专利名称：蚀刻高长径比零件的方法
相关申请的交叉引证本发明要求2001年10月31日申请的美国临时申请序列号60/330788的优先权，它的全部内容在此通过参考引入。
背景技术：
发明领域本发明涉及蚀刻化学，和更特别地，涉及利用改进的蚀刻化学，蚀刻高长径比零件(feature)的方法。
背景技术：
的讨论 在半导体工业中，一般需要增加增加集成电路，和尤其记忆器件的速度。这些需要迫使半导体制造者在半导体晶片表面上制造越来越小的器件。因此，制造半导体芯片所使用的愈加小的最高临界尺寸(CDs)要求深的沟道电容器，这些电容器用于储存记忆电荷，它们必须更深地进入到硅内，以保持相同的内表面积，并进而保留相同的电容。这些较小的最高CDs使得在蚀刻过程中蚀刻剂物质更难以进入如此深的蚀刻空穴内，和流出液物质更难以从零件中排出，这是因为它较深地蚀刻到硅片内。这种相互作用导致慢得多的蚀刻和因此更长的蚀刻时间，这反过来导致的问题是，提供将经历愈加长蚀刻时间的掩膜。对于深的沟道蚀刻来说，目前的技术接近采用目前的化学有效的目前掩膜的极限。
目前的深沟道蚀刻化学依赖于HBr和含氟气体与氧气的解离。这些反应的副产物包括SiO2、HF和其它Si-F-Br物质。在具有除了化学组分之外，还具有强物理组分的反应中，溴蚀刻硅的表面。在硅蚀刻表面与等离子体之间存在直接的视线(line-of-sight)的情况下，包含硅的这种物理组分被更容易地蚀刻。在存在供蚀刻的较少物理组分的前述沟道的垂直表面上，形成来自蚀刻表面的硅与来自等离子体的氧气(O2)的化学相互作用产生的二氧化硅(SiO2)。一般地，使用二氧化硅形成的工艺操作控制最终沟道的轮廓和宽度。
然而，涉及目前蚀刻化学的深沟道蚀刻来说，已提到数种局限。例如，采用目前的方法，掩膜腐蚀，特别地靠近零件入口处的掩膜腐蚀已提出了难以克服的问题。目前，掩膜腐蚀有助于通过HBr与NF3之间相互作用形成的HF所致的化学进攻。另外，掩膜腐蚀有助于高能离子的物理溅射并降低二氧化硅的表面防护，而这来自于较小(高长径比)零件中硅的可获得性低之故。
除了掩膜腐蚀之外，目前的工艺化学的缺点是，对于0.13-0.10微米的零件，在大于5微米的深度处蚀刻速度低，或更一般地，一度特征长径比L/D超过50。高于这一特征长径比，硅的蚀刻主要取决于化学蚀刻，而不是物理蚀刻(参见
图1)。
最近，目前的工艺化学不能控制上部轮廓和维持各向异性蚀刻和平行的侧壁。
总之，溴化学，特别地引入到等离子体的那些如HBr，当与氟化学结合使用时，产生作为副产物的HF。在处理等离子体中HF的存在导致氧化物掩膜的侵略性进攻。因此，需要减少从等离子体中排放氢气的改进化学，以减轻目前实践的前述缺点。
发明概述 本发明提供一种利用改进的蚀刻化学的等离子体处理体系和方法，以便有效蚀刻高长径比的硅零件。该工艺化学使用适合于生产氟/氯蚀刻化学的前体气体以及适合于形成化学键的前体气体，该化学键足够强到产生稳定的零件侧壁。
本发明有利地提供处理基质的方法，该方法包括步骤提供一种工艺过程气体，它具有含氧的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体，和由该工艺过程气体产生等离子体。
本发明进一步有利地提供一种处理基质的方法，该方法包括步骤提供一种工艺过程气体，它具有至少一种沉积气体和至少一种蚀刻气体，和由该工艺过程气体产生等离子体。
另外，本发明有利地提供一种等离子处理体系，该体系包括工艺室、气体注射体系，其中构造所述体系，以便在工艺室内注射工艺过程气体，和等离子源，其中构造所述等离子源，以便由该工艺过程气体产生等离子体。工艺过程气体有利地包括含氧的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体。
本发明进一步有利地提供一种等离子处理体系，该体系包括工艺室、气体注射体系，其中构造所述体系，以便在工艺室内注射工艺过程气体，和等离子源，其中构造所述等离子源，以便由该工艺过程气体产生等离子体。工艺过程气体有利地包括沉积气体和蚀刻气体。
附图的简要说明 参考下述详细说明，尤其当考虑到与附图结合时，本发明更全面的理解和许多附带优点将变得显而易见，其中 图1示出了基质零件的横截面视图； 图2示出了根据本发明第一个实施方案的等离子处理体系； 图3示出了根据本发明第二个实施方案的等离子处理体系； 图4示出了根据本发明第三个实施方案的等离子处理体系； 图5示出了根据本发明第四个实施方案的等离子处理体系； 图6示出了数种化学键的键强度表。
