述间隙220的数量相对应。当所述金属层500为遮光层时，所述承载体100为透明基板。当所述金属层500为源极及漏极时，所述源极及所述漏极同时形成。当所述金属层为栅极及存储电极时，所述栅极及所述存储电极同时形成。
[0041 ] 步骤S104，剥离所述光阻单元210。请参阅图5，由于在步骤S103中，在所述光阻单元210上以及透过光阻单元210之间的间隙220露出的第一表面10a上均形成了金属层。通过剥离所述光阻单元210，从而使得形成在所述光阻单元210上的金属层连同所述光阻单元210—并被移除掉，仅仅留下所述光阻单元210之间的间隙露出的第一表面10a上形成的金属层500。所述金属层500即构成了薄膜晶体管中的遮光层、栅极、源极、漏极、存储电容中的存储电极等等。
[0042]可以理解地，在一实施方式中，所述步骤S102包括如下步骤。
[0043]步骤I，在所述承载体100的所述第一表面10a上形成整层的光阻层200。请参阅图6，所述光阻层200整层地设置在所述承载体100的第一表面10a上。
[0044]步骤II，对所述光阻层200进行曝光，以形成间隔设置的所述光阻单元210，相邻的光阻单元210之间形成间隙220且露出部分第一表面100a。具体地，所述步骤II包括以下步骤。
[0045]步骤11-1，提供光罩300，所述光罩300与所述光阻层200间隔一段预设距离且相对设置，所述光罩300包括第一部分310及第二部分320，所述第一部分310及所述第二部分320对光线的阻隔作用不同。请参阅图7，其中，当光线通过所述第一部分310照射到光阻层200上时，与所述第一部分310对应的光阻层200没有变化;当光线通过所述第二部分320照射到光阻层200上时，与所述第二部分320对应的光阻层200溶解掉，通过调整通过所述第二部分320照射到光阻层200上的光线的照射时间及照射强度，从而使得与所述第二部分对应的光阻层200全部溶解掉，以露出第一表面。
[0046]步骤IΙ-Π，提供光源400，所述光源400设置在所述光罩300远离所述光阻层200的一侧，所述光源400发出的光线照射到第一部分310及第二部分320以使得所述光阻层200形成间隔设置的光阻单元210，其中，所述第一部分310与所述光阻单元210相对应，所述第二部分320与相邻的光阻单元210之间的间隙220相对应。
[0047]所述薄膜晶体管的制作方法，还包括步骤:调整光源400发出的光线，以使得所述光阻单元210邻近所述间隙220的位置形成倒角(under cut)。优选地可以调整所述光源400发出的光线的角度，以使得所述光阻单元210邻近所述间隙220且邻近所述第一表面10a的位置形成倒角，以便在所述步骤S104中对光阻单元210进行剥离。通过在所述光阻单元210邻近所述间隙220的位置形成倒角，能够使得所述光阻单元210方便地从所述承载体100的所述第一表面10a上剥离下来。优选地，所述倒角的角度大于75°。
[0048]在另一实施方式中，所述步骤S102包括如下步骤。
[0049]步骤a，在所述承载体100的所述第一表面10a上形成整层的光阻层200。所述光阻层200的厚度为I微米?5微米。
[0050]步骤b，对所述光阻层200进行预烘烤。
[0051]步骤C，对经过预烘烤的光阻层200进行预算温度与预设时间的烘烤。
[0052]步骤C，对烘烤过后的光阻层200进行显影处理，以形成间隔设置的所述光阻单元210，相邻的光阻单元210之间形成间隙220且露出部分第一表面100a。具体地，在进行显影处理的时候，使用2.38%的四甲基氢氧化钱(Tetramethylammonium Hydroxide ,TMAH)，或者0.4%的TMAH，或者4.5%的氢氧化钾(KOH)。
[0053]相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管的制作方法，在承载体100的第一表面10a上形成间隔设置的光阻单元210，相邻的光阻单元210之间形成间隙220且露出部分第一表面10a，接着沉积金属，通过所述间隙220露出的第一表面上形成金属层，其中，所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或者多种，接着，剥离所述光阻单元210。由此可见，本发明的薄膜晶体管的制作方法不需要进行蚀刻等中制程，从而减小了薄膜晶体管制作的时间周期。
[0054]以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括: 提供承载体，所述承载体包括相对设置的第一表面及第二表面； 在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面； 沉积金属，通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层，其中，所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种； 剥离所述光阻单元。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述步骤“在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括: 在所述承载体的所述第一表面上形成整层的光阻层； 对所述光阻层进行曝光，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤“对所述光阻层进行曝光，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括: 提供光罩，所述光罩与所述光阻层间隔一段预设距离且相对设置，所述光罩包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分对光线的阻隔作用不同； 提供光源，所述光源设置在所述光罩远离所述光阻层的一侧，所述光源发出的光线照射到所述第一部分及所述第二部分以使得所述光阻层形成间隔设置的光阻单元，其中，所述第一部分与所述光阻单元相对应，所述第二部分与相邻的光阻单元之间的间隙相对应。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法还包括: 调整所述光源发出的光线，以使得所述光阻单元邻近所述间隙的位置形成倒角。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤“在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面”包括: 在所述承载体的所述第一表面上形成整层的光阻层； 对所述光阻层进行预烘烤； 对经过预烘烤的光阻层进行预设温度与预设时间的烘烤； 对烘烤过后的光阻层进行显影处理，以形成间隔设置的所述光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在进行显影处理时，使用2.38% 的TMAH或者0.4% 的TMAH或者4.5% 的KOH。7.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为I微米?5微米。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，当所述金属层为遮光层时，所述承载体为透明基板。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，当所述金属层为源极及漏极时，所述源极及所述漏极同时形成。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，当所述金属层为栅极及存储电极时，所述栅极与所述存储电极同时形成。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括：提供承载体，所述承载体包括相对设置的第一表面及第二表面；在所述承载体的第一表面上形成间隔设置的光阻单元，相邻的光阻单元之间形成间隙且露出部分第一表面；沉积金属，通过所述间隙露出的第一表面上形成金属层，其中，所述金属层为遮光层、栅极、源极、漏极、存储电极中的任意一种或多种；剥离所述光阻单元。本发明能够减小薄膜晶体管的制作的时间周期。
【IPC分类】H01L21/28, H01L21/336
【公开号】CN105575817
【申请号】CN201510951852
【发明人】吕明仁
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月17日