单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法

专利名称：单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法
技术领域：
本发明涉及一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，特别 是涉及一种应用在单透镜下多颗发光二极管芯片混色的多域排列方法。
背景技术：
图1是现有习知半球型透镜10的出光光型态样一。图2是现有习知半 球型透镜10的出光光型态样二。图3是现有习知平面透镜的出光光型图。
如图l及图2所示，其分别为现有习知半球型透镜10的出光光型态样 一及态样二。其是分别透过两种不同的观察角度，量测各色发光二极管芯 片透过半球型透镜10的出光光型，由量测结果可以发现，由于半球型透镜 10的镜轴11与每一色发光二极管的出光轴12方向不同，导致每一色的发 光二极管出光时呈现出非对称的光型，且其出光光型是随不同的观察角度 而改变。
而如图3所示，在使用平面透镜时虽可呈现出对称的光型，然而出光 时大部分光线却被平面透镜所反射，使得出光效率降低为只有使用半球型 透4竟10时的一半。
图4A是现有习知半球型透镜10下排列三色发光二极管芯片的示意图。 图4B是现有习知半球型透镜10下红色发光二极管芯片的出光光型图。图 4C是现有习知半球型透镜10下绿色发光二极管芯片的出光光型图。图化 是现有习知半球型透镜10下蓝色发光二极管芯片的出光光型图。
如图4A所示，由于受到不同色的发光二极管芯片在空间中相对排列位 置，以及半球型透镜10的镜轴11与每一发光二极管芯片的出光轴12方向 不同的影响，使得在半球型透镜10下出光的红色发光二极管芯片、绿色发 光二极管芯片与蓝色发光二极管芯片的光型分别如图4B、图4C及图4D所 示，是不对称的光型，因此产生偏光而导致半球型透镜10的边缘混光效果 差。
由此可见，上述现有的单透镜下多颗发光二极管芯片在方法与使用 上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在 的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适 用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创 设一种新的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，实属当前重要 研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的单透镜下多颗发光二极管芯片存在的缺陷，本发明 人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学 理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的单透镜下多颗发光二极 管芯片的多域排列方法，能够改进一般现有的单透镜下多颗发光二极管芯 片，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终 于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的单透镜下多颗发光二极管芯片的 多域排列方法存在的缺陷，而提供一种新的单透镜下多颗发光二极管芯片 的多域排列方法，所要解决的技术问题是使其在使用半球型透镜时，使 得每一色的发光二极管芯片呈现对称的光型，因此达到混光均匀 的功效，非常适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种新的单透镜下多颗发光二极管芯片 的多域排列方法，所要解决的技术问题是使其藉由在单透镜底面排列多 色发光二极管芯片进行混光，且混光后的光型，由任一观察角度 量测均呈现对称的光型，因此可改善单透镜边缘混光效果，从而更 加适于实用。
本发明的再一目的在于，提供一种新的单透镜下多颗发光二极管芯片 的多域排列方法，所要解决的技术问题是使其使用同心圆样式排列，因 此发光二极管芯片可以最密方式排列，所以体积可最小化，从而更 加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包括
以下步骤设定一第一同心圆，其是形成在一半球型透镜底面侧，且以该 半球型透镜的镜轴为圆心；以及排列至少一第一色芯片、至少一第二色芯 片及至少一第三色芯片，其是设置在该第一同心圆上，并依序以等间距方 式排列。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 第一色芯片、该第二色芯片及该第三色芯片是由一红色芯片、 一绿色芯片 及一蓝色芯片所组成。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 些色芯片是以红-绿-蓝方式排列的。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其具有一该第 一色芯片、二该第二色芯片及一该第三色芯片。前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的色 芯片是以红-绿-绿-蓝方式排列的。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 第一色芯片、该第二色芯片及该第三色芯片均具有一底面，且每一该底面 是相互平行。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包括以
