专利名称：多部分耦合器装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电磁耦合器，并且尤其涉及形成为耦合器部分的组合的这种耦合器。
背景技术：
当一对导线分隔开，但是在隔开后的接近程度足以对在一个导线中的能量流动被另一导线电磁和静电的感应时，它们被耦合。在导线之间能量流动的量涉及导体所处的电介质和磁性介质和这些导线之间的间距。即使围绕这些导线的电磁场理论上是无限的，基于耦合的相对量，导线通常被称为接近的或者紧密的耦合，松散的耦合或者去耦合。
耦合器是形成用来利用耦合导线的装置，并且可以具有四个端口，一个用于两个耦合导线的每端。主导线具有直接或者间接连接到输入端口的输入部分。另一端连接到直接端口。另一或者辅助导线在耦合端口和隔离端口之间延伸。一个或者多个端口可以被终止以形成具有少于四个端口的耦合器装置。一些耦合器被描述具有两个输入端口，具有作为从输入端口接受到信号总和的信号的一个和端口，和具有作为在输入端口接受信号之差的信号的差端口。耦合器可以被反向，在这种情况下，隔离端口变成输入端口，输入端口则变成了隔离端口。相应的，然后耦合端口和直接端口具有相反的指定。
定向耦合器是具有四个端口的网路，其可以同时在所有端口被阻抗匹配。功率可以从一个或者另一个输入端口流入一对输出端口，并且如果输出端口被合适的终止，则输入端口对被隔离。混合式耦合器通常被假设将其输出功率在两个输出之间平均分配，但是定向耦合器，作为更常见的形式可具有不相等的输出。通常，耦合器对耦合的输出具有非常弱的耦合，其最小化了从输入到主输出的介入损耗。定向耦合器的一个质量测量是其方向性，所需耦合的输出与隔离端口输出的比值。
相邻的平行传输线电和磁耦合。该耦合本质上与频率成比例，并且如果磁和电的耦合相等的话方向性较高。更长的耦合区域会增加在导线之间的耦合，直到递增耦合的矢量和不再增加，并且耦合将随着以正弦形式增加的电长度减小。在许多的应用中，需要在宽频带中具有恒定的耦合。对称耦合器显示了在耦合输出端口之间固有的90度相位差，但是不对称耦合器具有接近0度或者180度的相位差。
除非铁氧体或者其它高导磁性材料被使用，在更高频率下的超过倍频程带宽通常可以通过级联耦合器实现。在一个一致的长耦合器中，当长度超过四分之一波长时，耦合下降，并且仅仅倍频程带宽对于+/-0.3dB耦合波动是可实现的。如果三个相等长度耦合器连接作为一个长的耦合器时，在两个外部部分在耦合上是相等的并且比中心耦合弱得多的情况下，产生一种带宽设计。在低频时，所有三个耦合器的耦合相加。在高频时，三个部分可结合以在中心频率得到减少的耦合，其中每个耦合器是四分之一波长。该设计可延伸到许多部分以获得非常大的带宽。
级联耦合器途径存在两个情况。第一是耦合器变得非常长并且有损耗，由于其组合长度在最低频带边缘处大于四分之一波长。而且，中心部分的耦合变得非常紧密，特别对于3dB多倍频程耦合器而言。X:1带宽的级联耦合器在其范围的高端处约为X四分之一波长。作为可替换的，已提出使用集总的但是通常是更高损耗的元件。
具有持续增加耦合的非对称耦合器在耦合区域的端部突然终止，其作用与对称耦合器不同。不是在输出端口之间的不变的90度相位差，而是可以实现接近0或者180度相位差。如果仅仅耦合的大小是重要的话，对给定带宽该耦合器可以比对称耦合器短，也许是其长度的三分之二或者四分之三。
这些耦合器，除集总元件型式外，采用在分级阻抗耦合器和变压器之间的类比进行设计。因此，耦合器以分级部分被制成，并且通常为多个部分的长度，每个分级部分具有中心设计频率的四分之一波长的长度。耦合器部分可被结合为平稳变化的耦合器。该设计理论上提高了高频截止，但是其没有减少耦合器的长度。
发明内容
耦合器装置可包括连接在一起的第一和第二电磁耦合器。在一些例子中，耦合器可以级联构造进行连接，其中第二耦合器包括以串联构造连接的至少第三和第四耦合器。在一些例子中，第一非对称耦合器可包括多个以级联构造连接的多个耦合器部分，并且第二耦合器以串联构造连接到第一耦合器上。在一些例子中，第一耦合器部分的直接端口可通过第二耦合器部分可传导的连接到第一耦合器部分的隔离端口上。在一些例子中，耦合器装置可包括第一和第二传输线，其分别具有电磁耦合在多个串联连接耦合器部分中的导体，这些部分具有大致相同的横截面构造的耦合部分和在相继耦合部分中逐渐更长或者更短的长度。
