1.一种电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，包括：
接收一逻辑数据，判断所述逻辑数据的逻辑电平，并且选择一电阻式记忆胞；以及
依据所述逻辑数据的逻辑电平，在一写入期间，提供一设定信号至所述电阻式记忆胞，或者提供一重置信号至所述电阻式记忆胞，
其中所述设定信号包括一第一设定脉冲以及与所述第一设定脉冲极性相反的一第二设定脉冲，以及所述重置信号包括一第一重置脉冲以及与所述第一重置脉冲极性相反的一第二重置脉冲。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲宽度大于或等于所述第二设定脉冲的脉冲宽度，以及所述第一重置脉冲的脉冲宽度大于或等于所述第二重置脉冲的脉冲宽度。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲宽度小于所述第二设定脉冲的脉冲宽度，以及所述第一重置脉冲的脉冲宽度小于所述第二重置脉冲的脉冲宽度。
4.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲振幅的绝对值大于或等于所述第二设定脉冲的脉冲振幅的绝对值，以及所述第一重置脉冲的脉冲振幅的绝对值大于或等于所述第二重置脉冲的脉冲振幅的绝对值。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲振幅的绝对值小于所述第二设定脉冲的脉冲振幅的绝对值，以及所述第一重置脉冲的脉冲振幅的绝对值小于所述第二重置脉冲的脉冲振幅的绝对值。
6.一种电阻式存储器装置，其特征在于，包括：
一电阻式记忆胞阵列，包括多个电阻式记忆胞；以及
一控制单元，耦接至所述电阻式记忆胞阵列，用以接收一逻辑数据，判断所述逻辑数据的逻辑电平，并且从所述多个电阻式记忆胞当中选择一电阻式记忆胞，以及依据所述逻辑数据的逻辑电平，在一写入期间，所述控制单元提供一设定信号至所述电阻式记忆胞，或者提供一重置信号至所述电阻式记忆胞，
其中所述设定信号包括一第一设定脉冲以及与所述第一设定脉冲极性相反的一第二设定脉冲，以及所述重置信号包括一第一重置脉冲以及与所述第一重置脉冲极性相反的一第二重置脉冲。
7.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲宽度大于或等于所述第二设定脉冲的脉冲宽度，以及所述第一重置脉冲的脉冲宽度大于或等于所述第二重置脉冲的脉冲宽度。
8.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲宽度小于所述第二设定脉冲的脉冲宽度，以及所述第一重置脉冲的脉冲宽度小于所述第二重置脉冲的脉冲宽度。
9.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲振幅的绝对值大于或等于所述第二设定脉冲的脉冲振幅的绝对值，以及所述第一重置脉冲的脉冲振幅的绝对值大于或等于所述第二重置脉冲的脉冲振幅的绝对值。
10.根据权利要求6所述的电阻式存储器装置，其特征在于，所述第一设定脉冲的脉冲振幅的绝对值小于所述第二设定脉冲的脉冲振幅的绝对值，以及所述第一重置脉冲的脉冲振幅的绝对值小于所述第二重置脉冲的脉冲振幅的绝对值。