下步骤设定一第二同心圓，其是形成在一半球型透镜底面侧，且以该半 球型透镜的镜轴为圓心；排列复数个第 一 色芯片，其是设置至少三该第 一 色 芯片在该第二同心圓上，且每一该第 一 色芯片是以等间距方式排列的，设定 一第三同心圓，其是形成在该半球型透镜底面侧，且以该半球型透镜的镜 轴为圓心，又该第三同心圆的半径是大于该第二同心圓；以及排列复数个 第二色芯片及复数个第三色芯片，其是分别设置至少三该第二色芯片及至 少三该第三色芯片，且该些第二色芯片及该些第三色芯片是设置在该第三 同心圆上，并以交^"等间距方式排列。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 些第一色芯片、该些第二色芯片以及该些第三色芯片是由复数个红色芯 片、复数个绿色芯片及复数个蓝色芯片所组成。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 些第一色芯片是以正三角形方式排列。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 些第一色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片均具有一底面，且每一 该底面是相互平4亍。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的每 一该第二色芯片的中心与顺时针方向的每一该第三色芯片的中心是与该第 三同心圆的圆心形成40°夹角，又每一该第二色芯片的中心与逆时针方向 的每一该第三色芯片的中心是与该第三同心圆的圆心形成8 0°夹角。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包 括下列步骤设置一第四色芯片，其是设置在一半球型透镜的镜轴；设定 一第四同心圆，其是形成在该半球型透镜底面侧，且以该第四色芯片为圆 心；以及排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片，其是分别设置至少 三该第二色芯片及至少三该第三色芯片，且该些第二色芯片及该些第三色 芯片是设置在该第四同心圆上，并以交错等间距方式排列。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的该 第四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片是由一红色芯片、复数个 绿色芯片及复数个蓝色芯片所组成。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的第 四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片是由一绿色芯片、复数个红 色芯片及复数个蓝色芯片所組成。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的第 四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片是由一蓝色芯片、复数个红 色芯片及复数个绿色芯片所组成。
前述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其中所述的第 四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片均具有一底面，且每一该底 面是相互平4亍。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案
可知，本发明的主要技术内容如下
为达到上述目的，本发明提供了 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的 多域排列方法，其包括下列步骤设定一第一同心圓，其是形成在一半球 型透镜底面侧，且以半球型透镜的镜轴为圆心；以及排列至少一第一色芯 片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片，其是设置在第一同心圆上，并 依序以等间距方式排列。
此外，为达到上述目的，本发明还提供了一种单透镜下多颗发光二极管 芯片的多域排列方法，为达上述功效，本发明又提供一种单透镜下多颗发 光二极管芯片的多域排列方法，其包括下列步骤设定一第二同心圆，其是 形成在一半球型透镜底面侧，且以半球型透镜的镜轴为圓心；排列复数个 第一色芯片，其是设置至少三第一色芯片在第二同心圆上，且每一第一色 芯片是以等间距方式排列；设定一第三同心圆，其是形成在半球型透镜底 面侧，且以半球型透镜的镜轴为圆心，又第三同心圆的半径是大于第二同 心圆；以及排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片，其是分别设置至 少三第二色芯片及至少三第三色芯片，且第二色芯片及第三色芯片是设置 在第三同心圆上，并以交错等间距方式排列。
另夕卜，为达到上述目的，本发明另还提供了 一种单透镜下多颗发光二极 管芯片的多域排列方法，为达上述功效，本发明又提供一种单透镜下多颗 发光二极管芯片的多域排列方法，其包括下列步骤设置一第四色芯片，其 是设置在一半球型透镜的镜轴；设定一第四同心圆，其是形成在半球型透 镜底面侧，且以第四色芯片为圆心；以及排列复数个第二色芯片及复数个 第三色芯片，其是分别设置至少三第二色芯片及至少三第三色芯片，且第二 色芯片及第三色芯片是设置在第四同心圆上，并以交错等间距方式排列。借由上述技术方案，本发明单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列
方法至少具有下列优点及有益效果
1 、本发明藉由多域排列方法配合单透镜的设置，使得每一 色的发光二 极管芯片经透镜出光后，均呈现出对称的光型。
2、 本发明由于每一色的发光二极管芯片可呈现对称的光型，因此可达 到混光更为均匀的功效。
3、 本发明单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法可使得复数个 发光二极管芯片形成最密排列，所以可缩小整体体积。
