覆晶芯片的制作方法

文档序号:6940166阅读:286来源:国知局
专利名称:覆晶芯片的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种覆晶芯片及覆晶构装基板,且特别是有关于一种具有多个焊垫环的覆晶芯片,以及一种对应于上述覆晶芯片而具有多个凸块垫环的覆晶构装基板。
背景技术
覆晶接合技术(Flip Chip,FC)是一种常见应用于芯片尺寸封装(Chip Scale Package,CSP)的芯片封装技术,其主要是利用面矩阵(Area Array)的排列方式,将芯片(die)的多个焊垫(die pad)设计配置于芯片的主动表面(active surface),即芯片的具有主动组件(activedevice)的一面,并在各个焊垫上分别形成凸块(bump),接着再将芯片上的凸块连接至承载器(carrier)上所对应的接点(contact),使得芯片以翻覆(flip)的方式对应接合至承载器的表面。
由于覆晶接合技术具有缩小封装面积,提高封装密度,以及缩短信号传输路径等优点,使得覆晶接合技术已广泛地应用在芯片封装领域,特别是具有高脚位(High Pin Count)的芯片封装结构,例如以覆晶接合(FC)搭配球格数组(Ball Grid Array,BGA)的覆晶球格数组(FCBGA)的芯片封装型态,或以覆晶接合(FC)搭配针格数组(PinGrid Array,PGA)的芯片封装型态,均能有效地将单颗具有高达数百个焊垫的芯片加以封装。
无论是上述的覆晶球格数组(FCBGA)、覆晶针格数组(FCPGA),或是其它应用到覆晶接合(FC)的芯片封装技术,通常是利用覆晶构装基板(substrate)来作为覆晶接合用的承载器,而覆晶接合用的覆晶构装基板(以下简称基板)主要由多层图案化导线层及多层绝缘层所相互交错叠合而成,并以多个导电插塞分别贯穿上述的绝缘层,用以电性连接上述的相邻的导线层。此外,基板的顶面更配置有多个凸块垫(bump pad),用以连接芯片上的凸块,而基板的底面则配设有多个焊球垫(ball pad),其分别经由基板的内部线路,而绕线至基板的底面的焊球垫,并可在焊球垫上分别配设焊球(ball)等导电结构,用以连接至下一层级(next level)的电子装置,例如印刷电路板(PrintedCircuit Board,PCB)等。
请参考图1,其为已知的一种覆晶封装结构的局部剖示图。芯片10的主动表面12上以面矩阵的方式配置有多个焊垫14,而覆晶构装基板20(以下简称基板20)则是由多层图案化的导线层24(如组件标号24a、24b、24c…)以及多层绝缘层26(如组件标号26a、26b、26c)相互交错叠合而成,并利用多个导电插塞(plug)36分别贯穿绝缘层26,用以电性连接导电层24。其中,导电插塞36的种类包括有导通插塞(via)36a及镀通插塞(Plating Through Hole,PTH)36b,两者依照插塞工艺的不同而有尺寸上的差异。
请同样参考图1,导线层24的最顶层(即最接近基板20的顶面21)为第一导线层24a,其具有多个凸块垫30,而凸块垫30的位置分别对应焊垫14的位置,使得焊垫14可经由凸块16而连接至基板20上所对应的凸块垫30,再经由导线层24及导电插塞36所构成的线路,而将芯片10的部分焊垫14扇出(fan out)至芯片10的主动表面12下方以外的区域。另外,基板20更包括有一图案化的防焊层(SolderMask)28,其覆盖于第一绝缘层26a及第一导线层24a上,并同时暴露出第一导线层24a的多个凸块垫30,用以保护第一导线层24a的其它部分及第一绝缘层26a。此外,基板20的底面22则具有多个焊球垫34,其用以连接焊球(未绘示)等导电结构,用以连接至下一层级的电子装置。
请参考图2A,其为图1的芯片的仰视图。芯片110的主动表面112以面矩阵的方式,配置有多个焊垫114(如组件标号114a、114b、114c、114d、…),并依照功能上的不同,焊垫114可区分为信号焊垫(signalpad)114a、电源焊垫(power pad)114b、接地焊垫(ground pad)114c及核心(core)电源/接地焊垫114d,其中信号焊垫114a、电源焊垫114b及接地焊垫114c均位于核心电源/接地焊垫114d的外围。值得注意的是,由于已知技术的信号焊垫114a、电源焊垫114b及接地焊垫114c均不规则地分布于芯片110的主动表面112上,因此,当芯片110上的原有焊垫(未绘示)经由重布线层(Re-Distribution Layer,RDL)(未绘示),而重新分布于芯片110的主动表面112时,将相对增加芯片110的原有焊垫经由绕线至重配置后的焊垫114的线路长度,因而增加信号传递的路径长度,进而降低芯片110的电气效能(ElectricalPerformance)。
