专利名称：被破坏低k介电膜层去除的方法
技术领域：
本发明大致上涉及半导体基片处理，更具体地，涉及用于在制置。 ''土 '、 、、， 一 、背景技术
过去数十年中集成电路(IC)特征不断缩减，从而使IC 芯片的性能大大改进。其结果是芯片器件速度和密度的增加。IC内 电信号的速度取决于单个晶体管的开关时间(晶体管门延迟)以及 晶体管之间的信号传输时间(电阻-电容延迟，或RC延迟)。随着 晶体管特征持续地减小尺寸以及密度不断地增加，曾经影响甚小的 RC延迟目前已开始在芯片性能中4分演重要角色。可通过在互连线 路内使用高传导率的金属以降低阻抗和/或通过在中间级(inter level)介电层内使用低介电常数金属以减小电容，从而降低RC延 迟。除了降低RC延迟之外，低k介电材料可消耗较少的电量并减 少互连特征之间的电容耦合，也称之为串4尤(crosstalk )。
具有数种介电常数范围在2.5至4.0之间的可用的低k介 电材料。但是，随着特征尺寸持续减小，需要超低k ( ultra-low-k ) 介电材料。该超低k介电材料可通过低k介电材料与氟基或碳基化合物相掺杂而获得，或者通过将孔隙引入分隔互连特征的低k介电材料而获得。但是，孔隙的引入产生了新的挑战，因为它们影响材料属性，例如机械强度、热稳定性、以及对不同基片层的粘性，等等。这些材料属性决定了该材料是否可经受起进一 步基片处理的苛
刻条件，例如才几冲戒化学4勉光(CMP)、线4妻合(wire-bonding )、封
装，等等。分隔特征的超低k介电材料可因用于在基片上形成特征所使用的多种制造才喿作而受物理和化学破坏，例如CVD、蚀刻、抛光等，因为该超低k介电材料的材料属性有时会出现折衷。该破坏可归因于紧接该形成特征的超低k介电层部分的碳含量的耗尽，从而导致了介电层内介电常数的增加。该介电常数的增加可导致RC延迟。综上所述，需要可确4呆处理的集成方案，同时可达到有效地去除任何被破坏的低k介电膜层。
发明内容
本发明通过提供一种改进的用于从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法和装置，满足了该需要。应当理解，本发明可通过多种方式实施，包括作为装置和方法。以下将描述本发明的#:个创*斤的实施方式。在一个实施方式中，^C露了一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法。该方法包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于 一 个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征。该方法进一步包括建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏
材料的多个方面；以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。在另一个实施方式中，披露了一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的系统。该系统包括基片支撑设备，用于接收和支撑该基片；以及控制输送机构，用于将控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，/人而从围绕该特征的区域大体上去除该净皮石皮坏材^K并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。该控制化学制剂被识别，用于有选4奪地去除形成在一个区域内的该—皮破坏材料，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征，并且该多个处理参凄t表征该净皮石皮坏材料的多个方面。
通过以下描述并结合附图，本发明可#:最佳地理解。这些附图不应用于将本发明局限于优选的实施方式，而仅用于解释和理解本发明。图1A是显示出在形成于低k介电膜层内的特征周围的
区域内-皮石皮坏材料的简化示意图。图1B和1C显示了本发明一个实施方式里，在光刻操作过程中围绕特征的区域内被破坏材料、以及控制化学制剂已被应用后所得到特征的简化示意图。
图2A是显示出透过低k介电膜层所形成的多个特征的简化示意图。图2B显示了本发明一个实施方式中的低k介电膜层的组成。图3A和3B显示了本发明的一个实施方式中，在控制化学制剂应用之前的被破坏材料层，以及在该控制化学制剂应用之后的未^皮坏〗氐k介电区i或的截面示意图。图4是显示出在本发明的一个实施方式中，利用单个临近端头应用控制化学制剂到基片的截面示意图。图5是显示出在本发明的一个实施方式中，利用双临近端头应用控制化学制剂到基片的截面示意图。图6是在本发明的一个实施方式中，采用临近端头以应用控制化学制剂的系统的截面示意图。图7是才艮据本发明一个实施方式，显示出当应用控制化学制剂到低k介电膜层时被破坏材料实际去除的截面示意图。图8显示了本发明的一个实施方式中涉及从低k介电膜层去除被破坏材料的多个操作。
