专利名称：薄膜构造体的制造方法
技术领域：
本发明涉及形成平坦化上表面的薄膜构造体的制造方法，尤其是涉及采 用一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形，同时还能形成平坦的上表面的薄 膜构造体的制造方法，属于微电子制造领域。本发明还涉及一种边缘电场型 液晶显示器阵列基板的制造方法。
背景技术：
薄膜工艺广泛应用于微电子的制造。其一般工艺步骤为，在平坦的母材 上沉积金属层、绝缘层、半导体层等多种薄膜，通过光刻工艺形成图形，实 现其电路功能。所谓光刻工艺是通过预先设计的掩膜板通过曝光和显影在薄 膜上形成感光层(光刻胶)，并通过蚀刻去掉没有被感光层覆盖区域的薄膜， 在薄膜上形成图形的方法。
薄膜工艺中，由于各个层的所要形成的图形不同，不可避免的各图形的 某些线段会上下交叉叠加，比如液晶显示器的阵列基板的栅线和数据线等。 由于先沉积的薄膜在平坦的母材上形成了图形，因此，会突出于母材一定高 度，虽说此高度很微小，但在上面依次沉积其他薄膜时，上部的薄膜会形成 越来越大的段差。这种段差加大，会导致某层图形中的交叠处发生断线，该 断线不仅会使该层的电路断开，还可能导致原本相互隔绝的层连接在一起， 形成短路。
下面，以现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造方法为例，说明 段差的形成。
请参阅图1A-1E,图1A为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造 过程中，第一次光刻工艺后的截面图；图1B为现有的边缘电场型液晶显示器 阵列基板的制造过程中，第二次光刻工艺后的截面图；图1C为现有的边缘电 场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第三次光刻工艺后的截面图；图1D为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第四次光刻工艺后
的截面图；图1E为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第 五次光刻工艺后的截面图。制造步骤简述如下。
首先提供一母板10，通过第一次光刻工艺在母板10上形成公共电极11, 如图1A所示；继续沉积栅金属层于母板10上，并通过第二次光刻工艺形成栅 线及与栅线一体的栅电极12,如图IB;然后，沉积栅绝缘层13于母板10上， 并覆盖栅线、栅电极12及公共电极11，然后，继续沉积半导体层14和掺杂 半导体层15及源漏金属层，通过第三次光刻工艺采用双调(dual-tone)掩 膜板，形成TFT沟道、源电极16和漏电极17,如图1C;然后，沉积钝化层 18将整个母板10覆盖住，并通过第四次光刻工艺，形成过孔181,如图1D; 最后，沉积透明导电材料，通过第五次光刻工艺形成像素电极19，如图1E。
可从图1A-1E看出，上述方法得到的结构，由于栅电极和公共电极突出 的设置在母板上，形成在栅电极和公共电极上面的薄膜层会形成段差，会导 致的断线和短路等问题发生。
另一方面，由于薄膜工艺中使用的掩膜板的造价非常昂贵，随着薄膜工 艺的进一步发展，如何减少使用的掩膜板的数量，即通过一个掩膜板在连续 沉积的多层薄膜上分别形成图形，已成为业内降低成本，提高竟争力的关键 所在。现有技术中一般采用双调(dual-tone )掩膜板来代替2个普通的掩膜 板来实现减少掩膜板使用数的目的。所谓双调(dual-tone )掩膜板为灰调掩 膜4反(gray-tone mask)或半调掩膜板(half-tone mask)。灰调掩膜斧反 (gray-tone mask)是形成有光栅图形的掩膜板。半调掩膜板(half-tone mask)为形成有不同厚度的掩膜板。
但是，现有技术中还没有公开通过一个掩膜板在多层薄膜上分别形成图 形的同时，还能使多层薄膜的图形的上表面形成平坦化的表面，达到减少断 线及短路发生的同时，还能减少掩膜板的使用数的技术方案
发明内容
本发明的目的是提供一种薄膜构造体和边缘电场型液晶显示器阵列基 板的制造方法，使其能够采用 一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形的同 时，还能形成平坦的上表面。
为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜构造体的制造方法，包括如下
步骤
步骤1:提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深；
步骤2:在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质
层；