接着请参考图2B,其为对应图2A的芯片的覆晶构装基板的局部俯视图。覆晶构装基板120的顶面121分布有多个凸块垫130(如组件标号130a、130b、130c、130d…),而全部的凸块垫130均配置于覆晶构装基板120的芯片区域140之内,并对应图2A的芯片110上的焊垫114,而呈面矩阵的方式排列分布。此外,为对应连接图2A的芯片110的信号焊垫114a、电源焊垫114b、接地焊垫114c及核心电源/接地焊垫114d,更可将基板120的凸块垫130区分为信号凸块垫130a、电源凸块垫130b、接地凸块垫130c及核心电源/接地凸块垫130d,其中信号凸块垫130a、电源凸块垫130b及接地凸块垫130c均位于核心电源/接地焊垫130d的外围。值得注意的是,由于已知技术的信号焊垫114a、电源焊垫114b及接地焊垫114c均不规则分布于芯片110的主动表面112上,如图2A所示,使得基板120上的信号凸块垫130a、电源凸块垫130b及接地凸块垫130c也将对应不规则地分布于基板120的顶面121。
实用新型内容本实用新型的第一目的在于提出一种覆晶芯片,用以缩短覆晶芯片的内部线路的绕线长度,以缩短覆晶芯片的重配置线路层的绕线长度,进而提高芯片的电气效能,并可将电源焊垫及接地焊垫分别设计集中分布,除了有利于芯片的布线之外,也可使同组信号所参考的电源及接地较为平均,如此同样可以提高芯片的电气效能。
本实用新型的第二目的在于提出一种覆晶构装基板,其凸块垫位置分别对应第一目的的覆晶芯片的焊垫位置,并对应同样将电源凸块垫及接地凸块垫分别设计集中分布,故有利于基板的布线,并可将防护迹线(guard trace)配设于信号迹线的两侧,用以避免信号迹线与相邻的其它信号迹线发生串音(cross-talk)的现象,进而提高芯片的电气效能。
基于本实用新型的上述第一目的,本实用新型提出一种覆晶芯片,其具有一主动表面,而覆晶芯片还具有多个核心电源/接地焊垫、至少一信号焊垫环、至少一电源焊垫环及至少一接地焊垫环,均配置于主动表面上,其中信号焊垫环、电源焊垫环及接地焊垫环以这些核心电源/接地焊垫为中心,而呈同心环状分布于这些核心电源/接地焊垫的外围。
基于本实用新型的上述第二目的,本实用新型还提出一种覆晶构装基板,其具有多个导线层,其依序相互重叠、多个绝缘层,其分别配置于二相邻导电层之间,用以电性隔离这些导线层,并与这些导线层相互交错叠合、及多个导电插塞,分别贯穿这些绝缘层,用以电性连接这些导电层,其中这些导线层的最顶层具有多个核心电源/接地凸块垫、至少一信号凸块垫环、至少一电源凸块垫环及至少一接地凸块垫环,其中信号凸块垫环、电源凸块垫环及接地凸块垫环以这些核心电源/接地凸块垫为中心,而呈同心环状分布于这些核心电源/接地凸块垫的外围。
为让本实用新型的上述目的、特征和优点能明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合所附图标,加以详细说明。


图1为已知的一种覆晶封装结构的局部剖示图;图2A为图1的芯片的仰视图;图2B为对应图2A的芯片的覆晶构装基板的局部俯视图;图3A、图3C、图3E、图3G、图3I、图3K及图3M为本实用新型的较佳实施例的一种芯片的仰视图;图3B、图3D、图3F、图3H、图3J、图3L、图3N分别为对应图3A、图3C、图3E、图3G、图3I、图3K及图3M的芯片的覆晶构装基板的局部俯视图;图4A为图3B的覆晶构装基板,其第一导线层的局部示意图;以及图4B为图3B的覆晶构装基板,其第二导线层的局部示意图。