综上所述，本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在方法或功 能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效 果，且较现有的单透镜下多颗发光二极管芯片具有增进的突出功效，从而 更加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，且根据本说明书所揭露的 内容、申请专利范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解 本发明相关的目的及优点，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征 和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。


图1是现有习知半球型透镜的出光光型态样一。 图2是现有习知半球型透镜的出光光型态样二。 图3是现有习知平面透镜的出光光型图。
图4A是现有习知半球型透镜下排列三色发光二极管芯片的示意图。 图4B是现有习知半球型透镜下红色发光二极管芯片的出光光型图。 图4C是现有习知半球型透镜下绿色发光二极管芯片的出光光型图。 图4D是现有习知半球型透镜下蓝色发光二极管芯片的出光光型图。 图5是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法的 流程实施例图一。
图6是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法立 体分解实施例图。
图7是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图一。
图8A是第7图的立体实施例图。
图8B是第7图中的红色芯片出光光型图。
图8C是沿第8A图中A箭头方向的红色芯片出光光型图。
图8D是沿第8A图中B箭头方向的红色芯片出光光型图。图9是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图二。
图10是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法流 程实施例图二。
图11是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法立 体分解实施例图二。
图12是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图三。
图13是本发明的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图四。
图14是本发明的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图五。
图15是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法流 程实施例图三。
图16是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法立 体分解实施例图三。
图17是本发明的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法实 施例图六。
SIO、 SIO， 、 SIO，，单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法 Sll:设定一第一同心圓
S12:排列至少一第一色芯片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片 S13:设定一第二同心圓 S14:排列复数个第一色晶 S15:设定一第三同心圆
S16:排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片 S17:设置一第四色芯片 S18:设定一第四同心圆
S19:排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片
10:半球型透镜
11:镜轴
12:光轴
20:第一同心圆
31:第一色芯片
32:第二色芯片
33:第三色芯片
34:第四色芯片35底面
40正三角形
50第二同心圆
60第三同心圓
70第四同心圆
D、 D，距离
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的单透镜下多颗发光二 极管芯片的多域排列方法其具体实施方式
、步骤、特征及其功效，详细说 明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图 式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。为了方便说明，在以下的实 施例中，相同的元件以相同的编号表示。
<第一实施例>
请参阅图5、图6、图7、图8A、图8B、 8C、图8D、图9所示，图5是 本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法S10的流程实 施例图一。图6是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法S10立体分解实施例图一。图7是本发明的一种单透镜下多颗发光二 极管芯片的多域排列方法SIO实施例图一。图8A是图7的立体实施例 图。图8B是图7中的红色芯片出光光型图。图8C是沿图8A中A箭头方向 的红色芯片出光光型图。图8D是沿图8A中B箭头方向的红色芯片出光光 型图。图9是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法 S10实施例图二。