图1是多部分耦合器装置的示意图。
图2是以级联形式连接的两个耦合器所形成的耦合器装置的示意图。
图3是以串联形式连接的两个耦合器所形成的耦合器装置的示意图。
图4是另一个多部分耦合器装置的示意图。
图5是根据图4的耦合器装置制成的多部分耦合器装置的示意图。
图6是又一个多部分耦合器装置的示意图，其可以为图1，图4或者图5的耦合器装置的例子。
图7是图6的多部分耦合器装置的例子的顶视图，该装置采用电介质层分离的两个金属化层形成。
图8是沿着图7的线8-8所取的横截面视图。
图9是图7的耦合器装置的一个金属化层的平面图。
图10是图7的耦合器装置的另一个金属化层的平面图。
具体实施例方式
本说明是作为举例说明的并且在于所描述的装置和/或方法，而不限定为任何特定的发明或多个发明。本说明书所附的权利要求定义包括在一个或多个公开的例子中的具体的发明，无论这些权利要求是在申请时或者申请之后出现在本申请或者随后的申请中。没有单个特征或者部件，或者它们的结合对于现在或者以后是要求保护的所有可能结合是必要的。所有发明不可能包括在每个例子中。可以对公开的实施例进行许多变化。这些变化，无论它们是指不同的结合或者指同一结合，无论范围不同、更宽、更窄或者相同，也被认为包括在本发明的主题之中。
在首个元件或者其等同物被描述的情况下，这种使用包括一个或者多个这样的元件，既不需要也不排除两个或者更多这样的元件。而且，顺序指示，例如用于标识元件的第一，第二或者第三是用来区别元件，而不是指示这些元件的所需或者限制的数目，也不是指示这些元件的具体位置或者顺序，除非存在其它具体说明。
如在此文献中采用的，术语耦合器，耦合器装置和耦合器部分是可互换的，取决于所涉及装置的构造。例如，耦合器可以为单独装置，或者为可以称为耦合器装置的单独装置的一部分。而且，耦合器，耦合器装置和耦合器部分都可以为单独装置的部件。基本耦合器构件块可包括耦合部分，有或者没有导体的未耦合部分。形成基本耦合器部分的一对导体部分可以为设计频率的四分之一波长的整数倍。形成耦合器部分的导体部分可包括耦合部分和未耦合部分。为了减小长度，导体部分可为设计频率的波长的四分之一。而且，除非另外指明，术语耦合器装置，耦合器，耦合器部分，耦合部分和未耦合部分是指电磁耦合。
参见图1，示出了耦合器装置的例子，通常用20表示的耦合器装置包括第一耦合器22和第二耦合器24。第一耦合器22可以是非对称的并且包括多个耦合器部分26，例如以级联构造进行连接的耦合器部分28和30。耦合器22和耦合器部分26的任何一个可包括仅仅一个耦合器部分或者多个进一步的耦合器部分。第二耦合器24以串联构造连接到第一耦合器上。以级联和串联构造连接的耦合器的例子在图2和图3中示出。
图2示出了具有以级联构造连接的两个耦合器部分34和36的耦合器32的例子。耦合器32可包括第一和第二传输线38和40，这两个传输线38和40分别包括导体42和44。导体42和44在耦合器部分34中具有对应的耦合部分42a和44a，和耦合器部分36中的耦合部分42b和44b。
每个耦合器装置，耦合器或者耦合器部分可认为具有输入端口A和D，输出端口B和C，应当理解这还可包括相反的布置，其中端口B和C为输入端口，并且端口A和D为输出端口。端口A和B可传导的连接在一个导体上，并且端口C和D可传导的连接在另一个导体上。端口C可耦合到端口A上，并且端口D与端口A相隔离。相应的，端口A与端口D相隔离，并且端口B可耦合到端口D上。
参见图2，耦合器32具有输入端口A和D，和输出端口B和C。导体42的输入端口A可通过耦合器部分34和36可传导的连接到导体42的输出端口B上。耦合器部分34的输出端口B1传导的连接到耦合器部分36的输入端口A2上。类似的，输入端口D通过耦合器部分36和34可传导的连接到输入端口C上。耦合器部分36的输出端口C2可传导的连接到耦合器部分34和输入端口D1上。
