非易失性半导体存储器件的制作方法

技术总结
根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括：存储器垫，其包括具有可变电阻元件的存储单元；写入驱动器，其在写入中沿着第一方向和与所述第一方向相反的第二方向中的一者将写入电流施加到所述存储单元；以及读取驱动器，其在写入之后的验证读取中沿着所述第一方向和所述第二方向中的一者将验证读取电流施加到所述存储单元。

技术研发人员：泷泽亮介
受保护的技术使用者：东芝存储器株式会社
技术研发日：2015.08.07
技术公布日：2019.04.19