1.一种电子电路，其特征在于，包括：
具有交叉耦合布置的第一反相器和第二反相器；以及
补偿电路装置，被配置成分别根据第一位线信号和第二位线信号控制所述第一反相器和所述第二反相器的供电。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述补偿电路装置包括：
将所述第一位线信号耦合至所述第一反相器的供电端子的第一电容器；以及
将所述第二位线信号耦合至所述第二反相器的供电端子的第二电容器。
3.根据权利要求2所述的电子电路，其特征在于，所述第一反相器的供电端子包括高电压供电端子；以及其中所述第二反相器的供电端子包括高电压供电端子。
4.根据权利要求3所述的电子电路，其特征在于，所述第一反相器的高电压供电端子包括所述第一反相器的PMOS晶体管的源极节点；以及其中所述第二反相器的高电压供电端子包括所述第二反相器的PMOS晶体管的源极节点。
5.根据权利要求2所述的电子电路，其特征在于，所述第一反相器的供电端子包括低电压供电端子；以及其中所述第二反相器的供电端子包括低电压供电端子。
6.根据权利要求5所述的电子电路，其特征在于，所述第一反相器的低电压供电端子包括所述第一反相器的NMOS晶体管；以及其中所述第二反相器的低电压供电端子包括所述第二反相器的NMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述补偿电路装置包括：
将所述第一位线信号分别耦合至所述第一反相器的第一供电端子和所述第一反相器的第二供电端子的第一电容器和第二电容器；以及
将所述第二位线信号分别耦合至所述第二反相器的第一供电端子和所述第二反相器的第二供电端子的第三电容器和第四电容器。
8.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述补偿电路装置还包括：
第一开关，被配置用于在预充电模式中时短接所述第一反相器的输入和输出并且在感测模式中时去耦合所述第一反相器的输入和输出；以及
第二开关，被配置用于在预充电模式中时短接所述第二反相器的输入和输出并且在感测模式中时去耦合所述第二反相器的输入和输出。
9.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括被配置成对所述第一位线信号和所述第二位线信号预充电的第一预充电电路和第二预充电电路。
10.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合在所述第二反相器的输出与所述第一反相器的输入之间的第一滤波电容器、以及耦合在所述第一反相器的输出与所述第二反相器的输入之间的第二滤波电容器。
11.一种电子电路，其特征在于，包括：
第一反相器和第二反相器，具有交叉耦合布置并且均具有第一供电端子和第二供电端子；
第一供电部件和第二供电部件的第一集合，耦合至所述第一反相器的第一供电端子和第二供电端子；
第一供电部件和第二供电部件的第二集合，耦合至所述第二反相器的第一供电端子和第二供电端子；
第一位线，电容性地耦合至在所述第一集合的第一供电部件与所述第一反相器的第一供电端子之间的第一节点；
第二位线，电容性地耦合至在所述第二集合的第一供电部件与所述第二反相器的第一供电端子之间的第二节点；
第一开关，耦合在所述第一反相器的输入与输出之间；以及
第二开关，耦合在所述第二反相器的输入与输出之间。
12.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，所述第一位线还电容性地耦合至在所述第一集合的第二供电部件与所述第一反相器的第二供电端子之间的第三节点。
13.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，所述第二位线还电容性地耦合至在所述第二集合的第二供电部件与所述第二反相器的第二供电端子之间的第四节点。
14.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路的所述第一集合的第一供电部件和第二供电部件包括电阻器；以及其中所述电子电路的所述第二集合的第一供电部件和第二供电部件包括电阻器。
15.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路的所述第一集合的第一供电部件和第二供电部件包括电流源；以及其中所述电子电路的所述第二集合的第一供电部件和第二供电部件包括电流源。
16.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路的所述第一集合的第一供电部件包括具有耦合至电源电压的源极以及耦合至在所述第一节点处的所述第一反相器的第一供电端子的漏极的PMOS晶体管；其中所述电子电路的所述第二集合的第一供电部件包括具有耦合至电源电压的源极以及耦合至在所述第二节点处的所述第二反相器的第一供电端子的漏极的PMOS晶体管。
17.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，
所述电子电路的所述第一集合的第二供电部件包括具有耦合至参考电压的源极以及耦合至在第三节点处的所述第一反相器的第二供电端子的漏极的NMOS晶体管；以及
所述电子电路的所述第二集合的第二供电部件包括具有耦合至参考电压的源极以及耦合至在第四节点处的所述第二反相器的第二供电端子的漏极的NMOS晶体管，
其中所述第三节点在所述第一集合的第二供电部件与所述第一反相器的第二供电端子之间，并且所述第四节点在所述第二集合的第二供电部件与所述第二反相器的第二供电端子之间。
18.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，还包括：
第一预充电电路，预充电所述第一位线并且将所述第一位线耦合至所述第一反相器的第一供电端子和第二供电端子；以及
第二预充电电路，预充电所述第二位线并且将所述第二位线耦合至所述第二反相器的第一供电端子和第二供电端子。
19.一种电子电路，其特征在于，包括：
第一反相器，具有信号输入、信号输出、高电压供电端子和低电压供电端子；
第二反相器，具有信号输入、信号输出、高电压供电端子和低电压供电端子；
其中所述第一反相器的信号输入耦合至所述第二反相器的信号输出，以及其中所述第二反相器的信号输入耦合至所述第一反相器的信号输出；
第一晶体管，具有耦合至电源节点的第一导电端子、耦合至所述第一反相器的高电压供电端子的第二导电端子、以及耦合至第一节点的控制端子；
第二晶体管，具有耦合至所述电源节点的第一导电端子、耦合至所述第二反相器的高电压供电端子的第二导电端子、以及耦合至第二节点的控制端子；
第一位线，电容性地耦合至所述第一节点；以及
第二位线，电容性地耦合至所述第二节点。
20.根据权利要求19所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合在所述第一反相器的信号输入与信号输出之间的第一开关。
21.根据权利要求19所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合在所述第二反相器的信号输入与信号输出之间的第二开关。
22.一种电子电路，其特征在于，包括：
第一反相器，具有信号输入、信号输出、高电压供电端子和低电压供电端子；
第二反相器，具有信号输入、信号输出、高电压供电端子和低电压供电端子；
其中所述第一反相器的信号输入耦合至所述第二反相器的信号输出，以及其中所述第二反相器的信号输入耦合至所述第一反相器的信号输出；
第一晶体管，具有耦合至所述第一反相器的低电压供电端子的第一导电端子、耦合至参考节点的第二导电端子、以及耦合至第一节点的控制端子；
第二晶体管，具有耦合至所述第二反相器的低电压供电端子的第一导电端子、耦合至所述参考节点的第二导电端子、以及耦合至第二节点的控制端子；
第一位线，电容性地耦合至所述第一节点；以及
第二位线，电容性地耦合至所述第二节点。
23.根据权利要求22所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合在所述第一反相器的信号输入与信号输出之间的第一开关。
24.根据权利要求22所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合在所述第二反相器的信号输入与信号输出之间的第二开关。
25.一种电子电路，其特征在于，包括：
具有交叉耦合布置的第一反相器和第二反相器；以及
补偿电路装置，被配置成分别根据第一位线信号和第二位线信号控制所述第一反相器和所述第二反相器的供电；
其中所述补偿电路装置包括：
第一电容器，将所述第一位线信号耦合至所述第一反相器的PMOS晶体管的源极节点；以及
第二电容器，将所述第二位线信号耦合至所述第二反相器的PMOS晶体管的源极节点。