图3示出了具有以串联构造连接的两个耦合器部分52和54的耦合器50的例子。耦合器50可包括第一和第二传输线56和58，传输线56和58分别包括导体60和62。耦合器50具有端口A，B，C，D；耦合器部分52具有端口A，B1，C1，D；并且耦合器部分54具有端口A2，B，C，D2。耦合器部分52包括耦合导体部分60a和62a；并且耦合部分54包括耦合导体部分60b和62b。
可以看出端口A传导的耦合到端口B，并且端口C传导的耦合到端口D。如在图2所示的级联构造中，耦合器部分52的端口B1可传导的连接到耦合器部分54的端口A2上。但是，耦合器部分52的耦合端口C1可传导的连接到耦合部分54的未耦合端口D2上。
再参见图1，耦合器装置20还包括传输线66和68，传输线66和68分别具有导体70和72。导体70和72具有形成耦合器部分28的耦合部分70a和72a，形成耦合器部分30的耦合部分70b和72b，形成耦合器部分24的耦合部分70c和72c。
如所提到的，耦合器部分28和30以级联形式耦合，以形成耦合器22。耦合器22包括端口A，B2，C1，D。耦合器24包括端口A3，B，C，D3。端口B2传导的连接到端口A3上，并且端口C1传导的连接到端口D3上。因此，耦合器22和24以串联构造连接在一起以形成具有端口A，B，C，D的耦合器装置20。
图4示出了耦合器装置的另一个例子，耦合器装置用80表示，其包括耦合器82和84。耦合器80还包括分别具有导体90和92的传输线86和88。耦合器82和84的每个或者两者可包括仅仅耦合导体部分的一部分或者多个耦合导体部分。耦合器装置80包括端口A，B，C，D；耦合器82包括端口A，B1，C1，D1；并且耦合器84包括端口A2，B2，C2，D。
传输线导体具有被耦合以形成对应耦合器的部分。具体来说，耦合器82可以由耦合导体部分90a和90b形成，形成称为自耦合耦合器的耦合器82。耦合器84可以由耦合导体部分90c和92a形成。相应的，耦合器82和84以修改的级联构造进行耦合，该修改的级联构造也可被称为返回回路构造，由于一个导体形成了回路94，其开始和结束在同一耦合器。可以看到耦合器84的导体部分90c在耦合器82的部分90a和90b之间。而且，端口A通过耦合器82和84两者传导的连接到端口B上。也就是说，耦合器82的直接端口通过耦合器84传导的连接到耦合器82的隔离端口上。这导致了耦合器82的输入和耦合端口通过耦合器84传导的连接。
图5示出了耦合器装置的又一例子，耦合器装置通常用100表示，其可以为耦合器20和32的修改的结合。耦合器装置100包括耦合器102和104。耦合器104可包括耦合器部分106和108。耦合器装置100可具有端口A，B，C，D。耦合器102可具有端口A，B1，C1，D1。耦合器104可具有端口A2，B3，C和D。耦合器部分106可具有端口A2，B2，C2和D。耦合器部分108可具有端口A3，B3，C和D3。
耦合器装置100可由分别具有导体114和116的第一和第二传输线110和112形成。耦合器102可由导体114的耦合部分114a和114b形成。耦合器106可由导体114的耦合部分114c和导体116的部分116a形成。而且，耦合器108可由导体部分114d和116b形成，如图所示。
可以看出耦合器102和104大致示出为修改的级联或者返回回路构造，类似于耦合器装置80的耦合器82和84。而且，耦合器部分106和108可以以串联构造耦合在一起，类似于耦合器50的耦合器部分52和54。
现在参见图6，更复杂耦合器装置的例子通常120被示出。耦合器装置120包括以修改的级联或者返回回路构造耦合的耦合器122和124，类似于图4中示出的耦合器装置80或者图5中示出的耦合器装置100。耦合器124可包括以串联形式连接的耦合器126和128，分别类似于图1和3所示的耦合器装置20和50。而且耦合器126可包括多个耦合器部分，例如以级联构造连接的耦合器部分130，132和134，类似于图2中所示的构造。