步骤3:对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有第 一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第 一物质层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种边缘电场切换型液晶显示器阵列 基板的制造方法，所述阵列基板由显示区域和非显示区域构成，所述非显示 区域包括位于显示区域之间的TFT区域及配线区域，该配线区域包括栅线区 域及公共电极区域，该方法包括如下步骤
步骤1、提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深，其中所述第一凹部对应于所述栅线区域及所述TFT区域，所 述第二凹部对应于所述公共电极区域；
步骤2、在所述母板上连续沉积具有不同厚度的透明导电层及栅金属层；
步骤3、对完成步骤2的母板进4亍研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有透明导电层及栅金属层，所述第二凹部内只具有透明导电层。
由上述技术方案可知，本发明具有以下有益效果
1、本发明的薄膜构造体的制造方法，通过在母板上蚀刻出第一区域和第 二区域，将第一物质层及第一物质层分别埋设于第一区域和第二区域内，避 免了因形成的图形突出而引起的段差的发生，杜绝了因段差引起的断线及短 路，提高了良品率。2、 本发明的薄膜构造体的制造方法，通过一个掩膜板将第一物质层和第
一物质层分别形成在第一区域和第二区域内，相比现有的制造方法，节省了 一个掩膜板数量，简化了工艺，降低了成本。
3、 本发明的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造方法，通过一个掩 膜板在母板内形成第 一凹部及第二凹部，将栅线及4册电极形成于第 一凹部 内，将公共电极形成于第二凹部内，解决了栅线、栅电极及公共电极图形 突出形成在基板上形成段差的问题，杜绝了因段差引起的断线及短路，提高 了良品率。同时，还节省了一个掩膜板的使用数，简化了工艺，降低了成本。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1A为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第一次光 刻工艺后的截面图1B为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第二次光 刻工艺后的截面图1C为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第三次光 刻工艺后的截面图1D为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第四次光 刻工艺后的截面图1E为现有的边缘电场型液晶显示器阵列基板的制造过程中，第五次光 刻工艺后的截面图2为本发明的薄膜构造体的制造方法的流程图3A为本发明在母板上形成感光层后的截面图3B为图3A的母板经蚀刻后的截面图3C为图3B的母板经灰化处理后的截面图3D为图3C的母板经蚀刻后的截面图；图3E为图3D的母板经去胶后的截面图4A为本发明的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法中，在 母^^反上形成感光层后的截面图4B为图4A的母板经蚀刻后的截面图4C为图4B的母板经灰化处理后的截面图4D为图4C的母板经蚀刻后的截面图4E为图4D的母板经去胶后的截面图4F为在图4E的母板上沉积第一物质层后的截面图4G为在图4F的母板上沉积第二物质层后的截面图4H为对图4G的母板进行研磨后的截面图5为本发明边缘场切换型液晶显示器阵列基板的像素结构的剖面图。
lO-母板；
12-栅电极；
14-半导体层；
16-源电极；
18-钝化层；
181-过孔；
101-第一物质层;
201-第一凹部；
301-TFT区域
11-公共电极；
13-栅绝缘层；
15-掺杂半导体层；
17-漏电极；
19-像素电极；
100-感光层；
102-第二物质层；
202-第二凹部；
302-公共电极区域。
具体实施例方式
实施例1
请参阅图2，为本发明薄膜构造体的制造方法的流程图，包括如下步骤: 步骤1:提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深；步骤2:在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质
层；
步骤3:对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有第 一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第 一物质层。 下面结合图3A-3E来详细说明本发明薄膜构造体的制造方法。 请参阅图3A-3E，图3A为本发明在母板上形成感光层后的截面图；图3B 为图3A的母板经蚀刻后的截面图；图3C为图3B的母板经灰化处理后的截面 图；图3D为图3C的母板经蚀刻后的截面图；图3E为图3D的母板经去胶后 的截面图。
上述步骤l:提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一 凹部比第二凹部深，具体包括如下步骤。
