专利名称：用于电浆蚀刻制程的气体扩散板的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种用于电浆蚀刻制程的装置，特别是关于一种用于电浆蚀刻制程 的气体扩散板。
背景技术：
由于液晶显示器具有低耗电以及轻、薄等优点，目前已逐渐取代传统的阴极射线 管显示器。而在另一方面，由于科技的进步以及社会的需要，液晶显示器的尺寸也越来越 大。为了制作大尺寸的液晶显示器，吾人必须使用更大尺寸的玻璃基板。另外，为了降低生 产成本，液晶显示器面板的制造商也会在制程中使用大尺寸的玻璃基板，最后再将其切割 成较小的基板。然而，在利用大尺寸的玻璃基板制作液晶显示器时，常会遇到当初利用小尺寸的 玻璃基板制作液晶显示器所未遇到的问题。参考图1，一种现有实行电浆蚀刻制程的装置 100包含有一气体扩散板110及一电极120，气体扩散板110与电极120则位于一反应室 130 内。在实行电浆蚀刻制程时，是将预先布设有一层薄膜的玻璃基板140置于电极120 上，再由气体扩散板110将蚀刻气体150通入反应室130，以对玻璃基板140上的薄膜进行 蚀刻，形成所要的元件。另外，参考图2，为了要让蚀刻气体150均勻地通入反应室130，气 体扩散板110上设有数个均勻分布的开口 112。上述蚀刻气体150对薄膜进行蚀刻后，会从玻璃基板140的四周流出，并由泵160 抽离反应室130。因此，玻璃基板140四周表面上的蚀刻气体150的流量会较玻璃基板140 上中央区域的流量来得大，如此会造成玻璃基板140四周表面上的薄膜的蚀刻率较中央区 域的蚀刻率为高，使得蚀刻均勻性降低。而当玻璃基板140的尺寸越大时，此一现象会变得 更为明显。
发明内容本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，能够提高蚀刻的均勻性。本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特 征在于该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近该等边界处，各界 定有一边界区域，该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小，其中该气体扩散 板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，该等开口基本上仅设置在除了 该等边界区域以外的气体扩散板上。本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特 征在于该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近该等边界处，各界 定有一边界区域，该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小，在围绕该中心且在该等边界区域之间处，界定有一环形区域，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以 将蚀刻气体通入一反应室内，该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域与环形区域以外 的气体扩散板上。于第一实施例中，本发明的气体扩散板界定有一矩形区域，其具有四个边界与一 中心。在矩形区域内邻近边界处，各界定有一边界区域，该等边界区域的宽度由边界朝中心 逐渐缩小。而气体扩散板上除了边界区域的矩形区域内，设置有数个均勻分布的开口。于第二实施例中，在围绕中心且在边界区域之间的矩形区域内，进一步界定有一 环形区域，气体扩散板在该环形区域内亦未设置有开口。为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示， 作详细说明如下。
图1 为现有实行电浆蚀刻制程的装置。 图2 为用于图1的装置的气体扩散板。 图3 为本发明的实行电浆蚀刻制程的装置。 图4:为本发明的气体扩散板。 图5 为本发明的气体扩散板的另一态样。
100蚀刻装置 112 开口 130反应室 150蚀刻气体 300蚀刻装置 330反应室 350蚀刻气体 400气体扩散板 412中心 420边界区域 440环形区域
110气体扩散板 120电极 140基板 160泵 320电极 340基板 360泵
410矩形区域 414边界 430 开口
具体实施方式参考图3，本发明的实行电浆蚀刻制程的装置300包含有一气体扩散板400及一 电极320，其中气体扩散板400的尺寸为1300mm*1200mm，且其与电极320均位于一反应室 330 内。参考图4，本发明的气体扩散板400界定有一矩形区域410，其具有四个边界414 与一中心412。在矩形区域410内邻近边界414处，各界定有一边界区域420，该等边界区 域420的宽度由边界414朝中心412逐渐缩小，亦即边界区域420大体上呈拋物线形。而 气体扩散板400上除了边界区域420以外的矩形区域410内，设置有数个均勻分布的开口 430。在实行电浆蚀刻制程时，是将预先布设有一层薄膜，例如是氧化硅或氮化硅薄膜的玻璃基板340置于电极320上，再从气体扩散板400的开口 430通入蚀刻气体350，例如 是六氟化硫(SF6)气体或氯气(Cl2),以对玻璃基板340上的薄膜进行蚀刻，形成所要的元 件。