专利名称：一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法
技术领域：
本发明属于微电子器件制备技术领域，特别涉及一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法。
背景技术：
OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED具有主动发光，无视角问题；重量轻，厚度小；高亮度，高发光效率；发光材料丰富，易实现彩色显示；响应速度快，动态画面质量高；使用温度范围广；可实现柔软显示；工艺简单，成本低；抗震能力强等一系列的优点，因此它被专家称为未来的理想显示器，在各种领域有着广泛的应用。
中国专利200410005063.2报道形成具有改进性能的有机发光装置的一种方法，该方法并为涉及金属阳极和阴极隔离柱的制备。中国专利02823793.5报道了OLED的一种制备方法，该方法具有工艺复杂的缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法。
为达到上述目的，本发明的技术解决方案是一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，包括下列主要步骤1、在硅基片表面上光刻出金属阳极图形；2、在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铬/银薄膜；3、超声剥离；4、反转光刻阴极隔离柱图形。
所述的硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，具体操作步骤为第一步选用普通硅片做衬底，在衬底上涂光学光刻胶，用第一版光刻版进行曝光、显影；第二步将显影后的硅片在反应离子刻蚀中采用氧气去底胶，流量55~65毫升每秒，等离子体偏压功率为10~15瓦特，去底胶后片子立即送入蒸发台，采用电子束蒸发工艺蒸发铬/银薄膜；第三步在光刻胶的上方采用电子束蒸发工艺蒸发铬/银膜，制得上阳极电极图形；第四步把蒸发过金属膜的基片置于丙酮器皿中，并外加超声波去除硅片上的光刻胶及胶上的铬/银薄膜，得到金属阳极图形；第五步在金属阳极图形上方涂光刻胶；第六步用第二版光刻版进行前曝，曝光时间5~8秒；第七步将曝光后的硅片置于110~130℃热板烘烤2.5~3分钟；第八步将烘烤后的硅片再进行泛曝25~30秒，然后显影，显影后形成截面为倒梯形的隔离柱结构，至此，OLED金属阳极及阴极隔离柱的制备完成。
所述的硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，所述衬底为普通硅片，厚度为480~520μm。
所述的硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，所述第一步中光学光刻胶，为S9912光学光刻胶，胶厚为1000～1500nm。
所述的一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第三步中，用电子束蒸发工艺蒸发铬/银薄膜，是先蒸发铬厚度8~10nm，然后蒸发银厚度30~50nm。
所述的硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，所述第五步中光刻胶，为5214光刻胶，胶厚为1200～1400nm。
图1至图4为本发明方法的工艺操作流程示意图。
具体实施例方式
现结合附图详细说明本发明的技术方案。根据以上所述的一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其操作步骤为第一步在硅基片101表面上光刻出下电极图形102。
如图1所示，选用普通硅片做衬底101，衬底的厚度为500μm，在衬底上涂S9912光学光刻胶，胶厚1000-1500nm，经过曝光显影后得到下电极图形102；第二步蒸发铬/银薄膜103。
如图2所示，首先将显影后的硅片在反应离子刻蚀(RIE)中采用氧气去底胶，流量60毫升每秒，等离子体偏压功率为10瓦特，去底胶后片子立即送入蒸发台，采用电子束蒸发工艺先蒸发铬厚度10nm，然后蒸发银厚度40nm；第三步超声剥离。
如图3所示，把蒸发过金属膜的基片置于丙酮器皿中，并外加超声波去除硅片101上的光刻胶102及胶上的铬/银薄膜103，得到阳极电极图形104；第四步光刻阴极隔离柱图形105。
如图4所示，在铬/银薄膜图形104的表面采用5214光刻胶反转光刻出阴极隔离柱图形105，完成硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备。
权利要求
1.一种硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，包括下列步骤1、在硅基片表面上光刻出金属阳极图形；2、在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铬/银薄膜；3、超声剥离；4、反转光刻阴极隔离柱图形。
2.根据权利要求1所述的硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，操作步骤为第一步选用普通硅片做衬底，在衬底上涂光学光刻胶，用第一版光刻版进行曝光、显影；第二步将显影后的硅片在反应离子刻蚀中采用氧气去底胶，流量55~65毫升每秒，等离子体偏压功率为10~15瓦特，去底胶后片子立即送入蒸发台，采用电子束蒸发工艺蒸发铬/银薄膜；第三步在光刻胶的上方采用电子束蒸发工艺蒸发铬/银膜，制得上阳极电极图形；第四步把蒸发过金属膜的基片置于丙酮器皿中，并外加超声波去除硅片上的光刻胶及胶上的铬/银薄膜，得到金属阳极图形；第五步在金属阳极图形上方涂光刻胶；第六步用第二版光刻版进行前曝，曝光时间5~8秒；第七步将曝光后的硅片置于110~130℃热板烘烤2.5~3分钟；第八步将烘烤后的硅片再进行泛曝25~30秒，然后显影，显影后形成截面为倒梯形的隔离柱结构，至此，OLED金属阳极及阴极隔离柱的制备完成。
3.根据权利要求2所述的硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述衬底为普通硅片，厚度为480~520μm。
4.根据权利要求2所述的硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第一步中光学光刻胶，为S9912光学光刻胶，胶厚为1000～1500nm。
5.根据权利要求2所述的硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第三步中，用电子束蒸发工艺蒸发铬/银薄膜，是先蒸发铬厚度8~10nm，然后蒸发银厚度30~50nm。
6.根据权利要求2所述的硅基有机发光微显示金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第五步中光刻胶，为5214光刻胶，胶厚为1200～1400nm。
全文摘要
一种硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法，属于微电子器件制备技术领域，其工艺步骤如下1.在硅基片表面上光刻出金属阳极图形；2.在光刻出图形的硅片表面用电子束蒸发出铬/银薄膜；3.超声剥离；4.反转光刻阴极隔离柱图形，完成制作。OLED具有可实现柔软显示、色彩鲜艳、响应速度快、抗低温及工艺简单等优点，可广泛应用于视频显示领域。本发明方法具有成本低和工艺简单的优点。
文档编号H01L51/50GK1972545SQ200510123888
公开日2007年5月30日 申请日期2005年11月24日 优先权日2005年11月24日
发明者欧毅, 李大勇 申请人:中国科学院微电子研究所