专利名称：锑化铟霍尔元件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种霍尔元件。
背景技术：
现在在市场上的锑化铟(InSb)霍尔元件通常是使用两次光刻，在 光刻"十"字形锑化铟(InSb)感知膜表面再光刻金电极图形，在"十" 字形锑化铟感知膜表面没有任何保护，这样的霍尔元件稳定性差，锑化 铟感知膜容易损伤。发明内容为了克服上述缺陷，本实用新型提供一种锑化铟霍尔元件，这种锑 化铟霍尔元件感知膜不会损伤、性能稳定且成本较低。本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术问题是 一种锑化铟 霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、"十"字形锑化铟感 知膜和金电极组成，"十"字形锑化铟感知膜上覆盖有"十"字形液体树 脂保护膜，"十"字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于"十"字形锑化铟 感知膜图形尺寸，以便于"十"字形锑化铟感知膜的四端露出于"十" 字形液体树脂保护膜之外与金电极相接。"十"字形液体树脂保护膜的"十"字宽度大于"十"字形锑化铟 感知膜的"十"字宽度，可更好地保护"十"字形锑化铟感知膜。
本实用新型的有益效果是由于十"字形锑化铟感知膜表面加上-层"十"字形液体树脂(PIX)保护膜，对"十"字形锑化铟感知膜表面 起到保护作用，这样"十"字形锑化铟感知膜就不易损坏，保证霍尔元 件稳定的特性；又加液体树脂(PIX)保护膜的方法与加锑化铟感知膜类 似，因此简单易行，不需另行增加生产设备，成本较低。
图1为本实用新型所述十"字形锑化铟感知膜和"十"字形液体树 脂保护膜叠加示意图；图2为本实用新型的示意图。
具体实施方式
实施例 一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝 缘层、"十"字形锑化铟感知膜和金电极组成，"十"字形锑化铟感知 膜1上覆盖有"十"字形液体树脂保护膜2，"十"字形液体树脂保护膜 图形尺寸稍小于"十"字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于"十"字形 锑化铟感知膜的四端露出于"十"字形液体树脂保护膜之外与金电极3 相接。"十"字形液体树脂保护膜的"十"字宽度大于"十"字形锑化铟 感知膜的"十"字宽度，可更好地保护"十"字形锑化铟感知膜。 本实用新型制造方法如下 锑化铟高灵敏度型霍尔器件芯片的生产原材料是从日本进口的镍 锌材料基板，直径60咖、厚度是0.3mm，经过涂料工艺(旋转涂料机) 或者溅射工艺在圆片表面生成二氧化硅(Si02)，形成绝缘层，在绝缘层
表面使用日本ULVAC公司的蒸膜机蒸着一层锑化铟(InSb)导电层，锑化铟导电层的性能直接影响锑化铟高灵敏度型霍尔器件的特性，所以在 蒸着是对InSb和Sb的重量比例(比例是8: 1)、真空度(6X10'pa以下)和热处理温度(根据产品外观及特性来调整)等条件都有相当严格 的要求，蒸着完成的芯片进行锑化铟(InSb)导电层性能测试，对不同 性能的芯片进行档次分类，不同档次的芯片用不同尺寸的锑化铟(InSb) 导电层图形来进行校正，所其性能尽量达到^一致；进行锑化铟(InSb)导电层光刻、在光刻前预先在蒸着完成的InSb 表面旋转涂布一层光刻胶(5500rpm、 37. 5sec)， 9(TC烘千以后进行"十" 字形锑化铟感知膜光刻。光刻好的产品在与光刻胶相配套的显像液中显 像(显像液水=1: 1、液体温度=24匸 26匸、显像时间=80秒)，在光 刻时照到紫外线的地方，光刻胶进行清洗掉，留下"十"字形的光刻胶 图形。9CTC烘干以后进行第一次腐蚀，第一腐蚀液是乳酸硝酸二5: 1(体积比)、腐蚀液温度二27。