专利名称：用于fet栅电极的cvd钽化合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于FET栅电极的CVD钽化合物。
背景技术：
如今的集成电路包括大量的器件。更小的器件对于增强性能和改善可靠性非常关键。作为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，一个具有历史意义的名字，一般是指绝缘栅场效应晶体管)器件被微型化，该技术变得更加复杂并且需要新方法来维持从一代器件到下一代器件的预期的性能增强。
对MOSFET的栅极的一些要求如下它必须是导体，它必须适合于器件制造过程，即它可以被淀积并构图，以及能够经得住在器件制造过程中的多种处理步骤；必须形成具有栅极电介质的稳定复合层，即在器件制造过程所涉及的许多处理步骤中不对电介质造成损害；产生器件和电路(通常是CMOS电路)的适当操作所要求的阈值电压。基于硅(Si)的微电子器件的主要栅极材料是重浓度掺杂的多晶硅(poly)。在高级CMOS电路中对适当阈值电压的要求是PMOS器件需要p+-多晶硅，NMOS需要n+-多晶硅。这其中的考虑是使栅极材料的功函数与器件本体材料的功函数相匹配。然而，多晶硅栅极法不利于进一步器件缩小，并且在将来的小型化器件中带来更多的问题。
发明内容
根据第一方面，提供一种用于形成包括Ta和N的化合物的化学汽相淀积(CVD)方法，包括如下的步骤使用烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质用作Ta前体；以及提供供应氮的前体。
在一个实施例中选择叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta作为所说的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质。
在一个实施例中选择氨用作所说的供应氮的前体。
在一个实施例中从由TaN和TaSiN组成的组中选择化合物。
在一个实施例可以将所说的化合物中的N与Ta之元素比率选择为大于大约0.9。
在一个实施例中可以从由硅烷和乙硅烷组成的组中选择用于TaSiN的Si前体。
在一个实施例中氢气用作载气。
在一个实施例中化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且将N与Ta之元素比率选择为大于大约0.9。
优选地，公开了一种用于场效应晶体管的新类型的栅极材料，这种场效应晶体管在超亚微领域中具有更好的器件特性和更多的器件选择。更优选地，教导了一种以金属性的钽-氮化合物形成的MOS栅极。
优选地，提供了一种满足今后的要求的新的栅极材料，并且将来可以进一步小型化器件。根据优选的实施例，本发明公开了优选满足高级的栅极材料的要求的材料和制造方法。更具体地，公开了优选适合于作为在NMOS器件中的栅极材料的材料。
所公开的材料是具有Ta和N的化合物比如TaN或者TaSiN。(Ta是钽的元素符号，N是氮的元素符号，Si是硅的元素符号。)这些材料是公知的并可用于各种目的。通常，它们已经通过物理汽相淀积(PVD)技术比如溅射被淀积。在使用已有技术中的化学汽相淀积(CVD)时，以基于卤化物的Ta前体和激活的氮(使用等离子体)实施以用于TaN淀积。公知的是C和特别是F两者可能使得MOS器件中的栅极电介质劣化。此外，等离子体处理也可能造成对栅极电介质的损坏。可替换的已有技术的CVD技术使用具有氨的各种金属有机Ta前体，在大多数的情况下会造成Ta3N5(一种绝缘体)的淀积。
本发明设计一种CVD方法，在这种方法中烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质用作在CVD处理中的Ta前体。这些物质中代表性物质例如是叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta(TAIMATA)和(t-丁基亚氨)三(二乙基氨基)Ta。这种CVD方法优选产生形成金属性材料的化学计量平衡的TaN化合物。此外，根据优选的实施例，通过进一步引入Si，TaSiN化合物不仅是金属性的，而且还具有适合于与NMOS器件结合使用的功函数。所公开的CVD方法优选也形成保形层，由此与各种PVD方法的单向性特征相反，允许在经构图的晶体表面上淀积。
