专利名称：发光二极管的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管的封装结构，特别是涉及一种将发光 二极管晶片配置于二导线架所形成的低陷空间中，且功能区具有足够支撑 发光二极管晶片厚度，形成超薄型发光二极管的发光二极管晶片的封装结 构。
背景技术：
发光二才及管(Light Emitting Diode, LED)其具有体积小、反应速度 快、耗电量低、使用寿命长且不含水银等优点，因而被广泛的应用在电子 产品中。例如，手机面板的照明设备或其它显示装置的发光源。发光二极 管应用在上述的产品时，由于其具有体积小的优点，故符合时下电子产品 的轻、薄、短、小的发展趋向。封装业者目前已经研发出表面粘着零件(surface mount device)的封 装技术，以降低封装后的发光二极管所产生的体积问题。然而，现有技术 的表面粘着零件的封装型式是将二极管晶片配置于导线架上，故二极管晶 片封装后依然具有一定的厚度，而不符合当前电子产品轻、薄、短、小发 展趋向的需求。由此可见，上述现有的发光二极管封装结构在结构与使用上，显然仍 存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相 关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被 发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相 关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的发光二极管的封装结 构，减少发光二极管的封装厚度，进而提供一种超薄型的发光二极管，为现 今封装业者所期盼的愿望，是当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极 需改进的目标。有鉴于上述现有的发光二极管封装结构存在的缺陷，本设计人基于从 事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及其专业知识，并配合学理的运 用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的发光二极管的封装结构，能够改进一般现有的发光二极管封装结构，使其更具有实用性。经过不断的研 究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实 用新型。 发明内容本实用新型的目的在于，克服现有的发光二极管封装结构所存在的缺 陷，而提供一种新型的发光二极管的封装结构，所要解决的技术问题是使其 可以提供一种超薄型的发光二极管，更加适于实用。本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种发光二极管的封装结构，其至少包含 一第 一导线架，具有一第一功能区，其中该第一功能区是低陷于该第一导线架之 中； 一第二导线架，具有一第二功能区，其中该第二功能区是低陷于该第二导线架之中，且配置对应于该第一功能区，以与该第一功能区形成一低陷空间；以及一发光二极管晶片，配置于所形成的该低陷空间中，其中该发光 二极管晶片具有二电极点，分别电性连接至该第 一功能区以及该第二功能 区。本实用新型的目的及解决其技术问题还可以可采用以下的技术措施来 进一步实现。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的第一导线架的高度与该第 二导线架的高度约相同。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的第一功能区的厚度与该第 二功能区的厚度约相同。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的第 一功能区以及该第二功 能区具有一平坦表面，用以配置该发光二极管晶片。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的第一功能区以及该第二功 能区具有足够支撑该发光二极管晶片的一厚度。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的第一功能区以及该第二功 能区的该厚度是小于或等于该第一导线架的高度的一半。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的该些电极点更包含焊点，用 以分别电性连接该些焊点与该第 一功能区以及该第二功能区。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的该些电极点更包含焊点，用 以分别电性连接该些焊点与该第 一功能区以及该第二功能区。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的该些焊点是为锡晶粒或金 锡晶粒。前述的发光二极管的封装结构，其中所述的该些焊点是为锡晶粒或金 锡晶粒。本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。经由以上可 知，为了达到上述目的，本实用新型提出一种发光二极管的封装结构，其包 含一第一导线架、 一第二导线架以及一发光二极管晶片。该第一导线架具 有一第一功能区，以及该第二导线架具有一第二功能区。其中，第一功能区
是低陷于第一导线架的其它部分，以及第二功能区是低陷于第二导线架的 其它部分，且配置对应于第一功能区，以与第一功能区形成一低陷空间。第 一功能区以及第二功能区具有足够支撑发光二极管晶片的厚度。在一范例 中，第一功能区及第二功能区县有一厚度，以及第一导线架与第二导线架具 有一高度，第一功能区及第二功能区的厚度为小于或等于高度的一半。该发 光二极管晶片，配置于所形成的低陷空间中，具有二电极点，分别电性连 接至第一功能区以及第二功能区。例如，第一功能区以及第二功能区具有 一平坦表面，使得发光二极管晶片是水平配置于所形成的低陷空间中。借由上述技术方案，本实用新型发光二极管的封装结构至少具有下列优点本发明的实施例所述的发光二极管的封装结构，其是将发光二极管 晶片配置于相对设置的两导线架的功能区上，以及二导线架的功能区分别 电性连接至发光二极管晶片的电极点，且功能区是低陷于导线架的其它部 分，而可以提供一超薄型的发光二极管。综上所述，本实用新型相较传统的发光二极管封装结构将发光二极管 配置于一导线架上，本实用新型发光二极管的封装结构是将发光二极管晶 片配置于二导线架所形成的低陷空间中，其中，低陷空间为功能区，且功能 区具有足够支撑发光二极管晶片的厚度，因此提供了一种超薄型的发光二 极管。其具有上述诸多优点及实用价值，不论在产品结构或功能上皆有较 大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现 有的发光二极管封装结构具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有 产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实 用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用 新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施 例，并配合附图，详细说明如下。
