技术总结
一种磁性元件，其中揭露一种如氮化钽/镁复合式晶种层以增强垂直磁异向性于覆盖式磁性层，其可为参考层、自由层或是偶极层。晶种层由一单一层所形成，晶种层为一合金，其包含钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)、氮化铌(NbN)及钌(Ru)之一，以及镁(Mg)、锶(Sr)、钛(Ti)、铝(Al)、钒(V)、铪(Hf)、硼(B)、硅(Si)、镁锆(MgZr)及镁铌(MgNb)之一，由镍镉或其合金所制成的成长促进层可插入在晶种层及磁性层间，磁性元件具有至少400℃的热稳定性。
技术研发人员：诺真·杰;童儒颖;
受保护的技术使用者：海德威科技公司;诺真·杰;童儒颖;
技术研发日：2013.10.10
技术公布日：2018.06.19