如图5所示，本实施例是一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排 列方法SIO，其包括下列步骤设定一第一同心圆S11;以及排列至少一第 一色芯片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片S12。
设定一第一同心圆Sll:如图6所示，单透镜是可以为一半球型透镜 10，且一第一同心圆20是形成在半球型透镜10底面侧，并以半球型透镜 10的镜轴11为圆心。
排列至少一第一色芯片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片S12:如 图7所示，分别设置各三颗第一色芯片31、第二色芯片32及第三色芯片33 在第一同心圆20上，并依序以等间距方式排列。其中，第一色芯片31、第二 色芯片32及第三色芯片33，是可以由红色芯片、绿色芯片及蓝色芯片所组 成。又每三颗相邻的第一色芯片31、第二色芯片32及第三色芯片33是以红-绿-蓝方式排列，且同色的色芯片31、 32、 33是可以形成一正三角形40。 而红色芯片的光波长范围可以介于630-780奈米(nm),绿色芯片的光波长 范围可以介于500-570奈米，以及蓝色芯片的光波长范围则可以介于 420-470奈米。
由于依序以等间距方式在第一同心圓20上#^每一色芯片31、 32、 33,使 得每一色芯片31、 32、 33的出光轴12与镜轴11的间距相等，且同色的色 芯片31、 32、 33的出光轴12彼此间距相等且对称，因此当半球型透镜IO 的镜轴ll与色芯片31、 32、 33的出光轴12方向不同时，可藉由同色的色 芯片31、 32、 33形成互相补偿的作用，达到每一色芯片31、 32、 33均可 发出对称光型的功效。
举例来说，如图8A所示，当在计算机中仿真复数颗色芯片31、 32、 33 依第7图的方式在半球型透镜10下排列时，其中的一色芯片31、 32、 33,例 如红色芯片，其出光光型是如图8B所示的对称光型，除此之外，每一色 芯片31、 32、 33的出光光型亦不受到观察角度的影响。
如图8C及图8D所示，当沿着A箭头及B箭头的不同观察角度下量测 红色芯片的出光光型时，其皆呈现对称的光型。由此可知在不同观察角度 下，复数颗色芯片31、 32、 33均呈现对称的光型。所以半球型透镜10下 的每一色芯片31、 32、 33在不同观察角度下均可呈现出对称的光型，因此 可达到混光均匀的功效。如图9所示，一种单透镜下多颗发光二极管芯片的 多域排列方法S10亦可以使用由一第一色芯片31、二第二色芯片32及一第 三色芯片33组成的色芯片组。藉由使用复数个色芯片组设置在第一同心圓 20上，并依序以等间距方式排列。且同一色芯片组中的第一色芯片31、第 二色芯片32及第三色芯片33是可以红-绿-绿-蓝方式排列。
除此之外，每一第一色芯片31、每一第二色芯片32及每一第三色芯片 33，均具有一底面35，且设置在第一同心圓20上时，每一色芯片31、 32、" 的底面35是相互平行。
<第二实施例〉
请参阅图10、图11、图12、图13、图14所示，图IO是本发明的一 种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法SIO，的流程实施例 图二。图ll是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法 SIO，立体分解实施例图二。图12是本发明的一种单透镜下多颗发光二极 管芯片的多域排列方法SIO，实施例图三。图13是本发明的一种单透镜下 多颗发光二极管芯片的多域排列方法SIO，实施例图四。图14是本发明的 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法Sl0，实施例图五。
如图IO所示，本实施例是一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排 列方法SIO，，其包括下列步骤设定一第二同心圓S13;排列复数个第一色芯片S14;设定一第三同心圓S15;以及排列复数个第二色芯片及复数个 第三色芯片S16。
设定一第二同心圆S13:如图ll所示，第二同心圓50是形成在一半球 型透镜IO底面侧，且以半球型透镜10的镜轴11为圓心。
排列复数个第一色芯片S14:如图12所示，设置至少三第一色芯片31 在第二同心圓50上，且每一第一色芯片31是以等间距方式排列。又此三 颗第一色芯片31是可以正三角形40方式排列。
设定一第三同心圆S15:如图11及图12所示，第三同心圓60亦形成 在半球型透镜10底面侧，且以半球型透镜10的镜轴11为圓心，又第三同 心圆60的半径是大于第二同心圆50，因此第三同心圓60是形成在第二同 心圓50的外侧。
排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片S16:如图12所示，分别 设置至少三第二色芯片32及至少三第三色芯片33在第三同心圆60上，并
以交错等间距方式排列。
又位于第三同心圆60上的第二色芯片32及第三色芯片33是可以与第 二同心圓50上的第一色芯片31相接，用以缩减每一色芯片31、 32、 33的 间距，使得可以缩小整体体积。例如图13所示，第三同心圓60上的第二 色芯片32是可以与第二同心圓50上的第一色芯片31相接，且由于每一色 芯片31、 32、 33为正方形，因此当第一色芯片31与第二色芯片32相接时，其 芯片中心的距离D为V2。
如图14所示， 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法 SIO，是可以形成最密排列，其中每一第二色芯片32的中心与顺时针方向 的每一第三色芯片33的中心，其是与第三同心圆60的圆心形成40。夹 角。除此之外，每一第二色芯片32的中心与逆时针方向的每一第三色芯片 33的中心，亦与第三同心圓60的圓心形成80°夹角。此时，第二色芯片 32与第三色芯片33是与第一色芯片31相接，并且任一第二色芯片或第三 色芯片，其与第一色芯片31间的距离D，是小于V2，因此可形成最密排列。