优选实施方案的详细说明 图2描述了等离子处理器件1，它包括腔室10，待处理的基质25固定在其上的基质夹具20，气体注射体系40，和真空泵体系50。构造腔室10，以促进在紧邻基质25表面的处理区45内生成等离子体，其中藉助加热的电子与可离子化的气体之间的碰撞形成等离子体。可离子化的气体或气体的混合物经气体注射体系40引入并调节处理压力。例如，使用闸阀(未示出)产生调节真空泵体系50。所需地，使用等离子体产生对预定的物质处理特异的物质，并辅助物质在基质25上的沉积或从基质25的暴露表面上除去物质。
基质25通过槽阀(未示出)和经自动基质转移体系的腔室传送(未示出)被转移入和转移出腔室10，在此它被在基质夹具20内放置的基质顶杆接收并通过在其中放置的器件机械地转移。一旦从基质转移体系中接收了基质25，则将它降低到基质夹具20的上表面上。
在可供替代的实施方案中，基质25藉助静电夹(未示出)被固定在基质夹具20上。此外，基质夹具20进一步包括含再循环冷却剂流体的冷却体系，该体系接收来自基质夹具20的热量并将热传递到换热体系(未示出)上，或当加热时，从换热体系中传递热量。此外，可将气体传输到基质的背侧，改进基质25与基质夹具20之间的气隙导热性。当基质的温度控制要求在升高或降低的温度下时，利用该体系。例如，由于从等离子体传输到基质25上的热通量和通过传导到基质夹具20上导致从基质25上移走的热通量之间的平衡，所以在比所实现的稳定态温度高的温度下，基质的温度控制可以是有用的。在另一实施方案中，包括加热元件，如耐热元件，或热-电加热器/冷却器。
在图2所示的第一个实施方案中，基质夹具20进一步充当电极，其中在处理区45内，射频(PR)功率通过所述电极被耦合到等离子体上。例如，在RF电压下，在RF发生器30的RF功率通过阻抗匹配网络32传输到基质夹具20上时，基质夹具20电偏移。RF偏压充当加热电子，和进而形成并维持等离子体。在这种结构中，体系以反应性离子蚀刻(RIE)反应器形式操作，其中腔室和上部的气体注射电极充当接地表面。典型的RF偏压频率范围为1MHz-100MHz，和优选13.56MHz。
在可供替代的实施方案中，在多频下，将RF功率施加到基质夹具电极上。此外，阻抗匹配网络32的作用是通过使反射功率最小，从而在处理室10内最大化RF功率向等离子体的转移。匹配网络拓扑(例如L-型、π-型、T-型等)和自动控制方法是本领域已知的。
继续参考图2，加工气体42经气体注射体系40引入到处理区45内。气体注射体系40可包括喷头，其中工艺过程气体42从气体输送体系(未示出)经气体注射增压室(未示出)、串联的挡板(未示出)和多孔喷头的气体注射板(未示出)供应到处理区45内。
真空泵体系50优选包括泵送速度能最多5000升/秒(和更大)的涡轮分子真空泵(TMP)，和调节腔室压力的闸阀。在供干燥等离子蚀刻所使用的常规等离子处理器件中，使用1000-3000升/秒的TMP。TMP可用于低压处理，典型地小于50mTorr的压力。在较高的压力下，TMP泵送速度显著下降。对于高压处理(即大于100mTorr)，使用机械增压泵和干燥的低真空泵。
计算机55包括微处理器、记忆元件、和数字I/O端口，该端口能产生足以连通和激活朝向等离子处理体系1的输入以及监控从等离子处理体系1的输出的控制电压。此外，计算机55被连接到RF发生器30、阻抗匹配网络32、气体注射体系40和真空泵体系50上，并与之交换信息。计算机55的一个实例是DELL PRECISIONWORKSTATION 610TM，它获自Dallas，Texas的Dell公司。
在图3所示的第二个实施方案中，等离子处理体系1除了参考图2所示的那些组件之外，还进一步包括机械或电旋转的直流电磁场体系60，为的是可能增加等离子体密度和/或改进等离子体处理的均匀度。此外，计算机55被连接到旋转的磁场体系60上，为的是调节旋转速度和场强。
在图4所示的第三个实施方案中，图2的等离子处理体系1进一步包括上部板极70，其RF功率从RF发生器72经阻抗匹配网络74耦合到所述板极70上。向上部的电极施加RF功率的典型频率范围为10MHz-200MHz，和优选60MHz。另外，施加功率到较低电极上的典型频率范围为0.1MHz-30MHz，和优选2MHz。而且，计算机55被连接到RF发生器72和阻抗匹配网络74上，为的是控制RF功率施加到上部电极70上。