根据第二方面，提供一种具有栅极电介质和栅极的半导体场效应器件，其中所说的栅极包括这样化合物，该化合物包括淀积在所说的栅极电介质上的Ta和N，其中所说的化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且在所说的化合物中N与Ta的元素比率大于大约0.9。
在一个实施例中化合物是TaN或者TaSiN。如果该化合物是TaN，则在TaN中，N与Ta的元素比率优选在大约0.9和1.1之间。优选TaN具有晶体材料结构。
如果化合物是TaSiN，则在一个实施例在TaSiN中Si与Ta的元素比率在大约0.35和0.5之间。优选TaSiN具有基本非晶的材料结构。
如果化合物是TaSiN，则在另一实施例中，TaSiN具有等于在约300mV内n-掺杂的Si的功函数的功函数。
在一个实施例中，栅极电介质具有小于大约5纳米的等效氧化物厚度。栅极电介质优选具有小于大约2纳米的等效氧化物厚度。
在一个实施例中栅极电介质包括SiO2。
在一个实施例中栅极电介质包括高K电介质材料。
在一个实施例中器件是基于Si的MOS晶体管。优选地，该器件是NMOS晶体管。优选NMOS晶体管具有在大约0.15V和0.55V之间的阈值电压。
根据另一方面，提供一种制造具有栅极电介质的半导体场效应器件的方法，包括如下的步骤通过用作Ta前体的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质使用化学汽相淀积(CVD)将包括Ta和N的化合物淀积在所说的栅极电介质上。
在一个实施例中选择具有小于大约20mΩcm的电阻率的化合物。
在一个实施例中可以将所述化合物中的N与Ta的元素比率选择为大于大约0.9。
在一个实施例中可以从由TaN或者TaSiN组成的组中选择化合物。
如果该化合物是TaN，则在一个实施例中可以将所说的TaN中的N与Ta的元素比率选择在大约0.9和1.1之间。
如果化合物是TaSi，则在一个实施例在所说的TaSiN中Si与Ta的元素比率在大约0.35和0.5之间。
在一个实施例中选择叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta作为所说的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质。
在一个实施例中将该化合物加热到大约1000℃。
在一个实施例中提供源极和漏极，其中在提供源极和漏极之前淀积该化合物。
在另一个实施例中如果在提供源极和漏极之后淀积该化合物则提供源极和漏极。
在一个实施例中在经构图的表面上保形地实施淀积的步骤。
根据另一方面，提供一种处理器，包括至少一个芯片，其中所说的芯片包括具有栅极电介质和栅极的至少一个半导体场效应器件，其中所说的栅极包括这样的化合物，该化合物包括淀积在所说的栅极电介质上的Ta和N，其中所说的化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且在所说的化合物中N与Ta的元素比率大于大约0.9。
在一个实施例中处理器是数字处理器。
在一个实施例中处理器包括至少一个模拟电路。
现在通过举例并参考后面的附图描述本发明的优选实施例。
附图1所示为根据本发明的优选实施例的CVD TaN层的X-射线θ-2的θ衍射；附图2所示为根据本发明的优选实施例的CVD TaSiN层的X-射线θ-2的θ衍射；附图3所示为根据本发明的优选实施例在TaSiN中的Si和N的元素比率，其中Ta被归一化到1；附图4所示为根据本发明的优选实施例具有使用2.6纳米的氧化物绝缘体的TaN层电极的100kHz C-V曲线；附图5所示为根据本发明的优选实施例使用平带电压的TaN电极的功函数推导与等效氧化物厚度的曲线；附图6所示为根据本发明的优选实施例具有不同的Si含量的TaSiN电极的C-V曲线；附图7所示为根据本发明的优选实施例使用平带电压的TaSiN电极的功函数推导与等效氧化物厚度的曲线；附图8所示为根据本发明的优选实施例使用隧道电流的TaSiN电极的功函数推导；附图9所示为根据本发明的优选实施例在使用TaSiN栅电极和高-k栅极电介质的FET中Id-Vg曲线；附图10所示为根据本发明的优选实施例具有金属性的Ta-N化合物栅极的半导体场效应器件的示意性截面视图；附图11所示为根据本发明的优选实施例包含具有金属性的Ta-N化合物栅极的半导体场效应器件的至少一个芯片的处理器的示意性视图。