除此之外，第一色芯片31、第二色芯片32及第三色芯片33是可以由 红色芯片、绿色芯片及蓝色芯片所组成。且每一第一色芯片31、每一第二 色芯片32及每一第三色芯片33，均具有一底面35。当分别设置在第二同 心圓50及第三同心圆60上时，每一色芯片31、 32、 33的底面35是相互 平行。
由于单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法SIO，为等间距排 列，因此当于第三同心圓60上分别设置三颗第二色芯片32及三颗第三色 芯片33时，每三颗同色的色芯片331、 32、 33是可以分别形成一正三角形 40。除此之外，每一第一色芯片31、每一第二色芯片32及每一第三色芯片
1233,均具有一底面35，且设置在第一同心圓20上时，每一色芯片31、 32、 33 的底面35是相互平行。
藉由单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法SIO，，是可以使得 复数个色芯片31、 32、 33形成最密排列，因此可缩小整体体积。又每一色 芯片31、 32、 33各自形成正三角形40，因此同色的色芯片31、 32、 33出 光时，光型可互相补偿而使得每一色光均可呈现对称的光型，因此改善了 半球型透镜10边缘混光效率差的问题。
<第三实施例〉
请参阅图15、图16、图17所示，图15是本发明的一种单透镜下多颗 发光二极管芯片的多域排列方法SIO，，的流程实施例图三。图16是本发 明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法SIO，，立体分解 实施例图三。图17是本发明的一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排 列方法SIO，，实施例图六。
如图15所示，本实施例是一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排 列方法SIO，，，其包括下列步骤设置一第四色芯片S17;设定一第四同 心圆S18;以及排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片S19。
设置一第四色芯片S17:如图16所示，第四色芯片M是设置在一半球 型透镜10的镜轴11上。又第四色芯片34是可以为一面积较大的发光二极 管芯片。
设定一第四同心圓S18:如图17所示，第四同心圓"70是形成在半球型 透镜10底面侧，且第四同心圆70是以第四色芯片34为圓心。
排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片S19:如图U所示，是分别 设置至少三颗第二色芯片32及至少三颗第三色芯片33，且每一第二色芯片 32及每一第三色芯片33是设置在第四同心圓70上，并以交错等间距方式 排列。
其中，第四色芯片34、第二色芯片32及第三色芯片33的组成可举例 来说当第四色芯片34为红色芯片时，第二色芯片32及第三色芯片"可 以为复数个绿色及复数个蓝色芯片所组成。而当第四色芯片34为绿色芯片 时，第二色芯片32及第三色芯片33可以为复数个红色及复数个蓝色芯片 所组成。又当第四色芯片34为蓝色芯片时，第二色芯片32及第三色芯片 33可以为复数个绿色及复数个红色芯片所组成
除此之外，每一第四色芯片34、每一第二色芯片32及每一第三色芯片 33，均具有一底面35，当分别设置在第四同心圓70上时，每一色芯片的底面 35是相互平行。当在第四同心圆70上分别设置三第二色芯片32及三第三 色芯片33时，每三同色的色芯片32、 33是可以分别形成一正三角形40，因 此同色的色芯片32、 33出光时，其光型可互相补偿，而呈现出对称的光型，使
13得在半球型透镜10下可达到混光均匀的功效。又使用同心圆方式排列的单
透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法S10",是可以使得复数个色芯 片32、 33形成最密排列，进而可缩小整体体积。
又上述的第一色芯片31、第二色芯片32及第三色芯片33，除了可以由 红色芯片、绿色芯片及蓝色芯片所组成之外，亦可以使得第一色芯片31、第 二色芯片32及第三色芯片33为同色的色芯片，再进一步配合荧光粉的使 用，例如蓝色芯片与黄色荧光粉配合使用。
且可以藉由调整色芯片31、 32、 33的出光强度及选用不同颜色的荧光 粉，则可用以调控混光后的色温及光强度。因此，混光后的结果再搭配使 用荧光粉，使得可以呈现暖色光或是冷色光，例如蓝色芯片与黄色荧光 粉混光后可获得白光，而混光结果若再搭配红色焚光粉的使用，则可以呈 现出暖白光。
为提升混光后的演色性(Color Rendering Index, CRI )，可在半球型 透镜10下进一步设置一体积较小的色芯片31、 32、 33，例如可设置一小 体积的红色芯片，使得增加对红色物体的演色性。
惟上述各实施例是用以说明本发明的特点，其目的在使熟习该技术者 能了解本发明的内容并据以实施，而非限定本发明的专利范围，故凡其它 未脱离本发明所揭示的精神而完成的等效修饰或修改，仍应包含在以下所
述的申请专利范围中。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所 作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1、一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其特征在于其包括以下步骤设定一第一同心圆，其是形成在一半球型透镜底面侧，且以该半球型透镜的镜轴为圆心；以及排列至少一第一色芯片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片，其是设置在该第一同心圆上，并依序以等间距方式排列。