在图5所示的第四个实施方案中，图2的等离子处理体系进一步包括电感线圈80，其中RF功率经RF发生器82通过阻抗匹配网络84与所述电感线圈相连。RF功率从电感线圈80经介电窗(未示出)电感耦合到等离子体处理区45上。施加RF功率到电感线圈80上的典型频率范围是10MHz-100MHz，和优选13.56MHz。类似地，施加功率到吸盘电极上的典型频率范围是0.1MHz-30MHz，和优选13.56MHz。另外，使用有槽法拉第屏蔽(未示出)降低电感线圈80与等离子体之间的电容耦合。此外，将计算机55连接到RF发生器82和阻抗匹配网络84上，为的是控制向电感线圈80施加功率。
在可供替代的实施方案中，使用电子回旋加速器谐振源(ECR)形成等离子体。在又一实施方案中，由启动螺旋波形成等离子体。在又一实施方案中，由传播表面波形成等离子体。
现参考图2-5，工艺过程气体42经气体注射体系40引入到处理区45内。工艺过程气体42包括一种或多种特别地选择的气体物质，以便在加热的电子存在下，产生具有适合于蚀刻硅，以便在加热的电子存在下，产生具有适合于蚀刻硅以及形成适合于在零件侧壁上形成稳定薄膜的化学成分的工艺化学。利用以下将要描述的工艺化学，有效地蚀刻硅，同时维持稳定的零件侧壁并防止不想要的HF副产物过度蚀刻光刻胶掩模。
通过选择工艺化学，包括形成高键接强度的化学键的物质，从而实现零件的侧壁稳定性。利用图6所示的表，使用含硫和/或氧的气体以及氟/氯蚀刻化学产生包括Si-S和/或Si-O键的零件侧壁膜，该侧壁薄膜是侧壁稳定性的优良选择。因此，工艺过程气体42选自一组沉积(即成膜)气体，如SO2、O2、N2O和NO2，和一组蚀刻气体如SF6、SF4、F2、SiCl4和Cl2。
在优选的实施方案中，工艺过程气体42包括含氧的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体。例如，第一种气体包括SO2，第二种气体包括SF4，和第三种气体包括SiCl4。通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的第一流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-750sccm，和它的范围优选是1-300sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是5-400sccm，和它的范围优选是1-150sccm。
在可供替代的实施方案中，若可(例如从基质25的表面上)获得足量硅，则工艺化学包括SO2作为含氧的第一种气体、SF4作为含氟的第二种气体和Cl2作为含氯的第三种气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-750sccm，和它的范围优选是1-300sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是10-750sccm，和它的范围优选是25-300sccm。
在可供替代的实施方案中，若不可(例如从基质25的表面上)获得足量硅，则工艺化学包括SO2作为含氧的第一种气体、SiF4作为含氟的第二种气体和SiCl4作为含氯的第三种气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-750sccm，和它的范围优选是1-300sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是5-400sccm，和它的范围优选是10-150sccm。
在可供替代的实施方案中，若不可(例如从基质25的表面上)获得足量硅，则工艺化学包括SO2作为含氧的第一种气体、SiF4作为含氟的第二种气体和Cl2作为含氯的第三种气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-750sccm，和它的范围优选是1-300sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是10-750sccm，和它的范围优选是25-300sccm。