上述蚀刻气体350对薄膜进行蚀刻后，会从玻璃基板340的四周流出，并由泵360 抽离反应室330。由于气体扩散板400是面对玻璃基板340，且其邻近边界414处的边界区 域420未设置有开口 430。因此，玻璃基板340四周表面上的蚀刻气体350的流量并不会较 玻璃基板340上其他区域的流量来得大，因此玻璃基板340四周表面上的薄膜的蚀刻率并 不会较中央区域的蚀刻率为高，蚀刻均勻性得以提高。除此之外，由于实际应用上的考量，反应室330的壁通常不会距离玻璃基板340太 远，亦即反应室330与玻璃基板340之间的间隙并不会太大。当玻璃基板340的尺寸越来 越大时，亦即所需要的蚀刻气体350的流量增大时，蚀刻气体350并无法即时地从玻璃基板 340四周宣泄出，造成蚀刻气体350朝向玻璃基板340的中心412流动，因而使得围绕玻璃 基板中心412的表面上的薄膜的蚀刻率过大。请参考图5，为解决上述问题，在围绕中心412且在边界区域420之间的矩形区 域410内，另界定有一环形区域440，气体扩散板400在该环形区域440内亦未设置有开口 430，亦即开口 430仅设置在除了边界区域420以及环形区域440以外的矩形区域410内。 如此，可有效降低蚀刻气体350在玻璃基板340中心的区域的流量，从而使得其上的薄膜蚀 刻率不会过高，因此提高蚀刻的均勻性。虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技 术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因 此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。
权利要求
一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近该等边界处，各界定有一边界区域，该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域以外的气体扩散板上。
2.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于该等边界区域的形状为拋物线形。
3.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于该蚀刻气体为六氟化硫气体或氯气。
4.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于该气体扩散板的尺寸约为 1300mm*1200mm。
5.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于该气体扩散板具有四个边界。
6.如权利要求1所述的气体扩散板，其特征在于该基板为玻璃基板。
7.如权利要求3所述的气体扩散板，其特征在于该基板上形成有一氧化硅或氮化硅 薄膜，该蚀刻气体是对该薄膜进行蚀刻。
8.一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近该等边界处，各界定有 一边界区域，该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小，在围绕该中心且在该 等边界区域之间处，界定有一环形区域，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀 刻气体通入一反应室内，该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域与环形区域以外的气 体扩散板上。
9.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于该等边界区域的形状为拋物线形。
10.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于该蚀刻气体为六氟化硫气体或氯气。
11.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于该气体扩散板的尺寸约为 1300mm*1200mm。
12.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于该气体扩散板具有四个边界。
13.如权利要求8所述的气体扩散板，其特征在于该基板为玻璃基板。
14.如权利要求10所述的气体扩散板，其特征在于该基板上形成有一氧化硅或氮化 硅薄膜，该蚀刻气体是对该薄膜进行蚀刻。
全文摘要
一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻。该气体扩散板具有数个边界与一中心，在气体扩散板上邻近边界处，各界定有一边界区域，该等边界区域的宽度由边界朝向中心逐渐缩小，其中气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入反应室，该等开口基本上仅设置在除了边界区域以外的气体扩散板上。本发明能够提高蚀刻的均匀性。
文档编号H01L21/00GK101989536SQ200910165099
公开日2011年3月23日 申请日期2009年7月30日 优先权日2009年7月30日
发明者王振斌 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司