专利名称：晶片背面缺陷的监测方法和系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶片背面缺陷的监测方法和系统。
背景技术：
—般说来，半导体制造过程分为前段工艺(front end of line, FE0L)和后段工艺 (back end of line, BE0L)，以90nm及其以下特征尺寸的半导体制造为例，所述前段工艺包括 阱区形成、热氧化、栅极形成和源漏注入等，所述后段工艺主要包括形成多层的金属互连层。
在半导体制造过程中，通常将晶片的一面作为工作面(称为正面)用于制作集成 电路芯片，而基座或机械手上的吸盘吸在晶片的另一面(称为背面)，从而将晶片固定或在 不同设备之间转移。 经过前段工艺后，晶片的背面一般均具有多层叠加的膜层，例如，
图1所示为经过 前段工艺后的晶片背面的剖面图，图中晶片10背面17朝上，并且未示出晶片正面18的半 导体器件结构；如图所示，所述晶片10背面17的从表面自下而上为多晶硅层20、氧化硅 层30和氮化硅层40。上述晶片10背面17的叠加膜层均是在前段工艺过程中形成的，其中， 多晶硅层20为栅极形成过程的产物，氧化硅层30为热氧化过程的产物，氮化硅层40为栅 极保护层形成过程的产物。上述叠加的膜层在后段工艺中仍然保留，但是后段工艺中需要 采用湿法清洗去除晶片背面17残留的金属，制作多层金属互连层就会多次进行湿法清洗， 这一湿法清洗仅作用于晶片背面，而湿法清洗的洗液对晶片背面的所述叠加的膜层将造成 腐蚀，严重时会形成较大的凹坑或凹槽状的缺陷。 后段工艺中形成的这些凹坑或凹槽状的缺陷，图2为晶片背面缺陷的显微照片，
图中的缺陷为凹坑，这样的缺陷使晶片背面不平整，从而导致基座或机械手上的吸盘不能
将晶片紧密吸合，引起实际的生产中经常发生晶片在基座或机械手上吸不牢的问题，影响
了制造工艺的可靠性和准确性，严重时晶片掉落摔碎，导致产量的损失。
发明者李磊, 赵简 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司