在可供替代的实施方案中，若希望从工艺化学中除去硫(S)，则工艺化学包括O2作为含氧的的第一种气体、F2作为含氟的第二种气体和Cl2作为含氯的第三种气体。在工艺化学中使用硫有利地提供形成Si-S键的可能性，并因此提供零件侧壁保护用的非常稳定薄膜。然而，存在硫有可能导致(1)在后蚀刻处理过程中难以从硅表面上除去(或清洗)硫，(2)在后蚀刻处理过程中，在没有除去(即清洗)硫步骤的情况下，形成会损害基质的硫/湿气化学，和(3)随着时间的流逝，在腔室组件上形成会损害重要的腔室表面的硫/湿气化学。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-1500sccm，和它的范围优选是1-600sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是10-750sccm，和它的范围优选是25-300sccm。
在可供替代的实施方案中，工艺化学包括NO2作为含氧的第一种气体、F2作为含氟的第二种气体和Cl2作为含氯的第三种气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-1500sccm，和它的范围优选是1-600sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是10-750sccm，和它的范围优选是25-300sccm。
在可供替代的实施方案中，工艺化学包括N2O作为含氧的第一种气体、F2作为含氟的第二种气体和Cl2作为含氯的第三种气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速、含氟的第二种气体的流速和含氯的第三种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-400sccm，和它的范围优选是1-200sccm；含氟的第二种气体的第二流速范围是1-1500sccm，和它的范围优选是1-600sccm；和含氯的第三种气体的第三流速范围是10-750sccm，和它的范围优选是25-300sccm。
在可供替代的实施方案中，工艺化学包括第一种气体O2作为沉积气体和第二种气体F2作为蚀刻气体。类似地，通过计算机55上的储存加工方法来控制气体注射体系40，调节含氧的第一种气体的流速和含氟的第二种气体的流速。例如，含氧的第一种气体的流速范围是1-200sccm，和它的范围优选是1-100sccm；和含氟的第二种气体的第二流速范围是1-1500sccm，和它的范围优选是1-600sccm。
最后，在可供替代的实施方案中，将惰性气体加入到任何一种签署工艺过程气体化学中。惰性气体是至少一种Ar、He、Xe、Kr和氮气。例如，使用加入到工艺化学中的惰性气体，稀释工艺过程气体或调节工艺过程气体的分压。此外，例如，添加惰性气体可辅助零件蚀刻的物理组分。
尽管以上详细地描述了本发明仅仅一些例举的实施方案，但本领域的技术人员将容易地理解，在例举的实施方案内的许多改性是可能的，从根本上没有图例本发明的新型教导和优点。因此，所有这种改性拟包括在本发明范围内。
权利要求
1.一种处理基质的方法，该方法包括步骤提供一种工艺过程气体，该工艺过程气体包括含氧的的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体；由该工艺过程气体产生等离子体。
2.权利要求1的方法，其中含氧的的第一种气体包括O2、SO2、N2O、和NO2中的至少一种。
3.权利要求1的方法，其中含氟的第二种气体包括SF4、SF6、SiF4、和F2中的至少一种。
4.权利要求1的方法，其中含氯的第三种气体包括SiCl4和Cl2中的至少一种。
5.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括SO2、SF4和SiCl4。
6.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括SO2、SF4和Cl2。
7.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括SO2、SiF4和SiCl4。
8.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括SO2、SiF4和Cl2。
9.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括O2、F2和Cl2。
10.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括NO2、F2和Cl2。
11.权利要求1的方法，其中工艺过程气体包括N2O、F2和Cl2。