具体实施例方式
已经开发出化学汽相淀积(CVD)处理用于生产金属性的钽(Ta)-氮(N)化合物，比如TaN和TaSiN。在这些处理中，使用烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质(alkylimidotris(diaikylamido)Taspecies)或材料叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta(TAIMATA)(tertiaryamylimidotris(dimethylamido)Ta)被用作Ta前体。氨(NH3)在CVD淀积中被用作氮(N)源，同时氢气H2被用作载气。对于本领域普通技术人员，在该处理中显然可以以其它的材料替代氢气和氨。通过叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta(TAIMATA)和氨前体和氢气载气，可以获得化学计量的TaN，其中Ta与N的比率接近1∶1，如由X-射线光电子光谱学(XPS)决定。在大约0.9和1.1之间的N与Ta的元素比率给定了用于代表性实施例的层。在400℃和550℃之间的生长温度下和在10-100mTorr范围之间的腔室压力下淀积TaN膜。气体NH3和H2的流率在10-100sccm的范围。
附图1所示为CVD淀积的金属性的TaN层的代表性实施例的X-射线θ-2的θ衍射。该附图显示了表示如从1∶1化学计量中预期的晶体的立方对称的尖锐结晶峰值。在附图1中的两个峰值对应于(111)和(200)峰值并且表示TaN的立方对称性。
研究的CVD处理也产生金属性的TaSiN。对于这种情况，叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta(TAIMATA)被用作Ta前体，氨被用作N源，并且硅烷(SiH4)或者乙硅烷(Si2H6)作为硅(Si)的前体，同时氢气仍然被用作载气。
在400℃和550℃之间的生长温度下和在10-100mTorr范围之间的腔室压力下淀积TaSiN膜。NH3和H2的载气流率在10-100sccm的范围。为了将Si并入在膜中，使用5％(体积)的Si2H6或者SiH4并且流率在5和100sccm之间变化以获得使TaSiN中的Si与Ta的元素比率在0.2和0.7之间变化的组分。
本领域普通技术人员将会清楚，在该过程中可以使用其它的材料替代氨、硅烷、乙硅烷和氢气，例如使用氨基硅烷。
如附图2所示，在CVD淀积的金属性的TaSiN层的代表性实施例的X-射线θ-2的θ衍射中，将Si增加到TaN中使化合物呈非晶态(或者细微的多晶态)。标记为“Si(111)”的尖锐的峰值是由在TaSiN之下的衬底引起。
附图3所示为通过XPS测量的在TaSiN中的Si和N的元素比率。元素比率或者浓度(Ta浓度被归一化到1)被给定为乙硅烷Si前体流的函数，同时生长温度和其它的气体流保持恒定。
一般地，除了TaN和TaSiN之外，可以设想到在金属性的Ta-N化合物家族中的栅材料。以Ta前体从烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质开始，例如也可以形成TaGeN层。
对CVD TaN层的代表性实施例中的导电性测量得到小于大约5mΩcm的电阻率值。具有在0.35和0.5之间的元素Si含量比率的TaSiN产生小于大约20mΩcm的电阻率值。(电阻率以欧姆-厘米(Wcm)为单位量度，mΩcm代表毫欧姆-厘米，为一欧姆-厘米的千分之一。)使用金属氧化物半导体电容器(MOScap)结构进一步研究具有Ta和N的化合物的电特性。SiO2膜热生长在Si衬底上，同时厚度从大约2纳米改变到5纳米，之后进行TaN或TaSiN的表层淀积。之后进行通过浅掩模进行的钨(W)溅射淀积。使用W作为硬掩模，通过活性离子蚀刻来蚀刻掉Ta化合物层以获得MOScaps。