步骤ll:提供具有平坦的上表面的母板。
步骤12:采用双调掩膜板，在所述母板的上表面形成第一凹部及第二凹 部。双调掩膜板为灰调掩膜板(gray-tone mask)或半调掩膜板(half-tone mask)。下面详细说明步骤12,该步骤12具体包括如下的步骤。
步骤121:在母板10上涂上一层光刻胶，通过双调掩膜板对光刻胶进行 曝光及显影处理，形成感光层IOO，该感光层IOO暴露出所要形成第一凹部 的区域，且在所要形成第二凹部的区域具有第一厚度，在其余区域具有第二 厚度，该第一厚度比第二厚度要薄，如图3A。
步骤122:对母板10进行蚀刻，蚀刻掉暴露出的区域的母板IO，形成第 一凹部201,如图3B。此时，可以采用湿法蚀刻或干法蚀刻进行，湿法蚀刻 虽然能大面积进行，但很难控制蚀刻程度，相反，干法蚀刻虽不能进行大面 积蚀刻，但具有能够精确控制蚀刻程度优势，因此，为了避免蚀刻出第一凹 部时过度蚀刻导致穿透母板，优选采用干法蚀刻进行。
步骤123:对所述感光层IOO进行灰化工艺，暴露出所要形成第二凹部 的区域的母板IO，如图3C。此时，通过灰化工艺去掉了感光层100的相当于第一厚度程度的厚度，因此，具有第一厚度的所要形成第二凹部的区域的感
光层10(^皮去掉，暴露出母板IO。
步骤124:蚀刻所要形成第二凹部的区域的母板IO,形成第二凹部202， 如图3D。此时，如果采用湿法蚀刻，会使第一凹部被再一次蚀刻，因此，第 一凹部的深度自然大于第二凹部的深度。此步骤的蚀刻也可以采用干法蚀刻 单独对所要形成第二凹部的区域的母板进行蚀刻，但蚀刻深度要小于第一凹 部的深度，这样，可避免湿法蚀刻时条件控制不当而使第一凹部201穿透母 板10的情况发生。
步骤125:去掉剩余的感光层IOO,如图3E。
另外，还可以在基板上沉积一层薄膜后，对该薄膜进行上述的步骤，形 成第一凹部及第二凹部，这种方案的优点在于，不用担心蚀刻时基板被穿透 掉，因此，可采用湿法蚀刻来进行大面积的蚀刻，有利于降低成本。
上述步骤3中对完成步骤2的母板进行研磨的步骤，具体如下。
当沉积的第 一物质层的厚度大于第二凹部的深度时，依次研磨第二物质 层及第一物质层，使第一凹部及第二凹部之外的部分的母板的上表面暴露为 止。这样，就能得到第一凹部及第二凹部的上表面与母板的上表面齐平的一 个平坦面，且在第二凹部内仅存在第一物质层。
当沉积的第一物质层的厚度小于第二凹部的深度时，就需要依次研磨第 二物质层、第一物质层及母板，使第二凹部内的第一物质层的上表面暴露为 止。
另外，所述的研磨可以采用化学才几械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)工艺进行。
综上所述，本发明的薄膜构造体的制造方法，通过在母板上蚀刻出第一 区域和第二区域，将第一物质层和第一物质层埋设于第一凹部和第二凹部内 而得到平坦化上表面，避免了因形成的图形突出而引起的段差的发生，杜绝 了因段差引起的断线及短路，提高了良品率。另外，通过一个双调掩膜板将
ii分别形成在第一凹部和第二凹部两种图形，相比现有的制造方法，节省了一 个掩膜板数量，简化了工艺，降低了成本。
实施例2
本发明的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法，所述阵列基 板由显示区域和非显示区域构成，所述非显示区域包括位于显示区域之间的
TFT区域及配线区域，所述配线区域包括栅线区域及公共电极区域，其包括 如下步骤。
步骤1:提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深，其中所述第一凹部对应于栅线区域及TFT区域，第二凹部对
应于公共电极区域。
步骤2:在所述母板上连续沉积具有不同厚度的透明导电层及栅金属层。
步骤3:对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有透明导电层及栅金属层，所述第二凹部内只具有透明导电层。
下面结合图4A-4H及图5来详细说明本发明的边缘电场切换型液晶显示 器阵列基板的制造方法。
请参阅图4A-4H及图5,图4A为本发明的边缘电场切换型液晶显示器阵 列基板的制造方法中，在母板上形成感光层后的截面图；图4B为图4A的母 板经蚀刻后的截面图；图4C为图4B的母板经灰化处理后的截面图；图4D为 图4C的母板经蚀刻后的截面图；图4E为图4D的母板经去胶后的截面图；图 4F为在图4E的母板上沉积第一物质层后的截面图；图4G为在图4F的母板 上沉积第二物质层后的截面图；图4H为对图4G的母板进4亍研磨后的截面图； 图5为本发明边缘场切换型液晶显示器阵列基板的像素结构的剖面图。
本发明的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法，具体包括如 下步骤。
步骤ll:提供具有平坦的上表面的母板。
步骤12:在母板10上涂上一层光刻胶，采用双调掩膜板在所述母板10的上表面形成感光层100，且该感光层IOO暴露出栅线区域(未图示)及TFT 区域301的母板，所述感光层在所述公共电极区域302具有第一厚度，在所 述配线区域及TFT区域之外的区域具有第二厚度，所述第一厚度比所述第二 厚度薄，如图4A。