12.权利要求5的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm。
13.权利要求5的方法，其中SF4的流速范围是1-750sccm。
14.权利要求5的方法，其中SiCl4的流速范围是5-400sccm。
15.权利要求5的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm，SF4的流速范围是1-750sccm，和SiCl4的流速范围是5-400sccm。
16.权利要求5的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm，SF4的流速范围是1-300sccm，和SiCl4的流速范围是10-150sccm。
17.权利要求6的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm。
18.权利要求6的方法，其中SF4的流速范围是1-750sccm。
19.权利要求6的方法，其中Cl2的流速范围是10-750sccm。
20.权利要求6的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm，SF4的流速范围是1-750sccm，和Cl2的流速范围是10-750sccm。
21.权利要求6的方法，其中SO2的流速范围是1-100sccm，SF4的流速范围是1-300sccm，和Cl2的流速范围是25-300sccm。
22.权利要求7的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm。
23.权利要求7的方法，其中SiF4的流速范围是1-750sccm。
24.权利要求7的方法，其中SiCl4的流速范围是5-400sccm。
25.权利要求7的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm，SiF4的流速范围是1-750sccm，和SiCl4的流速范围是5-400sccm。
26.权利要求7的方法，其中SO2的流速范围是1-100sccm，SiF4的流速范围是1-300sccm，和SiCl4的流速范围是10-150sccm。
27.权利要求8的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm。
28.权利要求8的方法，其中SiF4的流速范围是1-750sccm。
29.权利要求8的方法，其中Cl2的流速范围是10-750sccm。
30.权利要求8的方法，其中SO2的流速范围是1-200sccm，SiF4的流速范围是1-750sccm，和Cl2的流速范围是10-750sccm。
31.权利要求8的方法，其中SO2的流速范围是1-100sccm，SiF4的流速范围是1-300sccm，和Cl2的流速范围是25-300sccm。
32.权利要求9的方法，其中O2的流速范围是1-200sccm。
33.权利要求9的方法，其中F2的流速范围是1-1500sccm。
34.权利要求9的方法，其中Cl2的流速范围是10-750sccm。
35.权利要求9的方法，其中O2的流速范围是1-200sccm，F2的流速范围是1-1500sccm，和Cl2的流速范围是10-750sccm。
36.权利要求9的方法，其中O2的流速范围是1-100sccm，F2的流速范围是1-600sccm，和Cl2的流速范围是25-300sccm。
37.权利要求10的方法，其中NO2的流速范围是1-200sccm。
38.权利要求10的方法，其中F2的流速范围是1-1500sccm。
39.权利要求10的方法，其中Cl2的流速范围是10-750sccm。
40.权利要求10的方法，其中NO2的流速范围是1-200sccm，F2的流速范围是1-1500sccm，和Cl2的流速范围是10-750sccm。
41.权利要求10的方法，其中NO2的流速范围是1-100sccm，F2的流速范围是1-600sccm，和Cl2的流速范围是25-300sccm。
42.权利要求11的方法，其中N2O的流速范围是1-400sccm。
43.权利要求11的方法，其中F2的流速范围是1-1500sccm。
44.权利要求11的方法，其中Cl2的流速范围是10-750sccm。