具体实施例方式以下将描述一种改进的以及更有效的从基片的低k膜层去除被破坏材料的数个实施方式。但是，明显地，对于本领域的普
下被实施。在其它情况下，熟知的处理操作没有被具体描述，以避免不必要地混淆本发明。通过将被石皮坏材泮+从低k介电层去除，低k介电层的低介电常数可得以恢复。在当前特征尺寸减'J、以及特征密度增加的技术发展趋势下，去除被破坏的低k介电材料带来了明显的挑战。去除被破坏低k介电材料的某些方法会导致对特征自身的-皮坏，或者导致对下层铜连线的破坏，或者进一 步地导致对低k介电层的破坏由此致使特征丧失效用。从基片的低k介电膜层有效去除被破坏材料对于保持形成在基片上的特征质量以及最终的半导体产品(例如，微芯片)都十分重要。在本发明的一个实施方式中，在透过^f氐k介电膜层形成的特征所在的区域内的被破坏材料，可通过应用控制化学制剂去除。由多个表4正将去除的净皮石皮坏材料多个方面的处理参凄t限定该应用，/人而/人围绕该特征的区域大体上去除该^^皮坏材冲+。 ^皮^皮坏材料去除后，围绕该特征的区域由低k介电膜层的4氐k介电特性限定。控制化学制剂的受控暴露有助于被破坏材料的有效去除，同时不负面地影响周围的特征，并可达到期望的表面钝化，以准备进一步的沉积和制造纟喿作。
图1A显示了围绕透过低k介电膜层所形成特征130的区域内，被破坏材料的简化示意图。如图所示，在基片100上形成<氐k介电膜层101 。低k介电膜层101利用祸:涂(spin coating )、浸涂(dip coating )、或者化学气相沉积二技术中的4壬一种而形成。^f氐k介电材料可以是SiCOH、多孑L SiCOH、 Polyarlene醚、多孔Polyarlene醚、多孔二氧化石圭等中的一种，并可与石友相碌参杂，以进一步降低低k介电膜层101的介电常数。低k介电膜层101可直接在基片表面上形成、在先前形成的层上(例如蚀刻阻止层120)形成、或在多个已形成层之间形成。低k介电膜层101提供对一个或多个特征130的隔离，这些特征透过4氐k介电膜层101蚀刻，或者提供对下层特征例如铜互连110的隔离，该铜互连连接至形成在基片100上的晶体管。由于低k介电膜层101的折衷材料属性，低k介电膜层101的多个部分，在用于透过低k介电膜层101产生特征130的一个或多个制造才喿作过程中遭受破坏。该石皮坏可能由使用于制造操作中的化学物而导致，这些化学物在围绕透过低k介电膜层101所形成特征130的区域内，损耗来自于该低k介电膜层101的
膜层101其余区域更高的介电常数，这导致了线性延迟。线性延迟，也称之为RC延迟，定义为晶体管之间信号传输的延迟，其可由使用于互连之间材料的阻抗/或中间级介电层的电容所导致。图1B和1C显示了特征130附近由被破坏材料105形成的被破坏区域。图1B显示了在铜互连110上形成的特征130附近，形成在低k介电膜层101的被破坏材料105。光刻胶层118位于低k介电膜层101顶部。图1C显示了光刻胶剥离操作(该操作中光刻胶层118被有选择地剥离)之后，在围绕特征130壁表面的低k介电膜层101的被破坏材料105。特征130透过低k介电膜层101在铜互连110上形成。用于透过光刻胶层118和低k介电膜层101形成特征130的4匕学物可导致在邻4妻特4i 130的〗氐k介电爿莫层101形成纟皮-皮坏材津牛105 。在该实施方式中，{氐k介电.膜层101的4匕学纟且成为SixOyCzHw形式，而由于碳损耗，被破坏材料105的化学组成类似于SixOy。图2A显示了在基片形成的多个特;沐130的简化示意图，这些特征由低k介电膜层101隔离。低k介电膜层101利用旋制(spin-on )技术或CVD技术形成。用于形成低k介电膜层101的低k介电材料与碳相掺杂，并引入多个亚微米孔隙，以进一步降低介电常数。可使用熟知的技术引入孔隙，因此在该应用中并不复杂。利用多种制造操作在基片上形成多个特征130,并且这些特征130利用低k介电膜层101隔离开。利用低k介电膜层101隔离这些特征有助于减小图2A中A处及B处特征130之间的耦合电容，并由此减少线性延迟。保持低k介电膜层的属性至关重要，以使低k介电膜层101和透过该介电膜层101所形成的特征130的功能得以保持。图2B显示了掺杂有碳的低k界面膜层101的小片区域，以及分散入低k介电膜层101的亚微米孔隙215。