述字线； 模型字线电路，其经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；以及 感测电路，其耦合到所述位线及所述模型字线电路，所述感测电路经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号，所述感测电路经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测电路包括比较器，所述比较器经配置以比较所述位线电压与放大器输出信号的电压，其中所述放大器输出信号基于所述经调整的位线电压。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述比较器在第一输入处接收所述放大器输出信号且在第二输入处接收所述位线电压，其中所述第一输入由限幅器电路耦合到所述第二输入。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述限幅器电路包括二极管对。5.根据权利要求2所述的设备，其中所述感测电路进一步包括放大器，所述放大器经配置以基于所述位线电压及如由所述模型字线电路建模的所述字线电压提供所述放大器输出信号，其中在所述放大器的第一输入处接收所述位线电压且在所述放大器的第二输入处接收如由所述模型字线电路建模的所述字线电压。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述放大器经进一步配置以基于所述位线电压及如由所述模型字线电路建模的所述字线电压提供模型放大器输出信号，其中所述模型放大器输出信号被反馈回到所述放大器的所述第一输入。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述放大器为差分放大器。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元包括相变存储器单元。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述选择器装置包括双极结晶体管。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述模型字线电路包括: 电阻式组件，其经配置以将所述字线的至少部分的所述阻抗建模，所述电阻式组件耦合到所述感测电路以提供输出电压；以及 跟随器电路，其与所述电阻式组件串联耦合，所述跟随器电路经配置以接收感测参考电压，所述跟随器电路经配置以将所述字线驱动器的所述阻抗建模，其中所述感测参考电压与由通过所述电阻式组件及所述跟随器电路的模型存储器单元电流导致的输出电压之间的电压差表示跨越所述字线的所述至少部分及所述字线驱动器的电压降。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述选择器装置包括双极选择器装置，其中所述电阻式组件的阻抗及所述跟随器电路的阻抗各自进一步基于所述双极选择器装置的增益。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述跟随器电路的所述阻抗为可调整的。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述跟随器电路包括: 第一晶体管，其与第二晶体管串联耦合，其中所述第一晶体管的漏极经由第一电流调节器耦合到第一电源，且所述第二晶体管的漏极经由第二电流调节器耦合到第二电源，其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的所述漏极且其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的所述漏极，其中在所述第一晶体管及所述第二晶体管之间的节点处接收所述感测参考电压；以及 第三晶体管，其与第四晶体管串联耦合，其中所述第三晶体管的漏极耦合到所述第一电源且所述第四晶体管的漏极耦合到所述第二电源，其中所述第三晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极且所述第四晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的所述栅极，其中所述跟随器电路经配置以在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的节点处提供跟随器电路输出到所述电阻式组件，其中所述输出由所述第一电流调节器及所述第二电流调节器中的至少一者控制。14.一种感测电路，其包括: 放大器，其经配置以提供第一信号及第二信号，其中所述第一信号及所述第二信号基于位线电压及基于字线的至少部分的阻抗而受到调整的感测参考电压，其中在第一输入处接收所述位线电压且在第二输入处接收基于字线的至少部分的阻抗而调整的所述感测参考电压，其中所述第一信号被反馈回到所述第二输入；以及 比较器，其经配置以基于所述第二信号的电压及所述位线电压提供指示存储器单元状态的输出信号。15.根据权利要求14所述的感测电路，其中所述放大器包括: 第一晶体管，其与第二晶体管串联耦合，其中所述第一晶体管的源极经配置以接收第一电源且所述第二晶体管的漏极经配置以接收第二电源，其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的漏极且其中所述第二晶体管的栅极经配置以接收由所述字线模型电路调整的所述感测参考电压； 第三晶体管，其与第四晶体管串联耦合，其中所述第三晶体管的源极经配置以接收所述第一电源且所述第四晶体管的源极经配置以接收所述第二电源，其中所述第三晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极且所述第四晶体管的栅极经配置以接收所述位线电压，其中在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的节点处提供所述第一信号，其中所述第一信号被反馈回到所述第二晶体管的所述栅极；以及 第五晶体管，其与第六晶体管串联耦合，其中所述第五晶体管的源极经配置以接收所述第一电源且所述第六晶体管的源极经配置以接收所述第二电源，其中所述第五晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极且所述第六晶体管的栅极经配置以接收所述位线电压，其中在所述第五晶体管与所述第六晶体管之间的节点处提供所述第二信号。16.根据权利要求15所述的感测电路，其进一步包括耦合到所述比较器的所述第一及第二输入的限幅器电路。17.根据权利要求16所述的感测电路，其中所述限幅器电路包括在所述第一输入与所述第二输入之间的与第二二极管并联耦合的第一二极管，其中所述第一二极管包含自所述第一输入到所述第二输入的正向且所述第二二极管包含自所述第二输入到所述第一输入的正向。18.根据权利要求16所述的感测电路，其中所述限幅器电路进一步包括电阻式组件。19.一种方法，其包括: 将所述存储器装置的位线预充电到预充电电压，其中所述预充电电压基于基于字线电压的增加而受到调整的感测参考电压； 启用耦合到所述位线的选择器装置，其中所述装置的启用导致单元电流流过所述位线；以及 基于由所述单元电流产生的位线电压确定耦合到所述位线的存储器单元的状态。20.根据权利要求19所述的方法，其中基于所述单元电流确定耦合到所述位线的所述存储器单元的所述状态包括: 基于所述经调整的感测参考电压及所述位线的电压提供放大器输出信号；以及比较所述放大器信号与所述位线电压。21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括: 基于所述经调整的感测参考电压及所述位线电压提供第二放大器输出信号；以及 基于所述第二放大器信号调整所述经调整的感测参考电压。22.根据权利要求19所述的方法，其中基于所述字线电压的所述增加调整所述感测参考电压包括: 在模型字线电路的第一节点处提供感测参考电压；其中所述模型字线电路约等于与所述字线及一或多个字线驱动器相关联的阻抗； 提供自第二节点通过所述模型字线电路到所述模型字线电路的所述第一节点的近似电等效的模型电流，其中所述模型电流约等于流过所述存储器单元的电流；以及 在所述模型字线电路的所述第二节点处提供电压作为所述经调整的感测参考电压。23.根据权利要求19所述的方法，其中所述存储器为相变存储器单元。24.—种方法，其包括: 在模型字线电路处接收感测参考电压，其中所述模型字线电路的阻抗约等于存储器阵列的字线的至少部分及字线驱动器的阻抗； 提供通过所述模型字线电路的模型单元电流； 基于所述感测参考电压加基于流过所述模型字线电路的所述模型单元电流的电压来调整所述感测参考电压。25.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括基于所述感测电路的放大器的增益来调整所述模型字线电路的阻抗。26.根据权利要求25所述的方法，其中调整所述模型字线电路的所述阻抗包括控制跟随器电路的电流调节器。
【专利摘要】本发明描述用于补偿存储器中的字线上的电压增加的设备、感测电路及方法。实例设备包含位线、耦合到所述位线的存储器单元、耦合到所述存储器单元的选择器装置、耦合到所述选择器装置的字线及耦合到所述字线的字线驱动器。所述设备进一步包含模型字线电路，其经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；及感测电路，其耦合到所述位线及所述模型字线电路。所述感测电路经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号。所述感测电路经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。
【IPC分类】G11C5/14, G11C7/06
【公开号】CN104956441
【申请号】CN201480006418
【发明人】达尼埃莱·维梅尔卡蒂, 里卡尔多·穆泽托
【申请人】美光科技公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年2月12日
【公告号】US9042190, US20140241049, US20150294717, WO2014130315A1