45.权利要求11的方法，其中N2O的流速范围是1-400sccm，F2的流速范围是1-1500sccm，和Cl2的流速范围是10-750sccm。
46.权利要求11的方法，其中N2O的流速范围是1-200sccm，F2的流速范围是1-600sccm，和Cl2的流速范围是25-300sccm。
47.权利要求1的方法，其中工艺过程气体进一步包括惰性气体。
48.权利要求47的方法，其中惰性气体包括Ar、He、Xe、Kr和氮气中的至少一种。
49.一种处理基质的方法，该方法包括步骤供应一种工艺过程气体，该工艺过程气体包括沉积气体和至少一种蚀刻气体中的至少一种；由该工艺过程气体产生等离子体。
50.权利要求49的方法，其中沉积气体包括O2、SO2、N2O和NO2中的至少一种。
51.权利要求49的方法，其中蚀刻气体包括SF4、SF6、SiF4、Cl2、SiCl4和F2中的至少一种。
52.权利要求49的方法，其中工艺过程气体包括O2和F2。
53.权利要求52的方法，其中O2的流速范围是1-200sccm。
54.权利要求52的方法，其中F2的流速范围是1-1500sccm。
55.权利要求52的方法，其中O2的流速范围是1-200sccm，和F2的流速范围是1-600sccm。
56.一种等离子体处理体系，它包括工艺室；气体注射体系，其中构造所述体系，以便在工艺室内注射工艺过程气体；和等离子源，其中构造所述等离子源，以便由该工艺过程气体产生等离子体；其中工艺过程气体包括含氧的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体。
57.权利要求56的体系，其中等离子源包括电感线圈。
58.权利要求56的体系，其中等离子源包括板极。
59.权利要求56的体系，其中含氧的第一种气体包括O2和SO2中的至少一种。
60.权利要求56的体系，其中含氟的第二种气体包括SF4、SF6、SiF4和F2中的至少一种。
61.权利要求56的体系，其中含氯的第三种气体包括SiCl4和Cl2中的至少一种。
62.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括SO2、SF4和SiCl4。
63.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括SO2、SF4和Cl2。
64.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括SO2、SiF4和SiCl4。
65.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括SO2、SiF4和Cl2。
66.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括O2、F2和Cl2。
67.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括NO2、F2和Cl2。
68.权利要求56的体系，其中工艺过程气体包括N2O、F2和Cl2。
69.权利要求56的体系，其中工艺过程气体进一步包括惰性气体。
70.权利要求69的体系，其中惰性气体包括Ar、He、Xe、Kr和氮气中的至少一种。
71.一种等离子体处理体系，它包括工艺室；气体注射体系，其中构造所述体系，以便在工艺室内注射工艺过程气体；和等离子源，其中构造所述等离子源，以便由该工艺过程气体产生等离子体；其中工艺过程气体包括沉积气体和蚀刻气体。
72.权利要求71的体系，其中等离子源包括电感线圈。
73.权利要求71的体系，其中等离子源包括板极。
74.权利要求71的体系，其中沉积气体包括O2、SO2、N2O和NO2中的至少一种。
75.权利要求71的体系，其中蚀刻气体包括SF4、SF6、SiF4、Cl2、SiCl4和F2中的至少一种。
76.权利要求75的体系，其中工艺过程气体包括O2和F2。
全文摘要
一种利用改进的蚀刻化学的等离子处理体系和方法，以便有效蚀刻高长径比的硅零件。该工艺化学利用适合于生产氟/氯蚀刻化学的前体以及适合于形成强度足以产生稳定的零件侧壁的化学键的前体气体。该改进工艺化学包括SO
文档编号H01L21/00GK1592954SQ02821737
公开日2005年3月9日 申请日期2002年10月31日 优先权日2001年10月31日
发明者A·莫斯丹, S·海兰, 梶本实利 申请人:东京电子株式会社