在该例子中，耦合器装置120具有端口A，B，C，D。耦合器122具有端口A1，B1，C1，D1。耦合器124具有端口A2，B5，C(C5)，D(D4)。耦合器126具有端口A2，B4，C2，D(D4)。耦合器128具有端口A5，B5，C5，D5。耦合器部分130具有端口A2，B2，C2，D2。耦合器部分132具有端口A3，B3，C3，D3。耦合器部分134具有端口A4，B4，C4，D4。
如图所示，耦合器装置120进一步由分别包括导体140和142的第一和第二传输线136和138形成。导体140包括导体部分140a，140b，140c，140d，140e和140f的串联构造。导体142包括导体部分142a，142b，142c和142d的串联构造。耦合器122由耦合导体部分140a和140f形成。耦合器128由耦合部分140e和142d形成。耦合器部分130由耦合部分140b和142c形成。耦合器部分132由耦合部分140c和142b形成。最后，耦合器部分134由耦合部分140d和142a形成。
在该例子中，三个延迟装置144包括在传输线140中。第一延迟装置146设置在耦合器部分端口B2和A3之间。第二延迟装置148设置在耦合器部分端口B4和耦合器端口A5之间。第三延迟装置150设置在耦合器端口B5和D1之间。此外，可以有将端口C5耦合到耦合器装置输出端口C的移相器152，如图所示。延迟装置146和移相器152可在输出端口B和C处提供信号相对相位的调整。而且，延迟装置还包括在相邻耦合器或者耦合器部分之中，如图7-10描述的例子中所示的。
在图7-10中示出了这种耦合器120的例子。在所示的具体的例子中，在端口B和C上输出的信号上存在180度的相位差，在输出端口上的信号的功率水平可以是相等的，使得耦合器装置为180度混合式耦合器。该构造的变化可提供耦合器的其它形式。图7是对应于图6的耦合器装置的耦合器装置120的平面图。用于耦合器装置120的附图标记使用在图7-10中以用于图6中所示对应部件。图8是沿着图7的线8-8的横截面并且示出了耦合器装置120的多个层的示例。图9是耦合器装置120的第一传导层154的平面图，如沿着图8的线9-9所观察的。图10是第二传导层156的平面图，如在传导层和两个传导层间的衬底之间的过渡处沿着图8的10-10线所观察的。耦合器装置120被调节以运行在选择的频率下。例如可以实现在大约100MHz到大约10GHz范围内的运行频率，这取决于制造公差。
如图8所示，耦合器装置120可包括第一中心电介质层158。层158可为单层或者具有相同或者不同介电常数的多个层的结合。在一个例子中，中心电介质层小于10密耳厚度并且由聚四氟乙烯树脂形成，例如由商标TEFLONTM表示的。可选择的，电介质可小于10密耳厚度，例如大约5密耳厚度。
第一传导层154可设置在中心电介质层158的顶面158a上，并且第二传导层156设置在中心电介质层的底面158b上。可选择的，传导层可以为自支撑，或者一个或多个支撑电介质层可设置在层154之上和/或层156之下。
第二电介质层160可设置在传导层154的上面，并且第三电介质层162可设置在传导层156下面，如图所示。电介质层160和162可以为任何合适的电介质材料或者介质。在一些例子中，空气可以为在此描述的一个或者多个电介质层的整体或者部分。在高功率应用中，在耦合部分的狭窄迹线中的加热可能是显著的。氧化铝或者其它热传导材料可使用于电介质衬底160和/或162以支撑(多个)传导层，并且在增加容量的同时作为热分流器。
电路的地或者其他基准电位可通过对应的传导层164和166提供在第二和第三电介质层的每侧上。层164和166可分别与电介质层160和162相接触。
导体140主要在传导层154外形成，导体的端部在传导层156外形成。两个层面通过延伸通过电介质层158的传导通孔163相互连接。形成端口A的导体140在传导层154中延伸，从邻近电介质层158的边缘通过第一组通孔163到传导层156和耦合器122。形成端口B的导体140在传导层154中延伸并且直接通过耦合器122，沿着延迟装置150到第二组通孔，然后到传导层156上。导体140的其余部分从传导层156形成。