图3A和3B显示了本发明的一个实施方式中，在控制化学制剂应用之前形成在特征130附近的被破坏材料和低k介电膜层101，以及在该控制化学制剂应用之后的不带有被破坏材料的低k介电膜层101的截面示意图。图3A显示了基片的一个部分，其中特征130形成在铜互连110上。多个特征130和下层特征通过低k介电膜层101分隔。低k介电膜层101可直接在基片的特征上形成，或在层之间形成，例如蚀刻阻止层120和硬掩模层322,该低k介电膜层利用一个或多个制造操作形成，例如蚀刻、化学机械抛光、清洁、沉积等。由于在该一个或多个制造操作中的碳损耗，围绕特征130的低k介电膜层101的壁被破坏。该被破坏材料105具有比低k介电膜层101其余部分较高的介电常数。基于本发明一个实施方式里在制造处理过禾呈中的一种集成方案，该^t破坏材津牛105可与其它层的部分一.起秒、去除，例如，形成在^皮破坏材料105之上或之下的碩j奈纟莫层322和蚀刻阻止层120，透过这些层形成特4正，如图3B所示。在另一个实施方式中，采用不同的集成方案，其中<义去除#皮石皮坏才才并+ 105。图4显示了用于将控制化学制剂应用到低k介电膜层101的系统的截面示意图，从而形成在一个区域内的被石皮坏材料105被大体上取出，该区域内透过低k介电膜层101形成特征130。该系统包括基片支撑设备和临近端头，该临近端头用于控制控制化学制剂到〗氐k介电膜层101的llr送，以大体上在围绕透过低k介电膜层101所形成特征130的区域内的被破坏材料105。该基片支撑设备为能够在选定平台上接收和支撑基片的任何类型的设备。在邻接所形成的特征130的低k介电膜层101形成的被破坏材料105的多个处理参数限定了控制化学制剂的应用。通过分析被破坏材料105收集处理参数，该分析表证该被破坏材料105的多个方面。该处理参lt可进一步包括在^皮石皮坏材利-105之上和/或之下形成的、需—皮去除以^果留特征130形貌的一个或多个膜层(例如120、 118和122)的特性方面。该处理参数可包括膜层类型、膜层组成、被破坏材料105厚度以及在特征130形成区域内的膜层温度。这些处理参数可根据不同基片而改变。该控制输送机制可进一步地包括多个控制，以控制该控制化学制剂的一种或多种特性。通过基于处理参数和控制化学制剂特性控制该控制化学制剂的应用，在低k介电膜层101被破坏材料105的区域暴露合适的控制化学制剂，从而从^氐k介电膜层101大体上去除一皮石皮坏材料105,同时保持剩
余低k介电材料层101的低k介电常数。在一个实施方式中，利用单个临近端头去除形成在基片IOO上的被去除材料，如图4所示。该临近端头用于将控制化学制剂作为液体弯液面应用到#皮-皮坏材料105, 并基于一皮《皮坏材料105以及形成在该被破坏材料105之上或之下的将被去除的对应膜层118、 120、 322的多个处理参数，控制该控制化学制剂的应用。此处所用的术语"弯液面"，是指部分地由液体的表面张力所约束和保持的一定量的液体。在具体的实施方式中，通过流体l命送到表面保持弯液面，同时也去除该流体，从而使该弯液面保持可控。另夕卜，可通过4青确的流体丰命送和去除系统控制弯液面的形状，该去除系统可进一步包括计算系统。该控制化学制剂的应用可以是单独的处理操作，或者可与其它操作相结合，例如清洁或沉积前准备操作。在本发明的一个实施方式中，该控制化学制剂备选地带有清洁化学制剂，并且在清洁操作过程中，这两种制剂可利用单个临近端头^奪一地应用。通过单个临近端头应用控制化学制剂从邻4妻一个或多个特征的区域去除被破坏材料105的处理如图8所示。在特征130附近形成的被破坏材料可能在亚樣i米的范围内。在一个实施方式中，^C破坏材料的宽度为大约50A°单位。在本发明的另一个实施方式中，该系统使用两个临近端头505和510应用4空制4匕学制剂，4o图5所示。在该实施方式中，被破坏材料105的去除与清洁步骤相结合，其中清洁化学制剂通过第一临近端头505应用到基片IOO的表面，而控制化学制剂利用第
14二临近端头510应用到被破坏材料105。控制化学制剂的同时应用
并不局限于清洁操作。控制化学制剂可在其它制造操作过程中同时