附图4所示为使用2.6纳米的氧化物绝缘体的TaN层电极的100kHz C-V曲线。W/TaN/2.6nm SiO2/p-Si叠层的良好特性清楚地显示耗散和累计特性，表示TaN金属性层对2.6纳米SiO2电介质没有造成可识别的损害。金属性的TaN和SiO2电介质形成了稳定的复合层。
附图5所示为使用平带电压(Vfb)的TaN电极的功函数推导与等效氧化物厚度(EOT)曲线，它是一种本领域普通技术人员熟悉的技术。EOT是指电容，指示每单位面积具有与所述的电介质层相同电容的这种SiO2层的厚度。TaN膜具有～4.6eV的功函数，它稍稍小于Si的中带值(4.65eV)。
Si增加到TaN化合物中使得具有Ta和N的化合物的功函数更像n-掺杂的Si的功函数。附图6所示为具有不同的Si含量的TaSiN电极的C-V曲线。金属性的TaSiN和2纳米的SiO2电介质再次形成稳定的复合层，说明对氧化物没有明显的损害。C-V曲线在其形状上具有接近理想的特性。此外，这些TaSiN膜显示了用于最佳化的相对较大的处理窗口。如附图6所示，以不同的Si含量(从0.2至0.7)生长的膜产生了非常类似的Vfb。这建议，从易于淀积的观点看，可以具有稳健的处理过程。Si含量的优选范围在0.35和0.5的元素浓度之间。
附图7所示为使用平带电压的TaSiN电极的功函数推导相对于等效氧化物厚度的曲线。这些电极的Si含量在优选的范围中。这些优选的TaSiN膜具有～4.4eV的功函数，如从附图7中估计的。TaSiN功函数也通过如附图8所示的不同的且敏感的技术获得。如本领域所公知，测量隧道电流作为电压的函数可以得到势垒高度值。从这些值中可以直接获得功函数。在附图8中所示的势垒高度表示TaSiN膜具有～4.32eV的功函数，与平带测量值大致相符。两种测量技术显示CVD TaSiN具有的功函数在4.1eV的n-多晶硅功函数的200-300mV范围内。这使得金属性的TaSiN适合作为用于在高级CMOS电路中的NMOS器件的栅极材料。
在微电子器件中有一种趋势是发现在MOS晶体管中的栅极电介质中SiO2的替代物。一种备选系列材料是所谓的“高-k“材料，即它们具有高介电常数值，可以理解为高于SiO2的介电常数，例如典型地高于4。为确认TaSiN与高-k电介质(比如Al2O3、HfO2、Y2O3、TiO2、La2O3、ZrO2、硅酸盐和包括并入氮的上述材料的组合)兼容，过去FET器件以TaSiN栅极和HfO2栅极电介质制造，HfO2是高-k电介质的代表性实施例。
附图9所示为使用TaSiN栅电极和高-k/氮氧化硅(SiON)栅极电介质的FET中的Id-Vg曲线。CVD TaSiN膜是稳定的高-k电介质，比如HfO2，具有较低的阈值电压Vt～0.55V，对应于预期的n-型Si，比如TaSiN的功函数。一般地在环境温度下高级NMOS器件具有在大约0.15V和0.55V之间的阈值电压值。附图9也显示了对TaSiN-HfO2叠层施加的标准退火(比如持续30分钟的时间的450℃的形成气体退火)得到常规的改进，对于该器件这种改进产生了良好的76mV/dec子阈值斜率。
在CMOS电路的制造中有许多处理步骤和栅极材料，一般地必须能够经受得住在这种处理中涉及的温度。为评估TaSiN叠层的热稳定性，实施中等能量离子散射(MEIS)实验，显示这些叠层在高达1000℃的高温下是稳定的，与电介质的相互影响很小甚至没有。在TaSiN层中观测到的仅有的变化可能是某些氢的损失，这些氢在TaSiN中成为CVD过程造成的污染物。这显示了金属性的TaSiN可被用于常规的CMOS处理中。
从在具有拓扑结构的表面上的TaSiN层中获取截面扫描的电子显微镜图像。这些图像显示CVD TaSiN过程是保形的，并且例如可用于线形沟槽。这又是有利的，因为它使TaSiN适合常规的“栅极首先”处理和“栅极最后“置换处理两者。在“栅极首先“处理中，在已经制造源极和漏极之前淀积栅极。在置换栅极即“栅极最后”的情况下，通常在由牺牲栅极的清除产生的沟槽中在淀积最后的栅极之前进行源极和漏极的制造。