C 29。C、腐蚀时间二240 sec，没有光刻胶 的地方锑化铟感知膜就会腐蚀掉，只留下"十"字形的光刻胶图形和其 底下的"十"字形锑化铟感知膜。然后进行第二次腐蚀，第二次腐蚀是 对第一次腐蚀的图形进行完整修补，第二腐蚀液是盐酸，时间二300 sec。 第二次腐蚀以后在丙酮中进行光刻胶清除，就形成"十"字形锑化铟感 知膜；进行液体树脂(PIX)保护膜形成，在形成"十"字形锑化铟感知 膜的基板表面旋转转涂布一层液体树脂(PIX)保护膜(7000rpm、24sec)、 经过140。C和2小时的烘干。再在液体树脂(PIX)保护膜表面旋转转涂 布一层光刻胶(3000rpm、 24sec)、 9(TC烘干以后在"十"字形锑化铟感
知膜上进行"十"字形液体树脂(PIX)保护膜光刻("十"字形PIX保护膜图形尺寸是460um，"十"字形锑化铟感知膜图形尺寸是580 pm ， "十"字形液体树脂保护膜图形尺寸比"十"字形锑化铟感知膜图形要 窄一点，PIX保护膜"十"字的宽度是衡m、锑化铟感知膜"十，，字 的宽度是150um，液体树脂保护膜"十"字的宽度要宽 点)。光刻好 的产品在与光刻胶相配套的显像液中显像(显像液水=1: 1、液体温度=24°C 26°C、显像时间90sec)，在光刻时照到紫外线的地方，液体树 脂保护膜和光刻胶进行清洗掉，留下"十"字形的光刻胶图形(PIX保 护膜和光刻胶)。然后再在醋酸丁中清洗掉剩余的光刻胶，就在"十"字 形锑化铟感知膜表面形成"十"字形液体树脂保护膜；在形成"十"字形锑化铟感知膜和"十"字形液体树脂保护膜的基 板表面涂布一层光刻胶进行烘干，与"十"字形锑化铟感知膜和"十" 字形液体树脂保护膜光刻口平行接触处进行四个金电极图形光刻，在每 个金电极图形以内的部分用紫外线进行照射，接着放入显像液中显像、 清除金电极图形以内的光刻胶，形成四个金电极图形，(金电极图形以外 留有光刻胶)；7)金电极图形形成以后进行金电极蒸着，在芯片表面依 次蒸着 一层0.08txm的Cr、 0. 77 u m的Au，蒸着完成后金电极图形以 外部分的金用胶带、丙酮等去除(因为在蒸金之前金电极图形以外部分 有一层光刻胶，即"十"字形液体树脂保护膜表面及两两相邻金电极间 覆盖有光刻胶、覆盖在光刻胶表面的Cr和Au—并去除)，即形成四个金 电极，再进行芯片性能测试及表面外观检査；然后芯片进行划片、切割、在四个金电极上使用金丝球焊连接、进 行超小型封装、进行电镀处理以后就形成了特性稳定、结构紧凑的InSb 高灵敏度型霍尔器件。本例所述的"十"字形液体树脂保护膜中的液体树脂生产r家是曰本曰立化成公司，"十"字形液体树脂保护膜又称"十"字形PIX保护膜。
权利要求1.一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，其特征是“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸。
2. 根据权利要求1所述的锑化铟霍尔元件，其特征是"十"字 形液体树脂保护膜的"十"字宽度大于"十"字形锑化铟感知膜的"十" 字宽度。
专利摘要本实用新型公开了一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极相接。由于十”字形锑化铟感知膜表面加上一层“十”字形PIX保护膜，对“十”字形锑化铟感知膜表面起到保护作用，这样“十”字形锑化铟感知膜就不易损坏，保证霍尔元件稳定的特性；又加PIX保护膜的方法与加锑化铟感知膜类似，因此简单易行，不需另行增加生产设备，成本较低。
文档编号H01L43/04GK201017910SQ20072003648
公开日2008年2月6日 申请日期2007年3月26日 优先权日2007年3月26日
发明者西垣诚 申请人:昆山尼赛拉电子器材有限公司