技术总结
本发明公开了缓解MLC闪存写干扰问题的方法,其特征在于在写入FLASH一个字线wordline的LSB数据时,将LSB数据同时缓存在固态硬盘的缓冲区,在写入同一个字线wordline的MSB时先执行将硬盘缓存区中存储的LSB数据再次写入该字线的LSB区域,再执行将MSB数据写入MSB区域。通过在SSD的缓存中增加保存LSB数据，在写MSB数据前再次复写LSB数据，可更正闪存中可能已经被干扰的LSB数据，保证整个wordline上数据的正确性。
技术研发人员：许毅;姚兰;郑春阳;
受保护的技术使用者：深圳忆联信息系统有限公司;
技术研发日：2017.11.29
技术公布日：2018.06.12