图式的标示说明10芯片 12主动表面14焊垫 16凸块20覆晶构装基板 21顶面22底面 24、24a~24c导线层26、26a~26c绝缘层 28防焊层30凸块垫32插塞垫34焊球垫36导电插塞36a导通插塞 36b镀通插塞110芯片 112主动表面114、114a~114d焊垫 120覆晶构装基板121顶面 130、130a~130d凸块垫150芯片区域 210芯片212主动表面 214、214a~214d焊垫215、215a~215f焊垫环 220覆晶构装基板221顶面 230、230a~230d凸块垫231、231a~231f凸块垫环 250芯片区域324a第一导线层 324b第二导线层330凸块垫 331、331a~331f凸块垫环332插塞垫 333、331a~331f凸块垫环336导电插塞 340、342导电迹线340a、342a接地迹线 340b、342b信号迹线350芯片区域具体实施方式
较佳实施例请参考图3A,其为本实用新型的较佳实施例的一种芯片的仰视图。芯片210的主动表面212以面矩阵的方式,配设有多个焊垫214(如组件标号214a、214b、214c、214d…),并组成多个焊垫环215。此外,依照功能的不同,还可将焊垫214区分为信号焊垫214a、电源焊垫214b、接地焊垫214c及核心电源/接地焊垫214d,其中信号焊垫214a、电源焊垫214b及接地焊垫214c均以核心电源/接地焊垫214为中心,而分布于核心电源/接地焊垫214d的外围。值得注意的是,由多个焊垫214所组成的信号焊垫环(如第二焊垫环215b、第三焊垫环215c及第六焊垫环215f),其焊垫214有百分之五十以上是信号焊垫214a,而较佳的情况是信号焊垫环的焊垫214有百分之九十以上是信号焊垫214a,而电源焊垫环(如第五焊垫环215e)及接地焊垫环(如第一焊垫环215a及第四焊垫环215d)也是如此。此外,信号焊垫环可由单层、双层、三层或多层环状排列的焊垫214所组成,例如图3A的第二焊垫环215b及第三焊垫环215c可视为同一信号焊垫环,同样地,电源焊垫环及接地焊垫环也是如此。
请同样参考图3A,多圈焊垫环215呈同心环状排列分布于芯片210的主动表面212,而各圈焊垫环215均可分别设定为信号焊垫环、电源焊垫环及接地焊垫环。以图3A的芯片210为例,芯片210具有三信号焊垫环(如第二焊垫环215b、第三焊垫环215c及第六焊垫环215f)、一电源焊垫环(如第五焊垫环215e)及二接地焊垫环(如第一焊垫环215a及第四焊垫环215d),其中图3A的芯片210的多圈焊垫环215的排列方式仅为众多同心环状的排列的方式之一,而其它同心环状排列的方式如图3C、图3E、图3G、图3I、图3K及图3M的芯片210所示。然而,本实用新型的芯片210的多圈不同功能的焊垫环215并不局限于图3A、图3C、图3E、图3G、图3I、图3K及图3M的同心环状排列的方式,也可为其它同心环状排列的方式。值得注意的是,本实用新型的较佳实施例可将最外圈的第六焊垫环215f设计为电源焊垫环或接地焊垫环,其主要目的在于让信号于导线传输时能有较佳的屏壁效应(Shielding)。
请同样参考图3A,本实用新型的较佳实施例将多个相同功能的焊垫214共同排列组成同一功能的焊垫环215,并可将电源焊垫环215e的电源焊垫214b经由绕线而相互电性连接,还可将接地焊垫环215a(或接地焊垫环215d)的接地焊垫514b经由绕线而相互电性连接,使得各个信号焊垫214a所参考的电源焊垫214b及接地焊垫214c将较为平均,故有助于提高芯片的电气效能。
请同时参考图1、图3B,其中图3B为对应图3A的芯片的覆晶构装基板的局部俯视图。如图3B所示,覆晶构装基板220(以下简称基板220)由图1的图案化的多层导线层24(如组件标号24a、24b、24c、…)及多层绝缘层26(如组件标号26a、26b、26c、…)所构成,其中这些导线层24依序相互重叠,而这些绝缘层26则分别位于二相邻导线层24之间,用以电性隔离这些导线层24,并与这些导线层24相互交错叠合。此外,基板220还具有多个图1的导电插塞36,例如导通插塞(via)36a及镀通插塞(PTH)36b,其分别贯穿图1的绝缘层26,用以电性连接图1的二相邻的导线层24。
请同样参考图1、图3B,如图3B所示,基板220的顶面221上的多个凸块垫230(如组件标号230a、230b、230c、…),即图1的凸块垫30,其由图1的第一导线层24a所构成,其中第一导线层24a为这些导线层24的最顶层,即最接近基板220的顶面221的导线层24。接着如图1所示,凸块垫30的分布位置分别对应焊垫14的分布位置,使得焊垫14可经由凸块16而连接至基板20上所对应的凸块垫30,再经由导线层24及导电插塞36等导电结构,而将芯片10的部分焊垫14扇出至芯片10的主动表面12下方以外的区域。
