专利名称：薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的cof薄膜卷带的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种薄膜覆晶封装构造及薄膜覆晶封装的COF薄膜卷带，特别是涉及一种可降低应力的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带。
背景技术：
过去全球驱动IC大部分以TCP封装方式为主，包括液晶显示器(liquidcrystal display，LCD)的驱动IC也采用TCP封装方式，不过基于成本考量、微细脚距(Fine Pitch)、基板可挠性以及被动元件的搭载等因素影响下，采用COF封装方式应用于LCD液晶面板的比例亦逐渐增加。习知TCP封装方式中，基板至少为3层的结构，其是为基材(大部分为PI)、黏着层(Adhesive)及铜层，其中基材的厚度是约为75微米(μm)、黏着层的厚度是约为10微米(μm)，而铜层的厚度是约为18-25微米(μm)，再加上晶片与封胶体的厚度，TCP封装构造的总厚度是约为600-1000微米，相较之下，COF封装方式中，基板是为2层的结构，分别为可挠性介电层(大部分为PI)及铜层，可挠性介电层的厚度是约为25-38微米(μm)，铜层的厚度是约为8微米(μm)，再加上晶片与封胶体的厚度，COF封装构造的总厚度约为400-700微米，COF封装构造的厚度是明显小于TCP的封装构造的厚度，且TCP的基板有3层，当组装于LCD液晶面板时具有弯折不易的缺点，且引脚密度较小。
请参阅图1所示，习知薄膜覆晶封装构造100主要包含一COF薄膜卷带110、一晶片120以及一封胶体130。该COF薄膜卷带110是包含有一可挠性介电层111及一引线层112，该可挠性介电层111是具有一上表面113及一下表面114，该引线层112是包含复数个第一引线115以及复数个第二引线116，该些第一引线115与该些第二引线116是具有复数个第一内接指115a与复数个第二内接指116a。该晶片120的一主动面121是具有复数个金凸块122，该晶片120是设置于该COF薄膜卷带110上，且该些凸块122是电性连接该些第一内接指115a与该些第二内接指116a，该封胶体130是形成于该晶片120与该COF薄膜卷带110之间，以密封该些凸块122、该些第一内接指115a与该些第二内接指116a。然而，该薄膜覆晶封装构造100于点涂该封胶体130后必须先经过较低温的预固化阶段，使该封胶体130的外观先固化完成，接着再提高温度，以进行该封胶体130的内部固化程序，因而使残留应力变大而造成该COF薄膜卷带110的该可挠性介电层111的该上表面113及该下表面114朝向该晶片120方向收缩变形，因而影响外观，此外更会造成该封胶体130、该引线层112及晶片120形成分层，使得水气进入该薄膜覆晶封装构造100而影响该晶片120与该引线层112的电性连接。
请参阅图2所示，其是为改善上述习知薄膜覆晶封装构造100所创作的另一种习知薄膜覆晶封装构造200，主要包含一COF薄膜卷带210、一晶片220、一封胶体230以及一支撑板240。该COF薄膜卷带210是包含有一可挠性介电层211及一引线层212，该可挠性介电层211是具有一上表面213及一下表面214，该引线层212是包含复数个第一引线215以及复数个第二引线216。该晶片220是设置于该COF薄膜卷带210上且该晶片220的一主动面221上的复数个凸块222是电性连接该些第一引线215的复数个第一内接指215a与该些第二引线216的复数个第二内接指216a，该封胶体230是形成于该晶片220与该COF薄膜卷带210之间，以密封该些凸块222、该些第一内接指215a与该些第二内接指216a。该支撑板240是设置于该可挠性介电层211的该上表面213以防止该可挠性介电层211因收缩而产生皱折，但是由于该支撑板240的材质与该可挠性介电层211的材质是不相同，会有附着力不佳以及使该薄膜覆晶封装构造200厚度增加的困扰。
由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装构造在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的薄膜覆晶封装构造存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的薄膜覆晶封装构造，便成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，本设计人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的薄膜覆晶封装构造，能够改进一般现有的薄膜覆晶封装构造，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，而提供一种新型的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其一COF薄膜卷带是包含有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层是具有一开口，且该开口是位于该可挠性介电层的一晶片接合区内并贯穿该可挠性介电层的一上表面与一下表面，一晶片是设置于该COF薄膜卷带上且与该COF薄膜卷带电性连接，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该晶片上的复数个凸块、该引线层内的复数个第一内接指与复数个第二内接指。藉由该开口可避免封胶后的应力残留，并且可提高该薄膜覆晶封装构造内的排气效果，避免该薄膜覆晶封装构造分层断裂，从而更加适于实用。