步骤13:蚀刻所述栅线区域及TFT区域301的母板，形成第一凹部，如 图4B。蚀刻时为了避免蚀刻出第一凹部时过度蚀刻导致穿透母板，优选采用 干法蚀刻进行。
步骤14:对所述感光层进行灰化工艺，暴露出公共电极区域302的母板， 如图4C。此时，通过灰化工艺去掉了感光层100的相当于第一厚度程度的厚 度，因此，具有第一厚度的公共电极区域302的感光层IOO被去掉，暴露出 母板IO。
步骤15:蚀刻所述公共电机区域302的母板，形成第二凹部，如图4D。 此时，如果采用湿法蚀刻，会使第一凹部被再一次蚀刻，因此，第一凹部的 深度自然大于第二凹部的深度。此步骤的蚀刻也可以采用干法蚀刻单独对所 要形成第二凹部的区域的母板进行蚀刻，但蚀刻深度要小于第一凹部的深度， 这样，可避免湿法蚀刻时条件控制不当而使第一凹部201穿透母板10的情况 发生。
步骤16:去掉剩余感光层IOO,如图4E。
步骤17、在完成步骤16的母板10上沉积透明导电层(即第一物质层 101)，如图仆所示，优选透明导电层的沉积厚度大于或等于第二凹部的蚀 刻深度，且小于第一凹部的蚀刻深度，该透明导电层为IZO层或ITO层。
步骤18、在完成步骤31的母板10上，沉积栅金属层(即第二物质层12 )， 如图4G，优选使沉积的栅金属层完全填充第一凹部201。
步骤19、研磨母板IO,形成平坦的上表面，且所述第一凹部201内具有 透明导电层(即第一物质层11)及栅金属层(即第二物质层12 ),所述第二 凹部202内只具有透明导电层(即第一物质层ll)，第一凹部内的4册金属层即成为栅线及与栅线一体的栅电极，第二凹部内的透明导电层即成为公共电
极，如图4H。具体为，当沉积的透明导电层(即第一物质层11)的厚度大于 第二凹部的深度时，依次研磨捬金属层(即第二物质层12 )及透明导电层(即 第一物质层ll)，使母板的第一凹部及第二凹部之外的部分的上表面暴露为 止。这样，就能得到第一凹部及第二凹部的上表面与母板的上表面齐平的一 个平坦面，且在第二凹部内l又存在透明导电层(即第一物质层11)，形成公 共电极，如果第二凹部内还剩余栅金属层，就会影响显示区域的透光，降低 液晶显示器的显示品质。当沉积的透明导电层(即第一物质层ll)的厚度小 于第二凹部的深度时，就需要依次研磨栅金属层(即第二物质层12)、透明 导电层(即第一物质层ll)及母板，使第二凹部内的透明导电层(即第一物 质层ll)的上表面暴露为止。另外，步骤17和18之间还可以先进行一次研 磨模板的步骤，使得栅金属层(即第一物质层)沉积在平坦的表面上，更易 于进行操作。
在完成步骤19而形成栅线、栅电极及公共电极的平坦化基板上，可以按 照现有的制造方法，继续形成栅绝缘层、有源层(半导体层及掺杂半导体层)、 源漏电极、TFT沟道、绝缘层、过孔及像素电极，如图5，具体制造步骤在此 不再赘述。
从图5可以看出，通过本发明的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的 制造方法得到的阵列基板的源漏金属层，有源层皆形成在平面上，不存在段 差，可完全避免段差引起的断线或短路。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进 行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技 术人员应当理解其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换， 而这些1奮改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的 精神和范围。
权利要求
1、一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深；步骤2在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；步骤3对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。
2、 根据权利要求1所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨第二物质层及第一物质层，使母板的第一凹部及第二凹部之外的部分的上表面暴露为止。
3、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨第二物质层、第一物质层及母板，使第二凹部内的第一物质层的上表面暴露为止。
4、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括步骤ll:提供具有平坦的上表面的母板；步骤12:采用双调掩膜板，在所述母板的上表面形成第一凹部及第二凹部。
5、 根据权利要求4所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤12中所述的双调掩膜板为灰调掩膜板或半调掩膜板。