图IA是绘示依照本实用新型-上视图。图IB是绘示依照本实用新型-一侧视图。100:发光二极管的封装结构103、 105:其它部分106:第一功能区110:发光二极管晶片114:低陷空间较佳实施例的发光二极管的封装结构的较佳实施例的发光二极管的封装结构的102:第一导线架 104:第二导线架 108:第二功能区 112:电极点 116:导线架的高度
118:功能区的厚度具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及 功效，
以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的发光二极管的 封装结构其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参阅图1A所示，是绘示依照本实用新型一较佳实施例的发光二极管 的封装结构的上视图。本实用新型较佳实施例的一种发光二极管的封装结 构IOO,包含一第一导线架102、 一第二导线架104以及一发光二极管晶片 110。上述的第一导线架102，具有一第一功能区106,该第二导线架104具 有一第二功能区108。第一功能区106是低陷于第一导线架102的其它部分 103。第二功能区108是^^陷于第二导线架104的其它部分105。例如，第一 导线架102以及第二导线架104可为一半蚀(etching)的导线架，或为一打 凹(punched)的导线架。请参阅图1B所示，是绘示依照本实用新型一较佳实施例的发光二极管 的封装结构IOO的一侧视图，并请同时参阅图1A所示，本实用新型一较佳 实施例的发光二极管的封装结构100，其第一功能区106配置对应于第二功 能区108，以与第二功能区108形成一j氐陷空间114。第一功能区106以及 第二功能区108具有一厚度118。例如，第一导线架102的高度116与第二 导线架104的高度116约相同、第一功能区106的厚度118与第二功能区 108的厚度118约相同，以及第一功能区106与第二功能区108具有一平坦 表面，用以配置发光二极管晶片110，使得发光二极管晶片是水平配置于所 形成的低陷空间114中。其中，第一功能区106以及第二功能区108具有 足够支撑发光二极管晶片110的厚度118。例如，第一功能区106以及第二 功能区108的厚度118为小于或等于高度116的一半。上述的发光二极管晶片110，配置于第一功能区106以及第二功能区 108上。发光二极管晶片IIO具有两个电极点112(如图1A中所示)。该两 个电极点112分别是为发光二极管晶片110的正极点(P极)以及负极点(N 极)。该每一个电极点112更包含有一焊点位于其上，以分别电性连接至第 一功能区106以及第二功能区108。例如，该焊点可为一锡晶粒或一金锡晶 粒，以及该发光二极管晶片IIO的P极与正极电性连接，发光二极管晶片110 的N极与负极电性连接。由上述本实用新型的实施例可知，应用本实用新型具有下列优点相较 于传统的发光二极管封装结构将发光二极管配置于一导线架上，本实用新 型发光二极管的封装结构是将发光二极管晶片配置于二导线架所形成的低
陷空间中。其中，低陷空间为功能区，且该功能区具有足够支撑发光二极 管晶片的一厚度(例如，厚度为小于或等于导线架的高度的一半)。因此，本 实用新型发光二极管的封装结构形成为 一超薄型的发光二极管。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作 任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非 用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技 术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同 变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实 用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均 仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1、一种发光二极管的封装结构，其特征在于其至少包含一第一导线架，具有一第一功能区，其中该第一功能区是低陷于该第一导线架之中；一第二导线架，具有一第二功能区，其中该第二功能区是低陷于该第二导线架之中，且配置对应于该第一功能区，以与该第一功能区形成一低陷空间；以及一发光二极管晶片，配置于所形成的该低陷空间中，其中该发光二极管晶片具有二电极点，分别电性连接至该第一功能区以及该第二功能区。
2、 根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所述的第一导线架的高度与该第二导线架的高度相同。
3、 根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所 述的第一功能区的厚度与该第二功能区的厚度相同。
4、 根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所 述的第 一功能区以及该第二功能区具有一平坦表面，用以配置该发光二极 管晶片。
5、 根据权利要求1至4中任一权利要求所述的发光二极管的封装结 构，其特征在于其中所述的第一功能区以及该第二功能区具有足够支撑该 发光二极管晶片的一厚度。
6、 根据权利要求5所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所 述的第一功能区以及该第二功能区的该厚度是小于或等于该第一导线架的 高度的一半。
7、 根据权利要求1至4中任一权利要求所述的发光二极管的封装结 构，其特征在于其中所述的该些电极点更包含焊点，用以分别电性连接该些 焊点与该第 一 功能区以及该第二功能区。
8、 根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所 述的该些电极点更包含焊点，用以分别电性连接该些焊点与该第一功能区 以及该第二功能区。
9、 根据权利要求1至4中任一权利要求所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所述的该些焊点是为锡晶粒或金锡晶粒。
10、 根据权利要求8所述的发光二极管的封装结构，其特征在于其中所 述的该些焊点是为锡晶粒或金锡晶粒。
专利摘要本实用新型是有关于一种发光二极管的封装结构，其包含一第一导线架、一第二导线架以及一发光二极管晶片。该第一导线架具有一第一功能区，该第二导线架具有一第二功能区。其中，第一功能区是低陷于第一导线架其它部分，第二功能区是低陷于第二导线架的其它部分，且配置对应于第一功能区，以与第一功能区形成一低陷空间。该发光二极管晶片，配置于所形成的低陷空间中，具有二电极点，分别电性连接至第一功能区及第二功能区。相较于现有技术将发光二极管配置于一导线架上，本实用新型是将发光二极管晶片配置于二导线架所形成的低陷空间中，其中，低陷空间为功能区，且功能区具有足够支撑发光二极管晶片的厚度，因此提供了一种超薄型的发光二极管，非常适于实用。
文档编号H01L33/00GK201025615SQ20072000034
公开日2008年2月20日 申请日期2007年1月25日 优先权日2007年1月25日
发明者庄世任, 张正宜, 林明魁, 林治民, 谢忠全 申请人:亿光电子工业股份有限公司