1.一种非易失性存储装置,包括:
存储单元,耦接到全局位线;
写入驱动器,被配置成提供漂移电流给全局位线;以及
电压钳位电路,被配置成将全局位线的电压电平限制到钳位电压。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,钳位电压具有这样的电平:该电平适用于使具有设置态的存储单元导通而不使具有复位态的存储单元导通。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,钳位电压具有比读取参考电压高的电平和比复位阈值电压低的电平。
4.一种非易失性存储装置,包括:
多个存储单元,被配置成储存设置数据或复位数据;
写入驱动器,被配置成提供漂移电流给所述多个存储单元;以及
电压钳位电路,被配置成限制所述多个存储单元的电压电平,使得所述多个存储单元之中的储存设置数据的存储单元导通而储存复位数据的存储单元关断。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置,其中,所述多个存储单元耦接到全局位线,而电压钳位电路将全局位线的电压电平限制到钳位电压。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中,钳位电压具有比读取参考电压高的电平和比复位阈值电压低的电平。
7.一种非易失性存储装置,包括:
存储单元,耦接到全局位线;
写入驱动器,被配置成根据操作模式而提供漂移电流和编程电流之一给全局位线;以及
电压钳位电路,被配置成根据操作模式而将全局位线的电压电平限制到第一钳位电压和第二钳位电压之一。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,其中,写入驱动器在漂移恢复操作期间提供漂移电流给全局位线,以及在写入操作期间提供编程电流给全局位线。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储装置,其中,电压钳位电路在漂移恢复操作期间将全局位线的电压电平限制到第一钳位电压,以及在写入操作期间将全局位线的电压电平限制到第二钳位电压。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储装置,其中,电压钳位电路在写入操作开始之后将全局位线的电压电平限制预定时间。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储装置,其中,所述预定时间是从写入操作开始时到存储单元导通时的时间段。
12.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,其中,第一钳位电压具有比读取参考电压高的电平和比复位阈值电压低的电平。
13.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,其中,第二钳位电压具有比第一钳位电压低的电平。
14.根据权利要求12所述的非易失性存储装置,其中,第二钳位电压具有比设置阈值电压低的电平。
15.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,其中,电压钳位电路包括:
电压发生器,被配置成基于操作模式信号而输出第一钳位电压和第二钳位电压之一;
比较器,被配置成将全局位线的电压电平与电压发生器的输出相比较;以及
驱动器,被配置成基于比较器的输出来改变全局位线的电压电平。
16.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,
还包括被配置成基于列选择信号来导通的列开关,
其中,存储单元在其一端处耦接到位线,以及
其中,位线通过列开关耦接到全局位线。
17.根据权利要求16所述的非易失性存储装置,
还包括被配置成基于行选择信号来导通的行开关,
其中,存储单元在其另一端处耦接到字线,以及
其中,字线通过行开关耦接到全局字线。
18.根据权利要求17所述的非易失性存储装置,其中,全局位线耦接到低电压的节点,而低电压为接地电压或比接地电压低的负电压。
19.根据权利要求7所述的非易失性存储装置,还包括:读取感测放大器,被配置成通过在读取操作期间将全局位线的电压电平与读取电压的电平相比较来产生输出信号。