1.一种用于单端位线存储器的具有动态参考电压的差动传感电路，所述差动传感电路包括：
-动态参考电压生成单元，耦接到输入电压，用于接收设置信号以生成动态参考电压；以及
-差动传感放大单元，耦接到所述单端位线存储器和所述动态参考电压生成单元，用于接收至少一来自所述单端位线存储器的输入信号和来自所述动态参考电压生成单元的所述动态参考电压，从而相应地生成至少一输出信号。
2.根据权利要求1所述的差动传感电路，其特征在于，所述动态参考电压生成单元包括：
-第一开关元件，具有控制端、耦接到所述输入电压的第一端、和耦接到所述差动传感放大单元的第二端；以及
-第二开关元件，具有控制端，耦接到所述第一开关元件的所述控制端的第一端，和第二端；以及
-第三开关元件，具有耦接到所述设置信号的控制端，耦接到所述第一开关元件的第二端和所述差动传感放大单元的第一端，和第二端。
3.根据权利要求2所述的差动传感电路，其特征在于，所述输入电压是工作电压。
4.根据权利要求3所述的差动传感电路，其特征在于，所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件是P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
5.根据权利要求2所述的差动传感电路，其特征在于，所述输入电压是接地电压。
6.根据权利要求5所述的差动传感电路，其特征在于，所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件是N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.根据权利要求2所述的差动传感电路，其特征在于，所述动态参考电压生成单元进一步包括：
反向相位延迟单元，用于生成至少一到所述动态参考电压生成单元的反向相位延迟信号。
8.根据权利要求7所述的差动传感电路，其特征在于，所述反向相位延迟单元具有与所述第二开关元件的第二端和所述第三开关元件的第二端耦接的输入端，以及耦接到所述第二开关元件的控制端的输出端。
9.根据权利要求7所述的差动传感电路，其特征在于，当所述至少一反向相位延迟单元的所述反向相位延迟信号不变时，由所述动态参考电压生成单元生成的所述动态参考电压通过所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件的尺寸比例进行调整。
10.根据权利要求9所述的差动传感电路，其特征在于，如果所述第二开关元件具有较大的尺寸，同时所述第一开关元件和所述第三开关元件的尺寸没有变化，则所述动态参考电压生成单元生成较低的动态参考电压，而如果所述第二开关元件具有较小的尺寸，同时所述第一开关元件和所述第三开关元件的尺寸没有变化，则所述动态参考电压生成单元生成较高的动态参考电压。
11.根据权利要求7所述的差动传感电路，其特征在于，当所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件的尺寸比例固定不变时，由所述动态参考电压生成单元生成的动态参考电压通过所述反向相位延迟单元进行调整。
12.根据权利要求11所述的差动传感电路，其特征在于，如果所述反向相位延迟单元具有较少的反向器，则所述动态参考电压生成单元生成较低的动态参考电压，而如果所述反向相位延迟单元具有更多的反向器，则所述动态参考电压生成单元生成较高的动态参考电压。
13.根据权利要求11所述的差动传感电路，其特征在于，所述差动传感放大单元是非对称的差动传感放大单元。
14.根据权利要求1所述的差动传感电路，其特征在于，所述单端位线存储器是只读存储器、静态随机存储器、动态随机存储器、或者三态内容寻址存储器。