在耦合器122中，耦合导体部分140a和140f全面的耦合，并且设置在电介质层的相对侧上。耦合器122还包括半岛状的接头片168和170，其较宽的外部通过薄的颈状部连接到对应导体部分140a和140f的中心上。该接头片相对于耦合导体部分在相对方向上延伸。该外部电容地耦合到导体140的相邻部分上，以及到对应的地层164和166上。这种耦合器在2005年6月9日公开的美国专利申请公开号No.2005/0122185中描述出，该公开在此作为参考进行结合。该耦合部分的横截面，忽略半岛状的接头片，类似于导体部分140d和142a的图8中所示的构造，但是其宽度小于该图中所示的宽度W。
耦合器和耦合器部分122，128，130，132和134形成了由未耦合部分分开的一系列耦合部分，如在2004年12月30日公开的美国专利申请公开No.2004/0263281中描述的那样，该公开在此作为参考进行结合。耦合器包括耦合部分和相邻的未耦合部分，该耦合器可具有有效的电长度，该电长度等于在耦合部分中的两个导线的电长度和在未耦合部分中的导线的电长度之和。耦合导体的一个或者两个可包括延迟部分。该电长度定义为导线长度除以工作频率的波长。在耦合器中仅仅有一条导线具有延迟部分的情况下，未耦合部分的长度等于耦合部分之间的空间的长度(较短未耦合部分的长度)加上延迟部分的长度。在耦合器部分中的仅仅一个导体中的延迟部分使得对于两个导体而言导线长度不同，使得耦合器部分不对称。
因此，耦合器122包括由导体部分140a和140f形成的耦合部分172，以及未耦合部分174。未耦合部分174包括形成导体140中的延迟装置150的导体部分140g，和基本不耦合到导体部分140g的导体部分140h。在耦合部分172中的导体部分看起来非常短，从而使得耦合器122的被表征为具有较低的耦合值。
耦合器124由耦合器126和128组成。耦合器126再由串联连接耦合器部分130，132和134组成，如参见图6已经描述的。耦合器部分130包括耦合部分176和未耦合部分178。耦合部分176由具有如图8所示的全面耦合构造的耦合导体部分140b和142c及耦合长度L1组成。未耦合部分178包括形成延迟装置146的导体部分140i，和导体部分142e组成，该导体部分140e基本上没有耦合到导体部分140i上。耦合器部分130还包括电容的半岛状接头片180和182，它们从耦合导体部分的中心在相对方向上延伸。这些接头片具有扩大的外部，此外部可电容地耦合到相与合部分的每端相邻的对应的导体上，如图所示的，以及耦合到上述的对应的地层上。
耦合器部分132包括耦合部分184和未耦合部分186。耦合部分184由具有如图8所示的全面的耦合构造的耦合导体部分140c和140b及耦合长度L2组成。未耦合部分186包括未耦合导体部分140j和142f。耦合器部分132还包括从耦合导体部分的端部延伸的电容的半岛状接头片。具体来说，接头片188和190从导体部分140c的端部延伸，并且接头片192和194从导体部分142b的端部延伸。如图所示，每个接头片188和192的外边缘电容地耦合到与耦合部分每端相邻的对应的导体上，以及耦合到上述的对应的地层上。
耦合器部分134包括耦合部分196，但是没有额外的未耦合部分。耦合部分196由具有如图8所示的全面的耦合构造的耦合导体部分140d和142a及耦合长度L3组成。耦合器部分134还包括从耦合导体部分的端部开始在相对方向上延伸的电容的半岛状接头片。具体来说，接头片198和200从导体部分140d的端部延伸，并且接头片202和204从导体部分142a的端部延伸。