2、 根据权利要求1所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其中所述的该第一色芯片、该第二色芯片及该第三色芯片 是由一红色芯片、 一绿色芯片及一蓝色芯片所组成。
3、 根据权利要求2所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其中所述的该些色芯片是以红-绿-蓝方式排列的。
4、 根据权利要求1所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其具有一该第一色芯片、二该第二色芯片及一该第三色芯 片。
5 、根据权利要求4所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其中所述的色芯片是以红-绿-绿-蓝方式排列的。
6 、根据权利要求1所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其中所述的该第一色芯片、该第二色芯片及该第三色芯片 均具有一底， 每一该底面是相互平行。
7 、 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其特征在于其 包括以下步骤设定一第二同心圓，其是形成在一半球型透镜底面侧，且以该半球型透 镜的镜轴为圆心；排列复数个第一色芯片，其是设置至少三该第一色芯片在该第二同心 圓上，且每一该第 一 色芯片是以等间距方式排列的；设定一第三同心圆，其是形成在该半球型透镜底面侧，且以该半球型透 镜的镜轴为圓心，又该第三同心圆的半径是大于该第二同心圆；以及排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片，其是分别设置至少三该 第二色芯片及至少三该第三色芯片，且该些第二色芯片及该些第三色芯片 是设置在该第三同心圓上，并以交错等间距方式排列。
8 、根据权利要求7所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方 法，其特征在于其中该些第一色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯片 是由复数个红色芯片、复数个绿色芯片及复数个蓝色芯片所组成。
9、根据权利要求7所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其特征在于其中所述的该些第 一 色芯片是以正三角形方式排列。
10、 根据权利要求7所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中该些第一色芯片、该些第二色芯片及该些第三色芯 片均具有一底面，且每一该底面是相互平行。
11、 根据权利要求7所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中所述的每一该第二色芯片的中心与顺时针方向的每 一该第三色芯片的中心是与该第三同心圓的圆心形成40°夹角，又每一该 第二色芯片的中心与逆时针方向的每一该第三色芯片的中心是与该第三同 心圆的圆心形成80。夹角。
12、 一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包括下列步骤设置一第四色芯片，其是设置在一半球型透镜的镜轴； 设定一第四同心圓，其是形成在该半球型透镜底面侧，且以该第四色芯 片为圓心；以及排列复数个第二色芯片及复数个第三色芯片，其是分别设置至少三该 第二色芯片及至少三该第三色芯片，且该些第二色芯片及该些第三色芯片 是设置在该第四同心圓上，并以交错等间距方式排列。
13、 根据权利要求12所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中所述的该第四色芯片、该些第二色芯片及该些第三 色芯片是由 一红色芯片、复数个绿色芯片及复数个蓝色芯片所组成。
14、 根据权利要求12所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中所述的第四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色 芯片是由 一绿色芯片、复数个红色芯片及复数个蓝色芯片所组成。
15、 根据权利要求12所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中所述的第四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色 芯片是由 一蓝色芯片、复数个红色芯片及复数个绿色芯片所组成。
16、 根据权利要求12所述的单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列 方法，其特征在于其中所述的第四色芯片、该些第二色芯片及该些第三色 芯片均具有一底面，且每一该底面是相互平行。
全文摘要
本发明是关于一种单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法，其包括下列步骤设定第一同心圆；以及排列至少一第一色芯片、至少一第二色芯片及至少一第三色芯片。第一同心圆以半球型透镜的镜轴为圆心形成在其底面侧，又各色芯片是依序以等间距方式排列在第一同心圆上，使得各色芯片在半球型透镜下可呈现对称的光型，进而获得混光更均匀的光场，并且，本发明单透镜下多颗发光二极管芯片的多域排列方法还可使得复数个发光二极管芯片形成最密排列，可缩小整体体积。
文档编号H01L25/075GK101685814SQ200810161420
公开日2010年3月31日 申请日期2008年9月25日 优先权日2008年9月25日
发明者何宜霖, 曾柏铭, 林钧闵, 温士逸, 王志明 申请人:海立尔股份有限公司