地应用到被石皮坏材料105 ，例如沉积前准备#:作。有关临近端头的进一步信息，可参考示例性的临近端头， 如美国专利号No.6,616，772所描述，4受片又日为2003年9月9日， 名称为"用于晶片临近清洁和干燥的方法"。该美国专利已转让给 本申i青的受让人，Lam Research Corporation,其通过引用结合入^匕处。关于顶部和底部弯液面的进一步4言息，可参考示例性的 弯液面，如美国专利申请号No.10/330，843所披露，申i青曰为2002 年12月24日，名称为"弯液面、真空、IPA蒸汽、干燥总管"。该 美国专矛J已專争ih纟会本申i青的受ih人，Lam Research Corporation,其 通过引用结合入此处。有关弯液面的进一步信息，可参考美国专利号No. 6,998,327,授权日为2005年1月24日，名称为"用于利用动态液 体弯液面处理基片的方法和系统，，，以及美国专利号No. 6,998,326, 授权日为2005年1月24日，名称为"憎阻挡弯液面分离和抑制"。 这些美国专利已转让主会本申请的受让人，其为所有目的通过引用寻皮 完整地结合入此处。有关临近蒸汽清洁和干燥系统的进一 步信息，可参考示 例性的系统，如美国专利号No. 6,488,040所描述，4受冲又曰为2002 年12月3日，名称为"用于单晶片清洁和干燥的毛细管临近端头"。该美国专利已專争让纟会本申i青的受让人，Lam Research Corporation,其通过引用结合入此处。
图6显示了在清洁室60内采用了用于应用控制化学制剂 的临近端头的系统的截面图，图中显示了该清洁室的壁602和i也面 604。在清洁室(系统)60内的系统包括容置室610,其中i殳置有 多个临近端头645。该容置室610内所示的临近端头包括设置在处 理区域618 4壬一侧的双临近端头645,通过该处理区i或基片100移 入容置室610。所采用的临近端头的^量和位置可以变〗匕。图6显 示了这些变^b中的一些，例如双临近端头，3个临近端头和5个临 近端头，设置于处理区域618的任一侧，通过该处理区域传送具有 被破坏材料105的基片100。基片100通过基片输入区域615引入 容置室610，并从基片输出区域660移出。设置于处理区域618内 的装载器助于通过基片输入区域615接收基片、通过临近端头645 穿过该系统60传送基片100、以及在基片输出区域660发送基片。 该系统60还包括一系列储存池625、 630、 635等，以容置多种化 学制剂，包括用于去除被破坏材料105的控制化学制剂。虽然该系 统显示为与控制化学制剂和去离子水(DIW) —起使用多种清洁化 学制剂，但该系统可采用控制化学制剂、清洁化学制剂和DIW的 多种变^f匕，并4吏用一种或多种临近端头。在一个实施方式中，该系 统用于应用l)DIW以轻度清洁基片100， 2)淡氢氟S臾以去除细小 残留，以及3)控制化学制剂以去除被破坏材料105。在本发明的 其它实施方式中，该系统60可用于单独应用1和3或4又应用3。
该控制和清洁化学制剂以可控的方式，基于将去除的被 破坏材料105以及在该被破坏材料105之上和之下形成的对应膜层 的多个处理参数，利用流体传输控制机构620，应用到基片100的 表面。运行有软件的计算机605可通信地连接到流体传输控制机构620，以调整该流体传输控制才几构620内的控制，乂人而该控制和清 洁化学制剂可以可控的方式应用到基片100。虽然计算4几605显示 为 <立于清洁室内，4旦该计算才几605可i殳置于清洁室之外的4壬<可位置， 并与容置室610内的流体传输控制机构620可通信地连接。在本发明的另一个实施方式中，可使用刷取代临近端头。 在该实施方式中，控制化学制剂被识别，并且^L识别的控制化学制 剂引入刷内。基于对低k介电膜层101 ^皮石皮坏材料105的分析，建 立多个处理参数。基于该建立的被破坏材料105的处理参数，将带 有控制化学制剂的刷应用到低k介电膜层101的被破坏材料105， 从而显著量的被破坏材料105被有选择地去除。被破坏材料105的 处理参数有助于通过在应用过程中控制该控制化学制剂的浓度、温 度和暴露时间，配置控制化学制剂的应用。通过将一皮》皮坏材料105 暴露纟会合适配置的控制^1学制剂，纟皮^皮坏材^f 105的显著部分,皮去 除，由此保持了低k介电膜层101的低k特性。以下将结合图8,详细描述一种用于从基片的低k介电 膜层101去除^皮破坏材料105的方法。该方法开始于识别将应用到 被破坏材料105的控制化学制剂，该被破坏材料位于一个区域，该 区域内透过低k介电膜层101形成特征130,如操作805所示。该 低k介电膜层101可由于一个或多个制造操作而遭破坏，例如CMP 、 蚀刻、光刻、沉积等，这些净喿作用于透过〗氐k介电膜层101产生特 征130。用于这些l喿作的化学物可在围绕所形成特征130的区域内， 与捧杂入低k介电膜层的碳反应，从而消耗来自于该低k介电膜层 101的碳。在围绕特征130区域内的碳消耗低k介电膜层101将具 有比低k介电膜层101其余部分较高的介电常数，从而造成线性延 迟。因此，需去除被破坏材料105,以大体上保持介电膜层的低k 介电特性。
选择控制化学制剂，从而可有选4奪地去除被破坏材料105，同时不石皮坏周围的特4正。用于有选4奪i也去除净皮石皮坏材^j" 105 的控制化学制剂包括稀释氢氟酸、磷酸或稀释至大约1份酸对100 份去离子水的硫酸，或其它含氟盐，例如氟化铵等。