附图10所示为半导体场效应器件10的示意性截面剖视图，该器件10具有金属性的Ta-N化合物，比如TaN或TaSiN栅极。栅极电介质100是将金属性栅极110与半导体本体160分离的绝缘体，源极/漏极示意性地指示为150。栅极110包括金属性的Ta-N化合物，比如TaN和TaSiN。栅极可以仅包含Ta-N化合物，或者它可以包含Ta-N化合物作为叠层结构的一部分。栅极绝缘体100可以是对于本领域普通技术人员公知的绝缘材料中的任意一种，比如氧化物、氮氧化物、高K材料或其它材料以及各种组合。本发明的代表性实施例是，在栅极110是TaSiN时，FET器件10是具有高-k栅极电介质100的NMOS。然而，在附图10中的半导体场效应器件的绘图几乎是象征性的，其中，虽然它实际显示了MOS器件，但它意味着代表任何类型的场效应器件。这种器件的唯一共同点是通过其在绝缘体(即所谓的栅极电介质100)上的场作用的栅极110控制该器件电流。因此，每个场效应器件具有(至少一个)栅极和栅极绝缘体。因此新类型的栅极的教导可以影响每个且所有的场效应器件。例如，本体可以是体式的，如附图10所示，或者它可以是在绝缘体(SOI)上的薄膜。沟道可以是单沟道或者多沟道比如双栅极或者FINFET器件。该器件的基本材料也可以改变。它可以是Si，当今电子器件的主要材料，或者更广义地讲，它可以是所谓的基于Si的材料，包含Ge合金。
附图11所示为包含至少一个芯片的处理器900的示意性视图，该芯片包含具有金属性的Ta-N化合物(比如TaN或TaSiN)栅极的半导体场效应器件。这种处理器具有至少一个芯片901，该芯片901包含具有TaN或TaSiN栅极的至少一个场效应器件10。处理器900可以是利用TaN或TaSiN栅极场效应器件的任何处理器。这些器件形成了在一个或多个芯片901上大部分处理器的一部分。以TaN或TaSiN栅极场效应器件制造的处理器的代表性实施例是数字处理器，通常用于计算机的中央处理器复合体；混合的数字/模拟处理器；以及通常是任何通信处理器，比如将存储器连接到处理器的模块、路由器、雷达系统、高性能视频电话、游戏模块和其它器件。
根据上文的教导本发明的许多改进和改型也都是可能的，并且它们对于本领域普通技术人员是显然的。本发明的范围由附加的权利要求书界定。
权利要求
1.一种用于形成包括Ta和N的化合物的化学汽相淀积(CVD)方法，包括如下的步骤使用烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质用作Ta前体；以及提供供应氮的前体。
2.权利要求1所述的方法，进一步包括选择叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta作为所说的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质的步骤。
3.权利要求1所述的方法，进一步包括选择氨用作所说的供应氮的前体的步骤。
4.权利要求1所述的方法，进一步包括从由TaN和TaSiN组成的组中选择所说的化合物的步骤。
5.权利要求4所述的方法，进一步包括将所说的化合物中的N与Ta的元素比率选择为大于大约0.9的步骤。
6.权利要求4所述的方法，进一步包括从由硅烷和乙硅烷组成的组中选择用于所说的TaSiN的Si前体的步骤。
7.权利要求1所述的方法，进一步包括使用氢气用作载气的步骤。
8.权利要求1所述的方法，进一步包括将N与Ta的元素比率选择为大于大约0.9，以及所说的化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率。
9.一种具有栅极电介质和栅极的半导体场效应器件，其中所说的栅极包括这样化合物，该化合物包括淀积在所说的栅极电介质上的Ta和N，其中所说的化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且在所说的化合物中N与Ta的元素比率大于大约0.9。
10.权利要求9所述的场效应器件，其中所说的化合物是TaN或者TaSiN。
11.权利要求10所述的场效应器件，其中在所说的TaN中，N与Ta的元素比率在大约0.9和1.1之间。