可看到在耦合器部分130，132和134中长度L1，L2，L3在尺寸上逐渐增大。该变化提供了使得耦合器126成为不对称的耦合器的级联构造。在其它构造中，尺寸可以相同，为对称的，在尺寸上逐渐减少，或者从一个耦合器部分到下一个尺寸上简单改变。在这些耦合器部分的每个中，耦合导体部分的构造可以相同，如图8中所示。然后由每个耦合部分提供的耦合可以由耦合部分的长度所确定。更长的耦合部分提供更紧密的耦合。在该例子中，可以看到电磁耦合从耦合器部分130到耦合器部分134，甚至到耦合器部分128上逐渐增加。相应的，可以看到电容的接头片在耦合器部分130，132和134中尺寸逐渐减少。这些接头片可用来均衡奇偶模式的信号传播，这些模式由相关的耦合器和耦合器部分的对应构造所影响。
在示出的例子中，形成延迟部分148的导体部分140k、和导体部分142g以串联构造连接耦合器128到耦合器126上，如已经描述的。延迟装置148有助于在耦合器装置中的180度相位改变，并且提供给耦合器128合适的延迟量以良好作用。耦合器128的导体部分140e和142d可全面耦合并且具有如图8所示的横截面构造。耦合导体部分140e和142d具有长度L4。延迟装置150连接端口B5到耦合器122的端口D1上。导体部分142m从耦合导体部分142d的端部延伸到耦合器装置120的端口C上。
耦合器128还包括从耦合导体部分的端部延伸的电容性半岛状接头片。具体来说，接头片206和208从导体部分140e的端部延伸，并且接头片210和212从导体部分142d的端部延伸。如图所示，这些接头片的每个的外缘电容耦合到在相关的耦合部分的每端处的对应导体上，以及耦合到如上所述的对应的地层上。
在该例子中，移相器152包括导体部分142m的中间部分142n，其电容的耦合到导体部分的相邻部分上。薄导体214从导体部分142n延伸到终端216上，从终端开始薄导体214可连接到基准电位上，例如电路的地。导体部分142n提供了线内电容到导体部分142m，并且导体214提供电感。导体部分142m和142n及导体214的构造提供了串联-C、分路-L、串联C电路，串联C电路导致在设计运行频率下端口C处信号中的合适相移，以与其他方式产生的相差相结合而提供在耦合器装置120的端口B和C上的信号之间180度的相差。移相器可在耦合器装置的给定带宽上使得相位相对不变，当在没有移相器的情况下会倾斜。进一步的电容短截线或者接头片218从邻近端口C的导体部分142m的远端延伸。
所描述的每个耦合器或者耦合器部分可单独作为耦合器，或者在其它耦合器装置中使用。例如，耦合器126还可单独使用作为多部分的0-180度非对称混合耦合器。而且，以串联形式将耦合器126和耦合器128结合而形成的耦合器124可单独使用作为多部分的0-180度非对称混合耦合器。耦合器124的性能相比于耦合器126可得到提高。例如，耦合器128的增加会加宽运行带宽并且减少在带宽中的脉动。而且，耦合器装置120的性能相比耦合器124可得到提高。耦合器122提供额外较松的耦合和延迟，这些进一步增加带宽和减少脉动。
如已经描述的，虽然耦合器部分，耦合器，耦合器装置和耦合信号方法的实施例已经具体示出和描述时，但在此可以进行许多变化。
工业应用性在本发明中所描述的方法和装置可应用到采用高频信号的工业上和系统中，例如使用在包括音频、视频和数据通信的电信应用和广播系统中。
权利要求
1.一种耦合器装置，其包括以级联构造连接的至少第一和第二电磁耦合器，其中至少第二耦合器包括以串联构造连接的至少第三和第四耦合器。
2.如权利要求1所述的耦合器装置，其中第一、第三和第四耦合器中的至少一个包括以级联构造连接的多个耦合器部分。
3.如权利要求2所述的耦合器装置，其中所述一个耦合器为第三耦合器。
4.如权利要求3所述的耦合器装置，其中所述第三耦合器为非对称耦合器。
5.如权利要求2所述的耦合器装置，其中所述一个耦合器的耦合器部分包括由电磁未耦合部分分开的电磁耦合部分。
6.如权利要求5所述的耦合器装置，其中所述耦合部分由以大体上相同的横截面构造进行设置的两个导体所形成，所述两个导体在相继的耦合部分上具有逐渐变长或者变短的电长度。
7.如权利要求6所述的耦合器装置，其中所述一个耦合器包括三个耦合器部分。
8.如权利要求1所述的耦合器装置，其中第一耦合器具有输入端口和耦合端口，耦合端口电磁耦合到第一耦合器部分中的输入端口上并且通过第二耦合器部分传导地连接到输入端口上。