请再同样参考图1、图3B,为符合图3A的芯片210的多个焊垫214的分布位置,故基板220的凸块垫230也同样以面矩阵的方式,分布于基板220的顶面221的芯片区域250之内,并组成多个凸块垫环231。此外,依照凸块垫230所连接至图3A的信号焊垫214a、电源焊垫214b、接地焊垫214c,也可将凸块垫130区分为信号凸块垫230a、电源凸块垫230b、接地凸块垫230c及核心电源/接地凸块垫230d,其中信号凸块垫230a、电源凸块垫230b及接地凸块垫230c均以核心电源/接地凸块垫230d,而分布于核心电源/接地凸块垫230d的外围。值得注意的是,由多个凸块垫230所组成的信号凸块垫环(如第二凸块垫环231b、第三凸块垫环231c及第六凸块垫环231f),其凸块垫230有百分之五十以上是信号凸块垫230a,而较佳的情况是信号凸块垫环的凸块垫230有百分之九十以上是信号凸块垫230a,而电源凸块垫环(如第五凸块垫环231e)及接地凸块垫环(如第一凸块垫环231a及第四凸块垫环231d)也是如此。此外,信号凸块垫环可对应图3A的芯片的信号焊垫环,可由单层、双层、三层或多层环状排列的凸块垫230所组成,例如图3B的第二凸块垫环231b及第三凸块垫环231c可视为同一信号凸块垫环,而电源凸块垫环及接地凸块垫环也是如此。
请同样参考图3B,基板220的多圈凸块垫环231的排列方式仅为众多同心环状排列的方式之一,而其它同心环状的排列方式也可如图3D、图3F、图3H、图3J、图3L及图3N所示。然而,本实用新型的基板220的多圈凸块垫环215并不局限于图3B、图3D、图3F、图3H、图3J、图3L及图3N的同心环状排列的方式,也可分别对应芯片210的焊垫214的分布的方式,而为其它同心环状排列的方式。
请依序参考图4A、图4B,其分别为图3B的覆晶构装基板,其第一导线层及第二导线层的局部示意图。如图4A所示,第一导线层324a(即图1的第一导线层24a)具有多个凸块垫330(即图1的凸块垫30),并将其以同心环状排列的方式,区分为多圈凸块垫环331,即为图3B所示的多圈凸块垫环231,其中图4A仅绘示多圈凸块垫环331的局部结构,而凸块垫330均位于芯片区域350(即图3B的芯片区域250)之内。值得注意的是,若以图3B的覆晶构装基板220的六圈凸块垫环231为例,图4B的六圈凸块垫环331依序为接地凸块垫环331a、信号凸块垫环331b、信号凸块垫环331c、接地凸块垫环331d、电源凸块垫环331e及信号凸块垫环331f。
如图4B所示,第二导线层324b(如图1的第二导线层24b)具有多个插塞垫(via pad)332(如图1的插塞垫32),其均位于芯片区域350(即图3B的芯片区域250)之内,其中图4A的第一导线层324a的凸块垫330分别经由导电插塞336(即图1的导通插塞36a),而与图4B的第二导线层324b的插塞垫332相互电性连接。同样地,第二导线层324b的多个插塞垫332也构成有多个插塞垫环333,其分别对应于第一导线层324a的信号凸块垫环331a、电源凸块垫环331b及接地凸块垫环331c,而为信号插塞垫环333a、电源插塞垫环333b及接地插塞垫环333c。
请再依序参考图4A、图4B,如图4A所示,第一导线层324a的多条导电迹线340将外三圈凸块垫环231,包括接地凸块垫环231f、信号凸块垫环231e、信号凸块垫环231d的凸块垫230分别扇出至芯片区域350之外,而内三圈凸块垫环231包括接地凸块垫环231c、电源凸块垫环231b及信号凸块垫环231a的部分凸块垫230则是分别先经由导电插塞336,而向下电性连接至图4B的第二导线层300其内三圈接地插塞垫环333c、电源插塞垫环333b及信号插塞垫环333a的插塞垫332,再经由导电迹线342将接地插塞垫环333c及信号插塞垫环333a的插塞垫332分别扇出至芯片区域350之外。
如图4A所示,从接地凸块垫环331f的凸块垫330所连接的导电迹线340是作为接地迹线340a,而从信号凸块垫环331d或信号凸块垫环331e的凸块垫330所连接出的导电迹线340则是作为信号迹线340b,为了防止信号迹线340b与相邻的其它信号迹线340b之间发生串音(cross-talk)的现象,即信号相互干扰的现象,因此,本实用新型的较佳实施例是将成对的接地迹线340a(非信号迹线)分别配设于欲防护的信号迹线340b的两侧,用以作为信号迹线340b的防护迹线,此外,连接至电源端的成对的电源迹线(未绘示)也可作为信号迹线340b的防护迹线。另外,成对的接地迹线340a之间所夹的信号迹线340b可为一条或数条以上,如图4A所示。