12.权利要求11所述的场效应器件，其中所说的TaN具有晶体材料结构。
13.权利要求10所述的场效应器件，其中在所说的TaSiN中，Si与Ta的元素比率在大约0.35和0.5之间。
14.权利要求13所述的场效应器件，其中所说的TaSiN具有基本非晶的材料结构。
15.权利要求10所述的场效应器件，其中所说的TaSiN具有的功函数等于在大约300mV内n-掺杂的Si的功函数。
16.权利要求9所述的场效应器件，其中所说的栅极电介质具有小于大约5纳米的等效氧化物厚度。
17.权利要求16所述的场效应器件，其中所说的栅极电介质具有小于大约2纳米的等效氧化物厚度。
18.权利要求9所述的场效应器件，其中所说的栅极电介质包括SiO2。
19.权利要求9所述的场效应器件，其中所说的栅极电介质包括高K电介质材料。
20.权利要求9所述的场效应器件，其中所说的器件是基于Si的MOS晶体管。
21.权利要求20所述的场效应器件，其中所说的器件是NMOS晶体管。
22.权利要求21所述的场效应器件，其中所说的NMOS晶体管具有在大约0.15V和0.55V之间的阈值电压。
23.一种制造具有栅极电介质的半导体场效应器件的方法，包括如下的步骤通过用作Ta前体的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质使用化学汽相淀积(CVD)将包括Ta和N的化合物淀积在所说的栅极电介质上。
24.权利要求23所述的方法，进一步包括选择具有小于大约20mΩcm的电阻率的所说的化合物的步骤。
25.权利要求23所述的方法，进一步包括将所说的化合物中的N与Ta的元素比率选择为大于大约0.9的步骤。
26.权利要求23所述的方法，进一步包括从由TaN或者TaSiN组成的组中选择所说的化合物的步骤。
27.权利要求26所述的方法，进一步包括将所说的TaN中的N与Ta的元素比率选择为在大约0.9和1.1之间的步骤。
28.权利要求26所述的方法，进一步包括在所说的TaSiN中选择Si与Ta的元素比率在大约0.35和0.5之间的步骤。
29.权利要求23所述的方法，进一步包括选择叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)Ta作为所说的烷基亚氨基三(二烷基氨基)Ta物质的步骤。
30.权利要求23所述的方法，进一步包括将所说的化合物加热到大约1000℃的步骤。
31.权利要求23所述的方法，进一步包括提供源极和漏极的步骤，其中在提供所说的源极和所说的漏极的步骤之前实施淀积所说的化合物的步骤。
32.权利要求23所述的方法，进一步包括提供源极和漏极的步骤，其中在提供所说的源极和所说的漏极的步骤之后实施淀积所说的化合物的步骤。
33.权利要求23所述的方法，其中在经构图的表面上保形地实施所说的淀积步骤。
34.一种处理器，包括至少一个芯片，其中所说的芯片包括具有栅极电介质和栅极的至少一个半导体场效应器件，其中所说的栅极包括这样的化合物，该化合物包括淀积在所说的栅极电介质上的Ta和N，其中所说的化合物具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且在所说的化合物中N与Ta的元素比率大于大约0.9。
35.权利要求34所述的处理器，其中所说的处理器是数字处理器。
36.权利要求34所述的处理器，其中所说的处理器包括至少一个模拟电路。
全文摘要
本发明公开了在场效应器件中用作栅极材料的Ta和N的化合物，它可能包括其它的元素，并且具有小于大约20mΩcm的电阻率，并且N与Ta元素比率约大于0.9。这种化合物的代表性实施例TaSiN在包含电介质层和高－k电介质层的SiO
文档编号H01L21/8234GK1902337SQ200480033445
公开日2007年1月24日 申请日期2004年11月11日 优先权日2003年11月13日
发明者维嘉·纳拉亚纳恩, 芬顿·麦克菲利, 基思·R.·米尔科维, 约翰·J.·约卡斯, 马修·W.·科佩尔, 保罗·C.·加米森, 罗伊·卡拉瑟斯, 小西里尔·卡布拉尔, 埃德蒙·斯科斯基, 伊丽莎白·达奇, 阿莱桑德拉·卡勒加里, 苏菲·扎法, 中村和仁 申请人:国际商业机器公司