本实用新型的另一目的在于，提供一种新型的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其开口具有至少一角隅且该角隅是具有一弧角，避免应力集中于该角隅而导致该可挠性介电层断裂，从而更加适于实用。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种薄膜覆晶封装构造，包含一COF薄膜卷带，其是包含有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层是具有一上表面、一下表面以及一开口并定义有一晶片接合区，其中该开口是位于该晶片接合区内且贯穿该上表面与该下表面，该引线层是形成于该可挠性介电层上，该引线层是包含复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线是具有复数个第一内接指，该些第二引线是具有复数个第二内接指；一晶片，其是具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上，且该些凸块是电性连接该些第一内接指与该些第二内接指；以及一封胶体，其是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一内接指与该些第二内接指。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以可采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的开口是具有至少一角隅且该角隅是具有一弧角。
前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的弧角的弧长半径是为0.2毫米(mm)。
前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的开口的宽度是等于该些第一引线与该些第二引线间的距离。
前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的开口的宽度是小于该晶片的宽度。
本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种覆晶封装的COF薄膜卷带，包含一可挠性介电层，其是具有一上表面、一下表面以及一开口并定义有一晶片接合区，其中该开口是位于该晶片接合区内且贯穿该上表面与该下表面；以及一引线层，其是形成于该可挠性介电层上，该引线层是包含复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线是具有复数个第一内接指，该些第二引线是具有复数个第二内接指。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其中所述的开口是具有至少一角隅且该角隅是具有一弧角。
前述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其中所述的弧角的弧长半径是为0.2毫米(mm)。
前述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其中所述的开口的宽度是等于该些第一引线与该些第二引线间的距离。
经由上述可知，本实用新型有关于一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带是包含有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层是定义有一晶片接合区，该可挠性介电层具有一开口，该开口是位于该晶片接合区内并贯穿该可挠性介电层的一上表面与一下表面，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上且该晶片的复数个凸块是电性连接该引线层的复数个第一引线以及复数个第二引线，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一引线的复数个第一内接指以及该些第二引线的复数个第二内接指，该开口是可避免封胶后的应力残留而造成该可挠性介电层、该晶片与该封胶体形成分层断裂且提高排气的功效。
借由上述技术方案，本实用新型薄膜覆晶封装构造至少具有下列优点1、可避免封胶后的应力残留而造成该薄膜覆晶封装构造分层断裂；2、提高封胶时排气，以避免气泡被包覆于该封胶体；3、覆晶封装的COF薄膜卷带的该开口具有弧角，可避免应力集中而导致该可挠性介电层断裂。
综上所述，本实用新型具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的薄膜覆晶封装构造具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是习知薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图2是习知另一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图3是依据本实用新型的一具体实施例，一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图4是依据本实用新型的一具体实施例，该薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图。
100薄膜覆晶封装构造110COF薄膜卷带111可挠性介电层112引线层113上表面 114下表面115第一引线115a第一内接指116第二引线116a第二内接指120晶片121主动面122凸块130封胶体200薄膜覆晶封装构造210COF薄膜卷带211可挠性介电层212引线层213上表面 214下表面215第一引线215a第一内接指216第二引线216a第二内接指220晶片221主动面222凸块230封胶体240支撑板 300薄膜覆晶封装构造310COF薄膜卷带 311可挠性介电层312引线层 313上表面314下表面 315开口315a角隅 316晶片接合区317第一引线317a第一内接指318第二引线318a第二内接指319阻焊层 320晶片321主动面 322凸块330封胶体 D第一引线与第二引线间的距离Wi开口宽度 W2晶片宽度具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，