如图4B所示,同样可将成对连接于接地插塞垫环333c的插塞垫332的导电迹线342(即接地迹线342a)分别配置位于连接信号插塞垫环333a的插塞垫332的导电迹线342(即信号迹线342b)的两侧,即一对接地迹线340a可分别配置位于至少一条信号迹线340b的两侧,用以作为信号迹线304b的防护迹线,可防止信号迹线342b与邻近的其它信号迹线342b之间发生串音的现象。同样地,连接至电源端的成对的导电迹线342也可作为信号迹线342b的防护迹线。值得注意的是,作为防护迹线的接地迹线342a的宽度可大于信号迹线342b的宽度,如此将有助于降低接地迹线342a的电阻值。同样地,如图4A所示,作为防护迹线的接地迹线340a的宽度也可大于信号迹线340a的宽度,如此也同样有助于降低接地迹线340a的电阻值。
综上所述,本实用新型的覆晶芯片是将芯片上不同功能的焊垫分组,并分别利用多环排列的方式,将焊垫分别配置于芯片的主动表面上,以缩短芯片的重配置线路层的绕线长度,进而提高芯片的电气效能。此外,本实用新型还设计出一覆晶构装基板,其可对应上述的覆晶芯片的焊垫布局,而在基板的顶面配置分布有多个面矩阵排列的凸块垫,并使得大部分相同功能的凸块垫组成为同一凸块垫环,此外,还可将成对的电源迹线或接地迹线分别配设于信号迹线的两侧,用以作为信号迹线的防护迹线,因而降低其与邻近的信号迹线之间发生串音的现象,以提高芯片的电气效能。
虽然本实用新型已以一较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何本领域的熟练技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
权利要求1.一种覆晶芯片,其特征在于该覆晶芯片具有一主动表面,而该覆晶芯片还具有多个核心电源/接地焊垫、至少一信号焊垫环、至少一电源焊垫环及至少一接地焊垫环,均配置于该主动表面上,其中该信号焊垫环、该电源焊垫环及该接地焊垫环以这些核心电源/接地焊垫为中心,而呈同心环状分布于这些核心电源/接地焊垫的外围。
2.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该信号焊垫环由多个焊垫所组成,而百分之五十以上的这些焊垫为信号焊垫。
3.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该信号焊垫环由多个焊垫所组成,而这些焊垫呈多层环状排列。
4.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该电源焊垫环由多个焊垫所组成,而百分之五十以上的这些焊垫为电源焊垫。
5.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该电源焊垫环由多个焊垫所组成,而这些焊垫呈多层环状排列。
6.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该接地焊垫环由多个焊垫所组成,而百分之五十以上的这些焊垫为接地焊垫。
7.如权利要求1所述的覆晶芯片,其特征在于该接地焊垫环由多个焊垫所组成,而这些焊垫呈多层环状排列。
专利摘要一种覆晶芯片,其中覆晶芯片具有多个核心电源/接地焊垫、至少一信号焊垫环、至少一电源焊垫环及至少一接地焊垫环,均配置于覆晶芯片的主动表面上,且上述的焊垫环均以这些核心电源/接地焊垫为中心,而呈同心环状分布于这些核心电源接地焊垫的外围。此外,覆晶构装基板的最顶层的导线层具有多个凸块垫,其位置分别对应于覆晶芯片的焊垫的位置,还可在信号凸块垫环的外围配设一非信号凸块垫环,并可在覆晶构装基板的任一导线层上,配设一成对的电源迹线或是接地迹线分别于一信号迹线的两侧,作为信号迹线的防护迹线。
文档编号H01L23/12GK2569340SQ02236949
公开日2003年8月27日 申请日期2002年6月5日 优先权日2002年6月5日
发明者许志行 申请人:威盛电子股份有限公司
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