大功率高亮度发光二极管封装装置的制作方法

文档序号:6839453阅读:156来源:国知局
专利名称:大功率高亮度发光二极管封装装置的制作方法
专利说明
一、技术领域本实用新型属于一种照明、夜间装饰及信号指示的电器灯具,主要用于大功率、大驱动电流二极管芯片的封装。
背景技术
目前常见的中小功率发光二极管(以下简称LED)的封装,是将LED芯片粘结固定在金属支架上,再用环氧树脂灌封。由于LED芯片采用几十mW,驱动电流5-15mA,芯片发热较小,可以保证LED的长期使用。但如果LED功率略增大,驱动电流提高至50mA以上,芯片发热量将大幅度增加,而封装结构散热率低,LED芯片难以承受结构温度的迅速上升,而导致芯片性能下降,甚至失效,使用寿命缩短。由于温度过高容易导致灌封环氧树脂迅速老化,透光率低,光照度不均匀。到目前为止,尚未发现可通大电流并且散热性良好的LED封装结构。
三、实用新型内容本实用新型根据已有的LED封装装置存在的不足,试图设计一种新的结构来取代它,从根本上解决LED的散热性能差、透光率不高、照度不均匀的问题。以便达到LED的高亮度、使用寿命长的目的。
本实用新型的主要技术方案是LED芯片固定安装在基座上,引线与基座两孔灌封,引线与基座之间呈绝缘状态,LED芯片与引线之间通过内引线相连,基座顶部密封固定一个窗口。
本实用新型通过实际应用证明LED的散热性大大提高,有效的解决了温度上升影响芯片性能、寿命等问题,由于采用大功率(1W以上)LED芯片封装,驱动电流达350mA以上,成倍的提高了LED的发光亮度,同时明显改善了光照度的均匀问题。
四以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细地描述。


图1,是本实用新型的基本结构图,也是第一实施方案图。
图2,是本实用新型的第二实施方案图。
图3,是本实用新型的第三实施方案图。
具体实施方式
参照图1,本实用新型的第一实施方案由窗口1、基座2、引线3、内引线4、LED芯片5组成。其具体结构LED芯片5固定安装在基座2上,引线3与基座2两孔灌封,并引线与基座之间呈绝缘状态,LED芯片5和引线3之间通过内引线4相连,基座2顶部密封固定一个窗口1。
参照图2,本实用新型的第二实施方案结构与第一实施方案结构基本相同,所不同的是,基座2的两个孔分别开在左右两边,引线3从左右两边引出。
参照图3,本实用新型的第三实施方案结构与第一实施方案结构基本相同,所不同的是,基座2顶部密封固定一个窗口6。
图1、2、3,结构中的基座2内腔形状均为圆锥形,利于光的反射。
参照图1,为了增加照明和装饰的需要,可以扩大基座2,在基座上增加引出线3,可以一次围绕中心对称的将多个大功率高亮度的LED芯片5封装于同一个基座之内。
参照图1、2,结构中所述的窗口1零件,是用透明材料制成的单面凸透镜,其材料如玻璃、光学塑料等。
参照图3,结构中所述的窗口6零件,是用透明材料制成的平面透镜,其材料如玻璃、光学塑料等。
结构中的基座2,采用高导热率的金属材料制备,如用铝、铜等。基座内表面进行抛光处理。
结构中的封装腔体内,充有保护气体。
本实用新型具有良好的热学、光学、电学性能,环境适应性好,均可用于红光、绿光、黄光、白光等系列大功率LED芯片的封装。
权利要求1.一种发光二极管封装装置,含有LED芯片(5)、引线(3)、内引线(4),其特征是结构由LED芯片(5)固定安装在基座(2)上,引线(3)与基座(2)两孔灌封,引线与基座之间呈绝缘状态,LED芯片(5)和引线(3)之间通过内引线(4)相连,基座(2)顶部密封固定一个窗口(1)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装装置,其特征是基座(2)的两个孔分别开在左右两边,引线(3)从左右两边引出。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装装置,其特征是基座(2)顶部密封固定一个窗口(6)。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装装置,其特征是窗口(1)是用透明材料制成的单面凸透镜。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装装置,其特征是窗口(6)是用透明材料制成的平面透镜。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装装置,其特征是基座(2)内腔形状均为圆锥形。
专利摘要本实用新型公开了一种照明、夜间装饰及信号指示的电器灯具,主要用于大功率、大驱动电流二极管芯片的封装。技术特征是结构由窗口、基座、引线、内引线、LED芯片组成。本实用新型克服了原封装装置存在的散热性差、只能封装小功率的发光二极管芯片、发光亮度低、光照度不均匀的弱点。有效地提高了其散热性,能够对大功率的发光二极管进行封装,亮度成倍提高,光照度明显改善,性能质量稳定。
文档编号H01L33/00GK2747710SQ20042006066
公开日2005年12月21日 申请日期2004年8月6日 优先权日2004年8月6日
发明者朱颖峰, 肖徽山, 和自强, 徐冬梅, 陈爱萍, 陶雁明 申请人:昆明物理研究所
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