以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的薄膜覆晶封装构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3所示，本实用新型的一具体实施例是揭示一种薄膜覆晶封装构造300，主要包含一COF薄膜卷带310、一晶片320以及一封胶体330。该COF薄膜卷带310是包含有一可挠性介电层311及一引线层312，该可挠性介电层311是具有一上表面313、一下表面314以及一开口315并定义有一晶片接合区316，该可挠性介电层311的厚度是约为20-35微米(μm)，其材质是可为聚酰亚胺(PI)，请参阅图4所示，在本实施例中，该开口315是位于该晶片接合区316内且贯穿该上表面313与该下表面314，其中该开口315是具有复数个角隅315a且该些角隅315a是具有弧角，藉由弧角避免应力集中于该些角隅315a而导致该可挠性介电层311断裂，弧角的弧长半径是为0.2毫米(mm)，该开口315的宽度W1是小于该晶片320的宽度W2。该引线层312是形成于该可挠性介电层311上，该引线层312的厚度是约为5-12微米(μm)，该引线层312是包含复数个第一引线317以及复数个第二引线318，该些第一引线317与该些第二引线318的材质是为铜，其中该些第一引线317是具有复数个第一内接指317a，该些第二引线318是具有复数个第二内接指318a，本实施例中，该开口315的宽度W1是等于该些第一引线317与该些第二引线318间的距离D。请再参阅图3所示，该晶片320的一主动面321是具有复数个凸块322，该些凸块322是为金凸块，该晶片320是设置于该晶片接合区316，且该些凸块322是电性连接该些第一内接指317a与该些第二内接指318a，该封胶体330是形成于该晶片320与该COF薄膜卷带310之间并填入该开口315，以密封该些凸块322、该些第一内接指317a与该些第二内接指318a。此外，该COF薄膜卷带310是另包含有一阻焊层319(solder resist)，其是形成于该可挠性介电层311上并显露该些第一内接指317a与该些第二内接指318a，以保护该些第一引线317与该些第二引线318，当该COF薄膜卷带310另包含有该阻焊层319时，该开口的该些角隅的弧角的弧长半径是为0.4毫米(mm)。该COF薄膜卷带310的该开口315是可避免封胶后的应力残留，并且可提高该薄膜覆晶封装构造300内的排气效果，避免该薄膜覆晶封装构造300分层断裂。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包括一COF薄膜卷带，其是包括有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层是具有一上表面、一下表面以及一开口并定义有一晶片接合区，其中该开口是位于该晶片接合区内且贯穿该上表面与该下表面，该引线层是形成于该可挠性介电层上，该引线层是包括复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线具有复数个第一内接指，该些第二引线是具有复数个第二内接指；一晶片，其是具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上，且该些凸块是电性连接该些第一内接指与该些第二内接指；以及一封胶体，其是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一内接指与该些第二内接指。
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中该开口是具有至少一角隅且该角隅是具有一弧角。
3.根据权利要求2所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中该弧角的弧长半径是为0.2毫米(mm)。
4.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中该开口的宽度是等于该些第一引线与该些第二引线间的距离。
5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中该开口的宽度是小于该晶片的宽度。
6.一种覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其包含一可挠性介电层，其是具有一上表面、一下表面以及一开口并定义有一晶片接合区，其中该开口是位于该晶片接合区内且贯穿该上表面与该下表面；以及一引线层，其是形成于该可挠性介电层上，该引线层是包含复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线是具有复数个第一内接指，该些第二引线是具有复数个第二内接指。
7.根据权利要求6所述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其中该开口是具有至少一角隅且该角隅是具有一弧角。
8.根据权利要求6所述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其中该弧角的弧长半径是为0.2毫米(mm)。
9.根据权利要求6所述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其中该开口的宽度是等于该些第一引线与该些第二引线间的距离。
专利摘要本实用新型是有关于一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带，该薄膜覆晶封装构造主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带包含有一可挠性介电层及一引线层，该可挠性介电层定义有一晶片接合区，该可挠性介电层具有一开口，该开口位于该晶片接合区内并贯穿该可挠性介电层的一上表面与一下表面，该晶片设置于该COF薄膜卷带上且该晶片的复数个凸块电性连接该引线层的复数个第一引线以及复数个第二引线，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口，以密封该些凸块、该些第一引线的复数个第一内接指以及该些第二引线的复数个第二内接指，该开口可避免封胶后的应力残留而造成该可挠性介电层、该晶片与该封胶体形成分层断裂且提高排气的功效。
文档编号H01L23/31GK2922126SQ20062001227
公开日2007年7月11日 申请日期2006年4月24日 优先权日2006年4月24日
发明者何志文, 杨志辉, 谢庆堂, 蔡坤宪, 林志松 申请人:飞信半导体股份有限公司