9.一种耦合器装置，其包括包括以级联构造连接的多个耦合器部分的第一非对称电磁耦合器，所述多个耦合器部分包括由电磁未耦合部分分开的至少一对电磁耦合部分；和以串联构造连接到第一耦合器上的第二电磁耦合器。
10.如权利要求9所述的耦合器装置，其中所述耦合部分由以大体上相同的横截面构造进行设置的两个导体所形成，所述两个导体在相继的耦合部分上具有逐渐变长或者变短的电长度。
11.如权利要求10所述的耦合器装置，其中第一耦合器包括三个耦合器部分，这些耦合器部分包括由未耦合部分分开的耦合部分。
12.一种耦合器装置，其包括具有输入端口，直接端口，耦合端口和隔离端口的第一电磁耦合器部分；和具有输入端口，直接端口，耦合端口和隔离端口的至少第二电磁耦合器部分；第一耦合器部分的直接端口通过至少第二耦合器部分传导地连接到第一耦合器部分的隔离端口上。
13.如权利要求12所述的耦合器装置，进一步包括第三电磁耦合器部分，第一耦合器部分的直接端口还通过第三耦合器部分传导地连接到第一耦合器部分的隔离端口上。
14.如权利要求13所述的耦合器装置，其中第二和第三耦合器部分以级联构造进行连接。
15.如权利要求14所述的耦合器装置，其中第二和第三耦合器部分形成非对称耦合器。
16.如权利要求13所述的耦合器装置，其中第二和第三耦合器部分以串联构造进行连接。
17.如权利要求16所述的耦合器装置，其中第二和第三耦合器部分形成一个耦合器，并且第一耦合器部分以级联构造连接到此耦合器上。
18.一种耦合器装置，其包括包括第一导体的第一传输线，所述第一导体具有至少第一，第二和第三部分，所述第一部分电磁耦合到第二部分上；和包括第二导体的第二传输线，所述第二导体具有至少第一部分，所述第一部分电磁耦合到第一导体的第三部分上。
19.如权利要求18所述的耦合器装置，其中第一导体的第三部分在第一导体的第一和第二部分之间。
20.如权利要求19所述的耦合器装置，其中存在电磁耦合到第二导体的第二部分上的第一导体的第四部分，第一导体的第四部分位于第一导体的第二和第三部分之间。
21.如权利要求20所述的耦合器装置，其中具有在第一导体的第一和第三部分之间的第一导体的至少第五部分，和在第二导体的第一和第二部分之间的第二导体的至少第三部分，第一导体的第五部分电磁耦合到第二导体的第三部分上。
22.一种耦合器装置，其包括第一和第二传输线，所述第一和第二传输线分别包括电磁耦合在多个串联连接的耦合器部分中的第一和第二导体，每个耦合器部分包括第一和第二导体电磁耦合的耦合部分和第一和第二导体基本上未电磁耦合的未耦合部分，并且导体在每个耦合部分中具有大体上相同的横截面构造，和在相继的耦合部分中逐渐变长或者变短的长度。
23.如权利要求22所述的耦合器装置，其中所述多个耦合器部分包括至少三个耦合器部分。
24.如权利要求23所述的耦合器装置，其中第一和第二导体在未耦合部分的至少一个中具有不相等的长度，并且在未耦合部分的至少一个中具有相等的长度。
25.如权利要求22所述的耦合器装置，其中第一和第二导体在未耦合部分的至少一个中具有不相等的长度。
26.如权利要求22所述的耦合器装置，其中第一和第二导体在未耦合部分的至少一个中具有相等的长度。
全文摘要
一种耦合器装置可包括连接在一起的第一和第二电磁耦合器。在一些例子中，耦合器以级联构造进行连接，其中至少第二耦合器包括以串联构造连接的至少第三和第四耦合器。在一些例子中，第一非对称耦合器可包括以级联构造连接的多个耦合器部分，和以串联构造连接到第一耦合器上的第二耦合器。在一些例子中，第一耦合器部分的直接端口可通过第二耦合器部分传导的连接到第一耦合器部分的隔离端口上。在一些例子中，耦合器装置可包括第一和第二传输线，这些传输线分别具有电磁耦合在多个串联连接的耦合器部分中的导体，这些部分具有大体上相同的横截面的耦合部分，并且在相继的耦合部分中其长度逐渐变长或者变短。
文档编号H01P5/18GK1967932SQ200610149218
公开日2007年5月23日 申请日期2006年11月17日 优先权日2005年11月17日
发明者A·F·波德尔 申请人:韦拉托内有限公司