6、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括步骤ll，提供具有平坦上表面的母板；步骤12，在所述母板上至少沉积一层薄膜，并通过光刻工艺形成第一凹部及第二凹部。
7、 根据权利要求l所述的薄膜构造体的制造方法，其特征在于，所述步 骤3所述的研磨母板的步骤为通过化学机械抛光工艺对母板进行掩膜。
8、 一种边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法，所述阵列基板 由显示区域和非显示区域构成，所述非显示区域包括位于显示区域之间的TFT 区域及配线区域，该配线区域包括栅线区域及公共电极区域，其特征在于包 括如下步骤步骤1、提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深，其中所述第一凹部对应于所述栅线区;或及所述TFT区域，所 述第二凹部对应于所述公共电极区域；步骤2、在所述母板上连续沉积具有不同厚度的透明导电层及栅金属层； 步骤3、对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有透明导电层及栅金属层，所述第二凹部内只具有透明导电层。
9、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方 法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨栅 金属层及透明导电层，使母板的第一凹部及第二凹部之外的部分的上表面暴 露为止。
10、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤3中对母板进行研磨的步骤具体为，依次研磨 第二物质层、第一物质层及母板，使第二凹部内的第一物质层的Ji^面暴露为止。
11、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤l具体包括步骤ll:提供具有平坦的上表面的母板；步骤12:采用双调掩膜板在所述母板的上表面形成感光层，且该感光层 暴露出所述栅线区域及所述TFT区域的母板，所述感光层在所述公共电极区 域具有第一厚度，在所述配线区域及TFT区域之外的区域具有第二厚度，所 述第 一厚度比所述第二厚度薄；步骤13:蚀刻所述栅线区域及TFT区域的母板，形成第一凹部； 步骤14:对所述感光层进行灰化工艺，暴露出公共电极区域的母板； 步骤15:蚀刻所述公共电机区域的母板，形成第二凹部； 步骤16:去掉剩余感光层。
12、 根据权利要求11所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤12中所述的双调掩膜板为灰调掩膜板或半调掩膜板。
13、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤l具体包括步骤ll，提供具有平坦上表面的母板；步骤12，在所述母板上至少沉积一层薄膜，并采用双调掩膜板在所述薄 膜的上表面形成感光层，且该感光层暴露出栅线区域的薄膜，所述感光层在 所述公共电极区域具有第一厚度，在所述配线区域及TFT区域之外的区域具 有第二厚度，所述第一厚度比所述第二厚度薄；步骤13，蚀刻所述栅线区域的薄膜，形成第一凹部； 步骤14，对所述感光层进行灰化工艺，暴露出公共电极区域的薄膜； 步骤15，蚀刻所述公共电机区域的薄膜，形成第二凹部； 步骤16，去掉剩余感光层。
14、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤3所述的研磨母板的步骤为通过化学机械抛光 工艺对母板进行掩膜。
15、 根据权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造 方法，其特征在于，所述步骤l具体包括步骤ll，，提供具有平坦上表面的母板；步骤12":在所述母板上至少沉积一层光固化薄膜，并采用双调掩膜板对 所述光固化薄膜的上表面进行曝光及显影处理，形成第一凹部及第二凹部， 其中所述第一凹部对应于栅线区域，第二凹部对应于公共电极区域。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深；在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；对母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。本发明还公开了一种边缘电场切换型液晶显示器阵列基板的制造方法。本发明能够采用一个掩膜板在两层薄膜上分别形成图形的同时，还能形成平坦的上表面。
文档编号H01L21/00GK101677058SQ200810222550
公开日2010年3月24日 申请日期2008年9月19日 优先权日2008年9月19日
发明者刘圣烈, 宋泳锡, 崔承镇 申请人:北京京东方光电科技有限公司