在操作810中，建立表征将去除的^^皮破坏材料105多个 方面的多个处理参凄t。该处理参凄t限定^皮石皮坏才才料105的多个方面， 乂人而可相应地应用控制化学制剂，以有效地去除被石皮坏材料105的 显著部分。该处理参lt可进一步地表4正形成在一皮;皮坏材3牛105之上 或之下的其它膜层118、 120、 322的多个方面，从而这些膜层也可 被有选择地去除。其它膜层118、 120、 322部分的去除取决于基片 上多个特征形成过程中所遵从的集成方案。在去除^皮石皮坏膜层105 过程中可被有选择地去除的一些膜层可包括蚀刻阻止层120、硬掩 模层322等。
可影响控制化学制剂应用的处理参数限定被破坏材料 105的特性。该处理参数可进一步包括在低k介电膜层101之上和 之下形成的一个或多个层118、 120、 322的多个特性方面，特征130 透过该低k介电膜层101形成。这些层可由多种制造才喿作形成。该 不同月莫层的处理参凄t有助于在应用过程中，通过控制该控制化学制 剂的浓度、温度、和暴露时间，配置该控制化学制剂的应用，从而 被破坏材料105、以及在该被破坏材料之上和之下形成的对应膜层 118、 120、 322的显著量#1去除，其中透过该^皮-皮坏材料形成特征 130。该处理参数包括以下一种或多种膜层类型、膜层的化学组 成、被破坏材料的厚度以及被破坏材料区域处的温度。
在操作815,控制化学制剂在被破坏材料105附近应用 到低k介电膜层101。由这些特性(例如控制化学制剂的流率、控 制化学制剂的温度、控制化学制剂的浓度、以及控制化学制剂的暴 露时间)所限定的控制化学制剂的应用，基于将被去除膜层的处理 参数控制。通过提供将被破坏材料105和相邻膜层暴露给所限定控 制化学制剂的方式，— 皮^皮坏材料105的显著量净皮去除，同时不导致 对相邻特4i和层的不可^f奮复的^皮坏。由处理参数限定和控制的控制化学制剂的特性为控制化 学制剂的流率、控制化学制剂的浓度、控制化学制剂的温度、以及 控制化学制剂的暴露时间。已在去除被破坏材料105过程中显示出 期望结果的控制化学制剂的流率为大约0.2标准升每分钟(slm )至 约2.0slm之间，中间范围为在约0.8slm至约1.5slm之间，以及最 佳流率为约1.2slm。在去除破坏材料105过程中显示出期望结果的 控制化学制剂的浓度为控制化学制剂对去离子水比例在约1:1000 份至1:10份之间，中间范围为控制化学制剂对去离子水比例在约 1:100至约1:300之间。控制化学制剂的温度范围为约20°C至80°C 之间，中间范围为约22。C至约4(TC之间，最佳温度为约25。C。在 去除破坏材料过程中显示出期望结果的暴露时间为约0.5秒至约10 秒之间，中间范围为约1秒至约5秒。在操作820,从围绕特征的低k介电膜层的区域内大体 上去除^皮石皮坏材料，从而大体上保持低k介电膜层的j氐k特性。接 着该处理的是操作825，其中可在该低k介电膜层上形成附加层， 以限定集成电路芯片(IC芯片)。可形成的一些附加层包括阻挡层、 限定金属化互连和〗氐k介电膜层的铜膜沉积层等。可重复该处理， 直到在基片上形成IC芯片，或者以达到制造的某种水平。
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虽然为更清楚理解的目的详细地对前述发明进行了描述，4旦明显地，可在后附^又利要求的范围内进《亍某些变化和^奮正。 因此，本发明应理解为描述性的，而非为限制目的，并且本发明不 局限于此处l会出的细节，而可在后附;K利要求范围和等同范围内寻皮 修正。
权利要求
1.一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数来表征将被去除的该被破坏材料的方面；以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的多个处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由与该低k介电膜层大体上相同的低k特性限定。
2. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该被破坏层具有比该邻接低k介电膜层较高的介 电常数。
3. 根据权利要求2所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该较高的介电常数具有碳消耗特性。
4. 根据权利要求3所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中碳消耗由多种用以限定该基片特征的制造操作中 的任一种所导致，该多种制造才喿作为蚀刻、沉积、化学才几械4炮 光、以及光刻中的一种或多种。
5. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中在该低k介电膜层上方和下方形成多个膜层，该 多个膜层通过多个限定该基片的该特征的多个制造操作形成。
6. 根据权利要求5所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该特征透过该多个膜层形成。
7. 才艮据权利要求6所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，进一步包括大体上乂人围绕该特征的区i或去除该膜层部 分，/人而保留该特征形貌。
8. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该多个处理参数包括以下一种或多种将^皮去除 的膜层类型、将被去除的膜层的化学组成、将被去除的膜层的 厚度、在应用控制化学制剂之前将一皮去除的膜层处的温度。
9. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的方法，其中该控制化学制剂的应用为通过一种控制才几制， 该控制机制配置为在该控制化学制剂应用过程中，基于该多个 所建立的该被破坏材料的处理参数，控制该控制化学制剂的一 种或多种特性。
10. 根据权利要求9所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的方法，其中该控制化学制剂的特性包括以下 一种或多种 该控制化学制剂的流率、该控制化学制剂的浓度、该控制化学 制剂的温度、以及该控制化学制剂的暴露时间。
11. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该控制化学制剂的应用为在该基片上进行的清洁操作过程中，该控制化学制剂包括有清洁化学制剂，并在该基 片上进行的该清洁操作过程中应用到该低k介电膜层。
12. 根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该控制化学制剂的应用为在该基片上进行的清洁 操作过程中，该控制化学制剂备选地与清洁化学制剂在该基片 上进行的该清洁操作过程中应用到该基片的表面
13. 冲艮据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法，其中该控制化学制剂从由氢氟酸、硫酸、磷酸、氟化4妄、以及氟源所组成的组中选取。
14. 一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的装置，包括基片支撑设备，用于接收和支撑该基片；以及临近端头，其配置为将控制化学制剂作为弯液面应用到该 低k介电膜层，基于该被破坏材料的多个处理参数限定该控 制化学制剂弯液面的应用，从而从围绕该透过该〗氐k介电膜该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定， 其中该控制化学制剂被识别，以有选4奪地去除形成在围绕该 净争^正的区i或内的该^皮石皮坏才才并牛，并且该多个处理参凄史表4正该 ^皮石皮坏材^牛的多个方面。
15. 根据权利要求14所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的装置，其中该临近端头进一步用于引入清洁化学制剂，以 清洁带有残留聚合物的该基片的表面。
16. 根据权利要求14所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的装置，进一步包括第二临近端头，其配置为引入清洁化学 制剂，以清洁该基片表面的残留聚合物。
17. 根据权利要求14所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的装置，其中该临近端头包括多种控制，其用于控制当应用 到该低k介电膜层时该控制化学制剂的多个特性，其中该控制 化学制剂的特性基于该被石皮坏材料的处理参数。
全文摘要
一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。
文档编号H01L21/306GK101627460SQ200780047559
公开日2010年1月13日 申请日期2007年11月20日 优先权日2006年12月21日
发明者什里坎特·洛霍卡雷, 尹秀敏, 斯蒂芬·霍夫曼, 约翰·M·德拉里奥斯, 赵成焕, 马克·威尔考克森 申请人:朗姆研究公司