薄膜晶体管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。现有技术中，在薄膜晶体管的制作过程中，在制作遮光层、栅极、源极、漏极或者是于薄膜晶体管相连的存储电容的时候，存在蚀刻制程。下面以遮光层为例进行描述，在制作遮光层的时候，首先设置一整层的金属层，然后通过蚀刻制程将整层的金属层蚀刻成为需要的形状，以形状遮光层。由于在制作的过程中需要蚀刻制程，因此会导致薄膜晶体管制作的时间周期较长。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括:
[0004]提供承载体，所述承载体包括相对设置的第一表面及第二表面；
[0005]在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面；
[0006]沉积金属，通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层，其中，所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种；
[0007]剥离所述光阻单元。
[0008]其中，在所述步骤“在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括:
[0009]在所述承载体的所述第一表面上形成整层的光阻层；
[0010]对所述光阻层进行曝光，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面。
[0011]其中，所述步骤“对所述光阻层进行曝光，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括:
[0012]提供光罩，所述光罩与所述光阻层间隔一段预设距离且相对设置，所述光罩包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分对光线的阻隔作用不同；
[0013]提供光源，所述光源设置在所述光罩远离所述光阻层的一侧，所述光源发出的光线照射到所述第一部分及所述第二部分以使得所述光阻层形成间隔设置的光阻单元，其中，所述第一部分与所述光阻单元相对应，所述第二部分与相邻的光阻单元之间的间隙相对应。
[0014]其中，所述薄膜晶体管的制作方法还包括:
[0015]调整所述光源发出的光线，以使得所述光阻单元邻近所述间隙的位置形成倒角。
[0016]其中，所述步骤“在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括:
[0017]在所述承载体的所述第一表面上形成整层的光阻层；
[0018]对所述光阻层进行预烘烤；
[0019]对经过预烘烤的光阻层进行预设温度与预设时间的烘烤；
[0020]对烘烤过后的光阻层进行显影处理，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面。
[0021 ] 其中，在进行显影处理时，使用2.38 %的TMAH或者0.4%的TMAH或者4.5 %的Κ0Η。
[0022]其中，所述光阻层的厚度为I微米?5微米。
[0023]其中，当所述金属层为遮光层时，所述承载体为透明基板。
[0024]其中，当所述金属层为源极及漏极时，所述源极及所述漏极同时形成。
[0025]其中，当所述金属层为栅极及存储电极时，所述栅极与所述存储电极同时形成。
[0026]相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管的制作方法，在承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面，接着沉积金属，通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层，其中，所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或者多种，接着，剥离所述光阻单元。由此可见，本发明的薄膜晶体管的制作方法不需要进行蚀刻等中制程，从而减小了薄膜晶体管制作的时间周期。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管的制作方法的流程图。
[0029]图2为本发明步骤SlOl的对应的薄膜晶体管的制作方法中薄膜晶体管的剖面结构示意图。
[0030]图3为本发明步骤S102对应的薄膜晶体管的制作方法中薄膜晶体管的剖面结构示意图。
[0031]图4为本发明步骤S103对应的薄膜晶体管的制作方法中薄膜晶体管的剖面结构示意图。
[0032]图5为本发明步骤S104对应的薄膜晶体管的制作方法中薄膜晶体管的剖面结构示意图。
[0033]图6为本发明光阻层整层地设置在承载体的第一表面的剖面结构示意图。
[0034]图7为本发明薄膜晶体管的制作方法中步骤I1-1中薄膜晶体管的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]需要说明的是，在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。另外，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0037]请参阅图1，图1为本发明一较佳实施方式的薄膜晶体管的制作方法的流程图。所述薄膜晶体管的制作方法包括但不仅限于以下步骤。
[0038]步骤SlOl，提供承载体100，所述承载体100包括相对设置的第一表面10a及第二表面100b。请参阅图2，在本实施方式中，所述承载体100可以为透明基板，比如玻璃基板，塑料基板等，也可以为在透明基板上设置有其他层(比如缓冲层或者半导体层或者绝缘层)之后，所述透明基板与所述透明基板上设置的其他层一并被视为承载体。
[0039]步骤S102，在所述承载体100的第一表面10a上形成间隔设置的光阻单元210，相邻的光阻单元210之间形成间隙220且露出部分第一表面100a。请参阅图3，在图3中示意性地画出了两个光阻单元210，两个光阻单元210设置在所述承载体100的第一表面10a上且两个光阻单元210之间形成间隙220，通过所述间隙220漏出部分第一表面100a。可以理解地，所述光阻单元210的数目并不局限于两个，也可以为N个(N大于等于3)，则，相邻的光阻层210之间形成的间隙220的个数则为N-1个。
[0040]步骤S103，沉积金属，通过所述间隙220露出的第一表面10a上形成金属层500，请参阅图4，其中，所述金属层500为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种。沉积金属时，会在所述光阻单元210上以及通过光阻单元210的之间的间隙220露出的第一表面10a上形成金属层500。形成在光阻单元210上的金属层在后续的制作步骤中会被除去，而通过光阻层210之间的间隙220露出的第一表面10a上形成的金属层可以为薄膜晶体管中的遮光层、栅极、源极、漏极、存储电容中的存储电极等等。所述金属层的材料可以为但不仅限于为钼(Mo)等。可以理解地，所述在所述第一表面10a形成的金属层的数量与所