集合此些第二串行选择开关的末端可以浮接此些通道线。耦接于此些第一串行选择开关的一未选择子集合的部分此些存储单元的隧穿作用可以被抑制。字线侧擦除电压可以施加至已选择区块的字线，以于耦接于此些字线以及此些第一串行选择开关的已选择子集合的部分此些存储单元诱发隧穿作用。
技术研发人员：张国彬
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510211718
技术研发日：2015.04.29
技术公布日：2016.12.07